P-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of P-type delta-doped GaAs structure
- Tez No: 222217
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EMİNE ÖZTÜRK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: P-tipi d -katkılama, GaAs yapısı, self-consistent, potansiyel profili, altband yapısı, P-type d -doping, GaAs structure, self-consistent, potentialprofile, subband structure, light hole
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalısmada, katkılama konsantrasyonu ve katkılama kalınlıklarına baglıolarak p-tipi d -katkılı GaAs yapısının potansiyel profilini, yük yogunlugunu,Fermi enerjisini, altband enerji ve altband yerlesimlerini Schrödinger ve Poissondenklemlerinin self-consistent (öz-uyumlu) çözümüyle hesapladık. Elde ettigimizsonuçlara göre, agır hollerin altbandlara yerlesimleri, tüm tasıyıcıların yaklasıkolarak %91'ini içerir ve agır hollerin dolu durum sayısı, hafif hollere kıyasla dahafazladır. Agır hol için bulunan altband enerjileri ve yerlesimleri, katkılamakonsantrasyonu ve katkılama kalınlıgına baglı olarak belirgin bir sekildedegismektedir. Oysa; hafif holler için elde edilen altband enerjisi, katkılamakonsantrasyonuna göre degisirken, altband yerlesimi katkı konsantrasyonuna vekalınlıgına karsı duyarsızdır.
Özet (Çeviri)
In this study, we have calculated the potential profile, the charge density,the Fermi energy, the subband energies and populations as dependent on thedoping concentration and the doping thickness by solving the Schrödinger and thePoisson equations self-consistently. The results we obtained show that the heavyholesubbands contain many more energy occupied states than the light-hole ones,the population of the heavy-hole levels represent approximately 91% of all thecarriers. The subband energies and populations obtained for the heavy-holechange significantly as depend on the doping concentration and thickness.Whereas; while for light-holes the subband energy change with the acceptorconcentration, the subband occupation for the light-hole is not sensitive to thedoping concentration and thickness.
Benzer Tezler
- Seismic performance of reinforced concrete structural systems under mainshock–aftershock sequences: Insights from the 2023 Türkiye–Syria
Ana şok–artçı şok dizileri altında betonarme taşıyıcı sistemlerin sismik performansı: 2023 Türkiye–Suriye depremleri ışığında
VALID ALJOBRANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Deprem MühendisliğiSakarya Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYDIN DEMİR
- Kule türü yapıların deprem davranışının zemin-yapı etkileşimi gözönüne alınarak incelenmesi
On vibrations of towerlike structures under earthquake excitation considering soil-structure interaction
KADİR GÜLER
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Over kanserlerinde tümör dokusunda T hücre reseptörü yeniden düzenlenmesinin multipleks PCR yöntemi kullanılarak araştırılması
Investigation of T-cell receptor rearrangement in tumor tissues in ovarian cancers by means of multiplex PCR method
SULTAN ÖZKAN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2015
Kadın Hastalıkları ve DoğumEge ÜniversitesiKadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA COŞAN TEREK
- Kuantum sınırlı safsızlık atomlarının kullanıldığı THz dedektör yapıların MBE yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
MBE growth and characterization of THz detector structures using quantum confined impurity atoms
GÜVEN KORKMAZ
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN