P-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of P-type delta-doped GaAs structure
- Tez No: 222217
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EMİNE ÖZTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
Bu çalısmada, katkılama konsantrasyonu ve katkılama kalınlıklarına baglıolarak p-tipi d -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini, yük yogunlugunu,Fermi enerjisini, altband enerji ve altband yerlesimlerini Schrödinger ve Poissondenklemlerinin self-consistent (öz-uyumlu) çözümüyle hesapladık. Elde ettigimizsonuçlara göre, agır hollerin altbandlara yerlesimleri, tüm tasıyıcıların yaklasıkolarak %91'ini içerir ve agır hollerin dolu durum sayısı, hafif hollere kıyasla dahafazladır. Agır hol için bulunan altband enerjileri ve yerlesimleri, katkılamakonsantrasyonu ve katkılama kalınlıgına baglı olarak belirgin bir sekildedegismektedir. Oysa; hafif holler için elde edilen altband enerjisi, katkılamakonsantrasyonuna göre degisirken, altband yerlesimi katkı konsantrasyonuna vekalınlıgına karsı duyarsızdır.ANAHTAR KELİMELER: P-tipi d -katkılama, GaAs yapısı, self-consistent,potansiyel profili, altband yapısı.
Özet (Çeviri)
In this study, we have calculated the potential profile, the charge density,the Fermi energy, the subband energies and populations as dependent on thedoping concentration and the doping thickness by solving the Schrödinger and thePoisson equations self-consistently. The results we obtained show that the heavyholesubbands contain many more energy occupied states than the light-hole ones,the population of the heavy-hole levels represent approximately 91% of all thecarriers. The subband energies and populations obtained for the heavy-holechange significantly as depend on the doping concentration and thickness.Whereas; while for light-holes the subband energy change with the acceptorconcentration, the subband occupation for the light-hole is not sensitive to thedoping concentration and thickness.KEY WORDS: P-type d -doping, GaAs structure, self-consistent, potentialprofile, subband structure, light hole.
Benzer Tezler
- Kuantum sınırlı safsızlık atomlarının kullanıldığı THz dedektör yapıların MBE yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
MBE growth and characterization of THz detector structures using quantum confined impurity atoms
GÜVEN KORKMAZ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Optimization, fabrication, and characterization of dual-band InGaAs NBN photodetectors
Çift bantlı InGaAs NBN fotoalgılayıcıların optimizasyonu, üretimi ve karakterizasyonu
ALPER ŞAHİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Selçuk Üniversitesi Alaeddin Keykubat kampüs alanındakilepidoptera türlerinin belirlenmesi
The determination of lepidoptera species in Selçuk University Alaeddin Keykubat campus area
DUHA HATEM HUSSEIN ALBARAJ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
ZiraatSelçuk ÜniversitesiBitki Koruma Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ EKREM ÖGÜR
- Bursa ili ceviz bahçelerinde elma içkurdu [Cydia pomonella (L.)] ile mücadelede feromon yayıcıları, kaolin ve granulovirüs uygulamalarının etkinliğinin değerlendirilmesi
Evaluation of the efficacy of pheromone dispenser, kaolin and granulovirus applications for control of codling moth [Cydia pomonella (L.)] in walnut orchards of bursa
PELİN DEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
ZiraatUludağ ÜniversitesiBitki Koruma Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORKUN BARIŞ KOVANCI