Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications

P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları

PDF İndir

Tez No: 863772
Yazar: FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Danışmanlar: PROF. DR. ESRA ZAYİM, PROF. DR. MUSTAFA ALTUN
Tez Türü: Doktora
Konular: Kimya, Chemistry
Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
Yıl: 2024
Dil: İngilizce
Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
Ana Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
Bilim Dalı: Nanobilim ve Nanomühendislik Bilim Dalı
Sayfa Sayısı: 142

Özet

Silisyum ve germanyum gibi inorganik yarı iletkenler, 1947'den beri elektronik endüstrisinin temelini oluşturmaktadır. Ancak yüksek performanslarına rağmen inorganik temelli optik ve elektronik teknolojisinin gelişimini engelleyen en büyük faktör, bu malzemelerin yüksek sıcaklık ve vakum gerektiren pahalı ve pratik olmayan teknikler ile üretilmesidir. Üretimde pahalı, zahmetli ve esnek olmayan inorganik temelli malzemeler yerine, bunlarla rekabet edebilen yeni malzemelere ihtiyaç duyulmaktadır. Özellikle katı hal cihazlarının pazara sunulmasından sonra mikro elektronik sektörü ön plana çıkmaya başlamış ve geçtiğimiz yüzyılın ortalarında organik malzemelerin yük taşıma kapasitelerinin keşfiyle hızla gelişen bir sektör haline gelmiştir. Organik elektroniklerin vakum gerektirmeyen çözelti bazlı yöntemlerle (döndürerek kaplama, daldırarak kaplama, sprey ile kaplama, inkjet yazdırma, vb) kaplanabilmesi, esnek altlıklara ve geniş alana uygulanabilir olması üretimi daha ucuz hale getirmekte ve bu malzemelerin uygulama alanlarını genişletmektedir. Organik yarı iletken polimerler, karbon, hidrojen ve diğer atomlardan oluşan, zincir boyunca -C ve -C=C- bağlarına sahip katı malzemelerdir. Yapılarındaki karbon atomlarının tek bağ-çift bağ şeklinde birbirini takip etmesi ile zincir boyunca konjuge yapılar oluşur ancak yüksek iletkenlik için konjugasyon tek başına yeterli değildir. Konjuge polimerlerin iletkenlik kazanması için katkılama işlemi ile yapıya ya elektron verilir ya da yapıdan elektron çekilerek artı yüklü boşluklar oluşturulur. Serbest yük taşıyıcıların (elektron ya da deşik) çift bağlarda zincir içi ya da zincirler arası hareket etmesi ile de elektriksel iletkenlik gerçekleşir. Polimer malzemeler uzun zincirli ve büyük moleküller olduğundan, yapılarında çok sayıda atom ve elektron bulundururlar. Elektronların bulunduğu bağ enerji seviyesi bağ orbitali olarak adlandırılırken, boş olan enerji seviyesi ise anti bağ enerji seviyesi olarak adlandırılır. Polimerlerin kalabalık elektronik yapısından dolayı sayıları sonsuza yaklaşan orbitaller üst üste gelerek birbirinden keskin şekilde ayrılmış enerji seviyeleri yerine, sürekli görünümde enerji seviyeleri oluştururlar. En yüksek dolu moleküler orbital (HOMO) ve en düşük boş moleküler orbital (LUMO) enerji seviyeleri arasındaki farka karşılık gelen bant aralığı, malzemenin optik ve elektronik özelliklerini doğrudan belirleyen bir parametredir. Katkılama işlemi ile polimerlerin bant aralığı ayarlanabildiğinden, iletkenlik, verimlilik, kararlılık, anahtarlama süresi, renklenme kabiliyeti, termal özellikler gibi bir çok parametre kontrol edilebilir. Ayrıca, konjuge polimerlerin elektriksel iletkenliği ve optik özellikleri, moleküler yapıları, kristalinite derecesi, katkı seviyeleri ve kaplama koşulları gibi faktörlere de bağlıdır. Örneğin, daha düzenli ve kristallenme derecesi daha yüksek bir polimerik yapı daha iyi iletkenlik sağlayabilmektedir. Konjuge polimerler çok geniş bir aile olup; polianilin, politiyofen, polipirol gibi polimerler organik alan etkili transistörler (OFET), organik fotovoltaikler (OPV), güneş hücreleri, organik ışık yayan diyotlar (OLED), elektrokromik cihazlar, fotokromik cihazlar, termokromik cihazlar ve sensörler gibi çok sayıda katı hal cihaz uygulamalarında kullanılmakta ve giderek yaygınlaşmaktadır. Konjuge iletken polimerler arasında bulunan ve bir politiyofen türevi olan poli(3-hekzil tiyofen) (P3HT); diğer iletken polimerlere kıyasla bazı avantajlar sağlamaktadır. Örneğin polianilin gibi iletken polimerlere kıyasla, sahip olduğu tiyofen halkası sayesinde çevresel koşullara karşı daha kararlı çalışabilmekte, çok çeşitli organik çözücülerde kolaylıkla çözünebilmekte, mekanik olarak daha dayanıklı ancak aynı zamanda daha esnek özellik gösterebilmektedir. İyi bir elektiksel iletkenlik sağlamasının yanı sıra, kromojenik özellikler göstermesi de yeni nesil cihazlarıdaki kullanımında önemli bir avantaj sağlamaktadır. Çeşitli fonksiyonel grupların yapıya katılması, katkılama ya da konjugasyon uzunluğunun değiştirilmesi ile, kromojenik özellikler istenilen şekilde kontrol edilebilmektedir. Her ne kadar konjuge polimerler çeşitli avantajlara sahip olsalar da, inorganik yarı-iletkenlere kıyasla daha düşük elektriksel iletkenlik göstermekte, nem, oksijen veya UV ışık altında da inorganik yarı-iletkenlere kıyasla daha kararsız çalışmaktadır. Bu sebeple tamamen organik polimerlerden oluşan cihazlar daha düşük verimle çalışabilmekte, dayanıklılık ve çevrimsellik gerektiren uygulama alanlarında daha kısa kullanım ömrüne sahip olabilmektedir. Hem organik yarı-iletken polimerlerin elektriksel iletkenliğini artırmak, hem de elektrokimyasal koşullar altında daha kararlı çalışmalarını sağlamak amacıyla, uyumlu iş fonksiyonuna ve enerji bantlarına sahip inorganik geçiş metal oksitleri ile katkılama yapılmaktadır. Böylece hem polimerin hem de inorganik malzemenin avantajları bir araya getirilerek, daha üstün özellikler gösteren hibrit yapılar oluşturulmaktadır. Bu çalışmada yüksek elektron ilgisi, yüksek iş fonksiyonu, bant enerji seviyelerinin P3HT ile uyumlu olması, 300 nm – 1000 nm arasında optik absorpsiyona sahip olması, elektrokromik özellik göstermesi, yüksek sıcaklıklarda kararlı çalışması gibi avantajları sebebiyle, katkı malzemesi olarak tungsten oksit (WO3) seçilmiştir. Ağırlıkça farklı yüzdelerde WO3 tozları, 1,2-diklorobenzen içerisinde çözünmüş P3HT çözeltisi içerisinde dağıtılarak, tek adımda ve çok kolay bir şekilde katkılama yapılmıştır. Katkılama verimi ve iki malzeme arasında oluşan etkileşimin türü, elde edilen hibrit yapının yapısal, optik ve elektronik özelliklerinin kontrol edilmesinde doğrudan belirleyici rol oynamaktadır. Bu kapsamda yazılan doktora tezi iki kısımdan oluşmaktadır; birinci kısımda WO3 katkılı ve katkısız P3HT filmlerin organik alan etkili transistörlerde kullanımı incelenmiş, ikinci kısımda ise elektrokromik cihazlarda kullanımı incelenmiştir. Elde edilen hibrit çözeltiler, döndürerek kaplama yöntemi transistor performansının test edilmesi için silisyum dioksit test çipleri üzerine, elektrokromik performansının test edilmesi için ise indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam altlıklar üzerine kaplanmış ve kalınlığı 80 nm – 100 nm civarında değişen ince filmler elde edilmiştir. Katkılı ve katkısız filmlerin elementel içeriği Taramalı Elektron Mikroskopisi – Enerji Dağılımlı X-Işını Spektroskopisi (SEM-EDX) ile kantitatif olarak ölçülmüş, aynı zamanda filmlerin yüzey incelemeleri yapılmıştır. Film morfolojisi ve ortalama yüzey pürüzlülük incelemeleri Atomik Kuvvet Mikroskopisi (AFM) ile gerçekleştirilmiştir. OFET cihaz performansı I-V karekterizasyon eğrileri ile karakterize edilerek yük taşıma özellikleri incelenmiş, cihaz performansını belirleyen eşik voltajı, açık/kapalı akım oranı ve alan etkili mobilite gibi parametreler hesaplanmıştır. Yapılan hesaplamalar sonucunda, optimum katkılama konsantrasyonunun ağırlıkça %30 WO3 olduğu ve bu katkılama oranında üretilen hibrit filmlerde, katkısız P3HT filmlere kıyasla mobilite değerinde 105 kat iyileşme gözlendiği, açık/kapalı akım oranının yaklaşık 10 kat arttığı, katkılı ve katkısız filmlerin her