Geri Dön

Yüksek elektron hareketli transistör (high electron mobility transistor, HEMT) distorsiyon analizi

HEMT (high electron mobility transistor) distortion analysis

  1. Tez No: 245555
  2. Yazar: LEVENT GÖKREM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. H. GÜÇLÜ YAVUZCAN, YRD. DOÇ. DR. REMZİ YILDIRIM
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Endüstriyel Teknoloji Eğitimi Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 214

Özet

HEMT'ler düşük gürültü ve yüksek frekanslarda çalışmaları nedeniyle günümüzde yaygın olarak analog, sayısal ve kablosuz haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada GaN tabanlı HEMT'in sıcaklığa bağlı olarak Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville ve Stern kararlılık analizi yapılmıştır. Rolletti kararlılık kriteri (K) ve sıcaklıkla değişen saçılma parametresi ile ilişkili kararlılık kriteri (Delta, D) arasındaki bölgesel kararlılık aralıkları belirlenmiştir. Volterra serisi üçüncü dereceye kadar güç serisi şeklinde açılarak küçük işaret transfer fonksiyonları elde edilmiştir. Sisteme uygulanan dört-tonlu küçük işaretten elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenlerinin sıcaklık ve Vgs'ye bağlı olarak analizi yapılmış ve asimetrik IMD bileşenleri de belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

HEMT is extensively used in analog, digital and wireless communication systems due to low noise and high frequency operating conditions. In this study, temperature dependent stability analysis of GaN based HEMT was performed basing on Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville and Stern criterions. Regional stability intervals between Rolletti stability criterion (K) and temperature dependent scattering parameter related stability criterion (Delta) were determined. Volterra series expanded as power series up to third degree and small signal transfer functions were obtained. IMD frequency components acquired from four tone small signal input were analyzed in relation to the temperature and gate to source voltage. Additionally, asymmetrical IMD components were located.

Benzer Tezler

  1. Investigation of parallel-connected GaN E-HEMT VSI-based servo drives

    Paralel bağlı GaN E-HEMT VSI tabanlı servo sürücülerin incelenmesi

    HÜSEYİN YÜRÜK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OZAN KEYSAN

  2. SiN pasivasyonu öncesi ön işlemlerin GaN HEMT'lerin performansına etkisi

    The effect of pretreatment on GaN HEMT performance before SiN passivation

    KÜBRA ELİF ASAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABBAS TAMER ÖZDEMİR

  3. Design of a GaN-based high gain X-band power amplifier

    GaN tabanlı yüksek kazançlı güç yükselteç tasarımı

    UTKU AĞTAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH ATALAR

  4. A study on a low phase noise charge pump phase-locked loop at 2.8 GHz

    2.8 ghz'de düsük faz gürültülü yük pompalı faz kilitlemeli döngü tasarımı

    MAHSA KEYKHALİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEVZAT GÜNERİ GENÇER

  5. X bant uygulamaları için GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı

    GaN-based single stage low noise amplifier for X-band applications

    GİZEM TENDÜRÜS ÇAĞLAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBaşkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT NAZLIBİLEK