Geri Dön

Güç elektroniği uygulamalarında silisyum karbür (SiC) Schottky diyotların paketlenmesi

The packeging of silicon carbur (SiC) Schottky diode in power electronic application

  1. Tez No: 244765
  2. Yazar: VOLKAN BALTA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 108

Özet

Bu çalışmada güç elektroniği uygulamalarında kullanılan SiC Schottky diyotunun daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilmesi amacıyla yeni bir paketleme tekniği önerilmiştir. Bu paketleme tekniğinde, metal bir soğutucu içerisine yerleştirilen SiC diyotunu metalle elektrik kontağını kurmak için yüksek sıcaklıklara dayanan izolasyon bir malzeme ve SiC ile elektrotlar arasında elektriksel iletimi sağlamak içinde sıvı lehim kullanılmıştır.Bu yeni paketleme tekniği kullanılarak paketlenen SiC Schottky diyotlarının 5120C sıcaklığa kadar kararlı bir şekilde çalıştığı gözlemlenmiştir. Bu bizim bilgilerimize göre şu ana kadar elde edilen en yüksek çalışma sıcaklığıdır.

Özet (Çeviri)

In this study, a new packaging technique is used for the SiC Schottky diode to work in higher temperatures in power electronics applications. The SiC diode that put into Coolant, to establish a metal electrical contact between SiC and metal, a high temperature insulation material and to provide electrical conduction between SiC and the electrodes, a liquid solder is used.It has been observed that this new packaging technique can operate in temperatures up to 5120C. According to our information this is the highest operating temperature that has ever been.

Benzer Tezler

  1. Design and implementation of a SiC based three phase grid connected current source inverter for solar applications

    Güneş uygulamaları için şebekeye bağlı üç fazlı SiC tabanlı akım kaynaklı evirici tasarımı ve uygulaması

    OLCAY BAY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUAMMER ERMİŞ

    DR. HAZIM FARUK BİLGİN

  2. Yeni nesil yarıiletken güç elemanlarının endüksiyonlu ocaklarda kullanımının incelenmesi

    Research of new generation of power devices usage in induction cookers

    SEZER ASLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NİHAN ALTINTAŞ

  3. Silisyum karbür mosfet'ler için kontrollü aktif kapı sürücü tasarımı

    Controlled active gate driver design for silicon carbide mosfets

    OZAN GÜNEY DÜŞMEZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN

  4. Silisyum karbür yarıiletken güç elemanları için aktif kapı sürücü devrelerinin incelenmesi

    Investigation of active gate drive circuits for silicon carbide semiconductor power devices

    EMİN ASIM YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET FARUK BAKAN

  5. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis of silicon carbide nanowires

    Fourier transform ile silisyum karbür nanotellerinin kızılötesi spektroskopi analizi

    DILHUMAR ABDURAZIK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Şehir Üniversitesi

    Endüstri ve Sistemler Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Assoc. Prof. Dr. KAŞİF TEKER