ikisinde de p-tipi alan etkisi davranışı gözlendiği tespit edilmiştir. Ayrıca katkılama ile yalıtkan – yarı iletken ara yüzeyindeki yük tuzakları azaltılarak, eşik voltajında da yaklaşık 20 V azalma elde edilmiştir. Farklı katkı oranlarında üretilen filmlerin elektrokromik özellikleri ise çevrimsel voltametri (CV) yöntemi ile karakterize edilmiştir. Elektrokimyasal karakterizasyonlar sonucunda OFET ile benzer şekilde optimum katkılama konsantrasyonunun, elektrokromik filmler için de ağırlıkça %30 WO3 olduğu tespit edilmiştir. %30 WO3 katkılı hibrit filmlerin, katkısız P3HT filme kıyasla 2 kat daha yüksek renklenme verimliliğine, daha yüksek optik geçirgenliğe, daha yüksek optik yoğunluğa ve daha düşük yükseltgenme potansiyeline sahip olduğu görülmüştür. P3HT ve WO3 arasındaki etkileşim mekanizmasını anlamak için X-Işını Difraksiyonu (XRD), Raman Spektroskopisi, Fourier Dönüşümlü Infrared Spektroskopisi (FTIR) Fotolüminesans Spektroskopisi (PL) ve X-Işını Fotoelektron Spektroskopisi (XPS) kullanılmıştır. XRD ve Raman incelemeleri sonucunda, ağırlıkça %30 oranında WO3 katkılandığında, P3HT'nin polimer zincirlerinin kristalizasyon derecesinin arttığı, buna bağlı olarak zincirler üzerinde daha iyi yük transferi sağlandığından elektriksel iletkenliğin arttığı tespit edilmiştir. Yapılan detaylı spektroskopik incelemeler sonucunda ise, P3HT ve WO3 arasında elektrostatik etkileşimlere dayalı bir yük transferi gerçekleştiği tespit edilmiştir. WO3 parçacıkları ve P3HT'nin tiyofen grupları arasında oluşan donor – akseptör etkileşimleri ile P3HT'nin bant aralığı ve yükseltgenme potansiyeli azaltılmış, böylece elektrokromik performansta katkısız P3HT filme kıyasla iyileşme elde edilmiştir. XPS analizleri ile tungsten (W) parçacıklarının P3HT'nin tiyofen halkasındaki kükürt atomu (S) ile etkileşiyor olabileceği düşünülmüştür. Katkılı ve katkısız filmlerin yük transfer dirençleri ve kapasitif özellikleri Elektrokimyasal Empedans Spektroskopisi (EIS) ile incelenmiştir. Elektrot ve çözelti ara yüzeyinde oluşan elektriksel tabaka çift tabaka kapasitansı (CDL), ara yüzeyde oluşan direnç ise yük transfer direnci (Rct) olarak ifade edilmektedir. EIS incelemeleri sonucunda, çift tabaka kapasitansı katkısız P3HT film için 5.7 μF, ağırlıkça %30 WO3 katkılı P3HT hibrit film için ise 105 μF olarak hesaplanmıştır. Bu durum, katkılı hibrit filmlerin çok daha yüksek kapasitif davranışa sahip olduğunu, yani daha iyi yük depolama kabiliyetine sahip olduğunu göstermektedir. Yüksek frekans bölgesinde ağırlıkça %30 WO3 katkılı P3HT hibrit filmin katkısız P3HT filme kıyasla daha düşük Rct değerine sahip olması, redoks ve elektrokromik reaksiyonların katkılı filmde daha hızlı gerçekleşmesini sağlamıştır. Optimum katkı konsantrasyonu ağırlıkça %30 WO3 olarak belirlendikten sonra, katkılı (PW30) ve katkısız (P3HT) elektrokromik filmler, iyonik jel elektrolit kullanılarak WO3 karşıt elektrotu ile kapatılmış ve sandviç yapıda elektrokromik katı cihazlar elde edilmiştir. P3HT/WO3 ve PW30/WO3 katı cihazların oluşturulmasından sonra, cihazların elektrokromik performansı ve kararlılığı kronoamperometri (CA) ölçümleriyle incelenmiştir. Katkılı elektrokromik filmin kullanıldığı PW30/WO3 katı cihazın, 1000 çevrime kadar bozulmadan kaldığı, P3HT/WO3 katı cihazına kıyasla daha kısa anahtarlama süresine sahip olduğu, çok daha kararlı çalıştığı ve 1000 çevrim sonunda bile daha yüksek renklenme verimliliğine sahip olduğu gözlenmiştir. Son olarak, elektrokromik çalışmaların çıktıları sonucunda P3HT'nin termokromik özellik de gösterebileceği düşünüldüğünden, katkılı ve katkısız filmlerin termokromik davranışları da incelenmiştir. Katkılı ve katkısız P3HT filmler 25°C - 225°C aralığında ısıtıldığında, katkısız P3HT filmin 550 nm dalga boyundaki geçirgenliğinin %17 arttığı, ancak ağırlıkça %30 WO3 katkılı filmin termokromik özelliğinde iyileşme olmadığı görülmüştür. Termokromizmin