N-tipi yarı iletken malzemelere dayalı organik alan etkili transistörlerin üretimleri, performans ve karakteristiklerinin incelenmesi
Fabrication of organic field effect transistors based on N-type semiconductor materials, investigation of performance and characteristics
- Tez No: 215982
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞULE ERTEN ELA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ege Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Disiplinlerarası Bölümü
- Bilim Dalı: Enerji Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 87
Özet
Bu tezde, n-tipi yarı iletken malzemelere dayalı organik alan etkili transistörler çeşitli kaplama yöntemleri (döndürerek kaplama ve termal buharlaştırma) kullanılarak üretilmiştir. N tipi organik alan etkili transistörlerin, akım-gerilim parametreleri ölçülmüş ve bu değerler yardımıyla performans karakteristikleri (geçiş iletkenlik değeri, alt eşik değer eğrisi, mobilite vb..) hesaplanmıştır. Ayrıca, farklı elektrotlar kullanılarak oluşturulan organik transistörlerin kontak direnç etkisi incelenmiştir. Yapılan deneyler sonucunda, Fulleren (C60) tabanlı transistörde 0.5 cm2/Vs ve PCBM tabanlı transistörde 0.10 cm2/Vs, naftalen diimid tabanlı transistörde 0.05 cm2/Vs elektron mobilite değerleri elde edilmiştir. Perilen diimid tabanlı transistörde, 6.10-5 elektron ve 7.10-5 delik mobilite değerleri hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, n-type semiconductor materials based on organic field effect transistörs were fabricated by using various methods (spin-coating and thermal evaporation). The current-voltage characteristics of the n-type semiconductor materials based on organic field effect transistors are measured and the performance characteristics (transconductance, subthreshold slope, mobility) are calculated by using this parameters. Additionally, the contact resistance effect of organic transistors which are formed by using different electrodes are investigated. As a result of the experiments, the electron mobility values were obtained 0.5 cm2/Vs for fullerene (C60) based transistor, 0.10 cm2/Vs for PCBM based transistor, 0.05 cm2/Vs for naphthalene diimide based transistor. The electron and hole mobilities for perylene diimide based transistor is also calculated as 6.10-5 cm2/Vs and 7.10-5 cm2/Vs, respectively
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN
- Beyaz ışık oled uygulamarı için tiyenotiyofen ve tetrafeniletilen içeren moleküllerin sentezi
Synthesis of thienotiophene and tetrafenyethylene for white light oled applications
FATMA ELİF ALACACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK
DR. ERMAN KARAKUŞ
- Novel semiconducting materials for high-performance organic transistors and solar cells
Yüksek performanslı organik transistörler ve güneş pilleri uygulamaları için yeni yarı iletken malzemeler
AYŞE CAN
Doktora
İngilizce
2022
KimyaAbdullah Gül ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN USTA
- Semiconductor nanoparticles as heterogeneous photoinitiators for conventional and controlled radical polymerizations
Konvansiyonel ve kontrollü radikal polimerizasyonları için yarı iletken nanoparçıkların heterojen fotobaşlatıcı olarak kullanımı
SAJJAD DADASHI SILAB
- Thermoelectric properties of laser-induced graphene based nanocomposites
Lazer indüklenmiş grafen tabanlı nanokompozitlerin termoelektrik özellikleri
CEM KINCAL
Doktora
İngilizce
2024
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK