Güç elektroniği uygulamalarında silisyum karbür (SiC) Schottky diyotların paketlenmesi
The packeging of silicon carbur (SiC) Schottky diode in power electronic application
- Tez No: 244765
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 108
Özet
Bu çalışmada güç elektroniği uygulamalarında kullanılan SiC Schottky diyotunun daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilmesi amacıyla yeni bir paketleme tekniği önerilmiştir. Bu paketleme tekniğinde, metal bir soğutucu içerisine yerleştirilen SiC diyotunu metalle elektrik kontağını kurmak için yüksek sıcaklıklara dayanan izolasyon bir malzeme ve SiC ile elektrotlar arasında elektriksel iletimi sağlamak içinde sıvı lehim kullanılmıştır.Bu yeni paketleme tekniği kullanılarak paketlenen SiC Schottky diyotlarının 5120C sıcaklığa kadar kararlı bir şekilde çalıştığı gözlemlenmiştir. Bu bizim bilgilerimize göre şu ana kadar elde edilen en yüksek çalışma sıcaklığıdır.
Özet (Çeviri)
In this study, a new packaging technique is used for the SiC Schottky diode to work in higher temperatures in power electronics applications. The SiC diode that put into Coolant, to establish a metal electrical contact between SiC and metal, a high temperature insulation material and to provide electrical conduction between SiC and the electrodes, a liquid solder is used.It has been observed that this new packaging technique can operate in temperatures up to 5120C. According to our information this is the highest operating temperature that has ever been.
Benzer Tezler
- Design and implementation of a SiC based three phase grid connected current source inverter for solar applications
Güneş uygulamaları için şebekeye bağlı üç fazlı SiC tabanlı akım kaynaklı evirici tasarımı ve uygulaması
OLCAY BAY
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUAMMER ERMİŞ
DR. HAZIM FARUK BİLGİN
- Yeni nesil yarıiletken güç elemanlarının endüksiyonlu ocaklarda kullanımının incelenmesi
Research of new generation of power devices usage in induction cookers
SEZER ASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NİHAN ALTINTAŞ
- Silisyum karbür mosfet'ler için kontrollü aktif kapı sürücü tasarımı
Controlled active gate driver design for silicon carbide mosfets
OZAN GÜNEY DÜŞMEZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DİNÇER GÖKCEN
- Silisyum karbür yarıiletken güç elemanları için aktif kapı sürücü devrelerinin incelenmesi
Investigation of active gate drive circuits for silicon carbide semiconductor power devices
EMİN ASIM YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK BAKAN
- Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis of silicon carbide nanowires
Fourier transform ile silisyum karbür nanotellerinin kızılötesi spektroskopi analizi
DILHUMAR ABDURAZIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİstanbul Şehir ÜniversitesiEndüstri ve Sistemler Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Assoc. Prof. Dr. KAŞİF TEKER