ana mekanizmasının, optik ve elektronik özelliklerde olduğu gibi P3HT ve WO3 arasındaki yük aktarımına dayanmadığı görülmüş, WO3 ilavesinin P3HT zincirlerinin üç boyutlu düzlemde konformasyonel yapıyı değiştirdiği için termokromik özellik üzerinde olumlu bir etkiye sebep olmadığı tespit edilmiştir. Organik-inorganik hibrit malzemeler literatürde yaygın olarak kullanılmalarına rağmen, iki bileşen arasındaki ara yüzey etkileşimleri ve bu etkileşimlerin hibrit sistemin özelliklerini nasıl etkilediği detaylı olarak incelenmemiştir. Bu tez çalışmasında hem katkısız P3HT polimerinin hem de farklı oranlarda WO3 katkılandıktan sonra elde edilen hibrit filmlerin elektronik, elektokimyasal ve termal özellikleri detaylı bir şekilde incelenmiş, transistörlerde ve elektrokromik katı hal cihazlarında kullanılabileceği gösterilmiştir. Bu anlamda, bu doktora tezinde sunulan deneysel çalışmaların ve karakterizasyonların literatürde önemli bir açığı kapatacağı düşünülmektedir. Ayrıca katkılama konsantrasyonunun, hibrit ince film tasarımında ara yüzey özelliklerini önemli ölçüde etkilediği, sistematik deneysel çalışmalar ile de detaylı olarak incelenmiştir. Deneyler sonucunda, uygun katkılama konsantrasyonunun polimerin elektron taşınımını, moleküler yapısını ve elektrokimyasal özelliklerini iyileştirmesinden dolayı, hibrit ince filmlerin kullanıldığı transistör ve elektrokromik cihazların daha yüksek performansla çalıştığı tespit edilmiş, yüksek performanslı hibrit ince filmlerin kullanılabileceği potansiyel teknolojik alanların ön çalışmaları yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

Inorganic semiconductors, such as silicon and germanium, have underpinned the electronics industry since 1947. However, despite their high performance, the biggest drawback in the development of inorganic-based optical and electronic technology is that these materials can only be produced using expensive and impractical techniques, which require high temperatures and a vacuum environment. Instead of relying on expensive, time-consuming, and brittle inorganic-based materials in production, there is a need for new competitive materials. Especially after the introduction of inorgganic solid-state devices to the market, the microelectronics sector began to rapidly develop with the discovery of the charge carrier capacities of organic materials. Since organic electronics can be coated using low-temperature and simple wet chemistry techniques (spin coating, dip coating, spray coating, inkjet printing, etc.), they can be applied to flexible substrates and large areas. Therefore, their easy processability expands the application areas of these materials. Organic semiconducting polymers are solid materials composed of carbon, hydrogen, and other atoms (such as S or N) with -C and -C=C- bonds along the chain. Conjugated structures are formed along the chain by alternating the carbon atoms in their structures in the form of single bonds and double bonds. However, conjugation alone is not sufficient for high conductivity. In order to make conjugated polymers electrically conductive, either electrons are added to the structure or positively charges (holes) are created by withdrawing electrons from the structure, which is called the doping process. Conjugated polymers like polyaniline, polythiophene, and polypyrrole have been commonly used in solid-state devices such as organic field-effect transistors (OFETs), organic photovoltaics (OPVs), solar cells, organic light-emitting diodes (OLEDs), electrochromic devices (ECD), photochromic devices, thermochromic devices, and sensors. Among these polymers, poly(3-hexyl thiophene) (P3HT), a derivative of polythiophene, stands out for several advantages. For instance, in comparison to conductive polymers like polyaniline, P3HT exhibits greater stability against environmental conditions due to its thiophene ring. It can be easily dissolved in a wide range of organic solvents, and it possesses both mechanical durability and flexibility. Beside its remarkable electrical conductivity, P3HT boasts chromogenic properties, presenting a significant advantage in its application in next-generation devices. The incorporation of various functional groups into its structure, or the alteration of conjugation length, allows for precise control over these chromogenic properties. While conjugated polymers have several advantages, they do tend to exhibit lower electrical conductivity compared to inorganic semiconductors. They are also more susceptible to instability under the exposition of moisture, oxygen, or UV light when compared to their inorganic counterparts. Consequently, devices entirely composed of organic polymers may operate with reduced efficiency and have a shorter lifetime in applications demanding high durability and long-term cyclic performance. To be able to overcome this issue, inorganic transition metal oxides with suitable work functions and energy bands are doped into organic semiconductor polymers. This provides both enhancing electrical conductivity and ensuring more stable operation under electrochemical conditions. Through the combination of advantages of both polymer and inorganic materials, superior properties are achieved in the resulting hybrid structures. In this study, tungsten oxide (WO3) was selected as the dopant material due to its advantageous properties, including high electron affinity, high work function, suitable band energy levels with P3HT and stability. In order to obtain hybrid thin films, different weight percentages of WO3 powders were dispersed in a P3HT/1,2-dichlorobenzene solution. The efficiency of doping and the interaction mechanism between the two materials play crucial roles in determining the structural, optical, and electronic properties of the ultimate hybrid structure. Therefore, this thesis study is divided into two parts; the first part examines the use hybrid thin films in organic field effect transistors, while the second part examines their application in electrochromic devices. The atomic composition of both doped and pristine thin films was quantitatively measured using Scanning Electron Microscopy - Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy (SEM-EDX) and film morphology were investigated by Atomic Force Microscopy (AFM). The performance of the OFET devices was characterized by I-V characterization curves. Performance parameters such as threshold voltage, on/off current ratio, and field effect mobility were calculated. Considering the electronic characterizations, the optimum doping concentration was determined as 30% WO3 by weight. It was found that the on/off current ratio and mobility for p-type hybrid thin films increased 10 times and 105 times, respectively. Moreover, reducing the charge traps at the gate insulator-semiconductor interface via doping led to a 20 V decrease in threshold voltage. The electrochromic properties of both doped and pristine thin films were characterized by cyclic voltammetry (CV). Similarly to OFETs, the optimum doping concentration for the best electrochromic performance was again determined as 30% WO3 by weight. For the hybrid films prepared by 30% WO3 doping showed significant improvement in coloration efficiency, optical density and stability. Furthermore, it was found that efficient doping lowers the oxidation potential compared to the pristine P3HT film. The interaction between P3HT and WO3 was confirmed X-Ray Diffraction (XRD), Raman Spectroscopy, Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), Photoluminescence Spectroscopy (PL), and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). XRD and Raman investigations indicated that the crystallinity of P3HT increased by the doping of 30% WO3, leading to better mobility of charge carriers and better optical contrast. Besides, increasing crystallinity in a polymer provides stability, which results long-term electrochemical cycling durability. Spectroscopic examinations revealed that the charge transfer between P3HT and WO3 occurs electrostatically driven donor-acceptor interactions. Efficient charge transfer mechanism between WO3 and P3HT reduces the band gap and oxidation potential, leading to an improvement in electrochromic performance. Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) was employed to examine capacitive properties thin films. It was found that double layer capacitance (CDL) of P3HT increased from 5.7 μF to 105 μF with the incorporation of WO3. Also, lower charge transfer resistance (Rct) for hybrid films were obtained, which enables faster redox reactions. Following the optimization of efficient doping concentration, doped (PW30) and pristine (P3HT) electrochromic films were sandwiched with a WO3 counter electrode using a gel electrolyte. Regarding the chronoamperometric measurements, it was observed that the PW30-based solid device remains stable up to 1000 cycles without compromising coloration efficiency and exhibits shorter response times compared to the P3HT-based solid device. Lastly, although not a primary focus of the thesis study, thermochromic behavior of both doped and pristine P3HT films was investigated in the 25°C - 225°C temperature range. The optical transmission at 550 nm of pristine P3HT film increased 17% with increasing temperature. However, no improvement was observed in case of WO3 doped P3HT films. This suggests that the primary mechanism of thermochromism does not depend on charge transfer as seen in optical and electronic properties. In summary, this thesis study involves comprehensive optical, electronic, and electrochemical characterizations of WO3-doped P3HT thin films, and the interfacial interactions. The application of resulting hybrid films in OFET and electrochromic devices are presented, and preliminary investigations devoted to potential technological applications are evaluated.

Benzer Tezler

Tez No
325545
Fabrication and characterization of liquid electrolyte gated polymer field effect transistor for basic circuit applications
Temel devre uygulamaları için sıvı elektrolit kapılı polimer ince film transistörlerin üretimi ve incelenmesi
BERKAN YAMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Boğaziçi Üniversitesi
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. ŞENOL MUTLU
Tez No
402314
Fabrication and characterization of organic/inorganic photovoltaic device
Başlık çevirisi yok
ALİ BİLGE GÜVENÇ
Doktora
İngilizce
2012
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği University of California Riverside
Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. MİHRİMAH ÖZKAN
Tez No
341346
Organik tabanlı hibrit güneş pillerinin yapımı ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of the organic based hybrid solar cells
SEMANUR GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliği Marmara Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ
Tez No
439401
Işığa duyarlı organik alan etkili transistörlerin (fotoofet) yapımı ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of photo-sensitive field effect transistors(photoofet)
ZÜHAL ALPASLAN KÖSEMEN
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliği Gebze Teknik Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF YERLİ
Tez No
849057
Fabrication and characterization of transition metals (Mn and Co)-doped cds-based photovoltaic cells
Geçiş metali (Mn ve Co) katkılı cds tabanlı fotovoltaik hücrelerin üretimi ve karakterizasyonu
VOLKAN DOĞAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Enerji Adana Alparslan Türkeş Bilim Ve Teknoloji Üniversitesi
Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİH YILMAZ

Geri Dön