Yüksek elektron hareketli transistör (high electron mobility transistor, HEMT) distorsiyon analizi
HEMT (high electron mobility transistor) distortion analysis
- Tez No: 245555
- Danışmanlar: PROF. DR. H. GÜÇLÜ YAVUZCAN, YRD. DOÇ. DR. REMZİ YILDIRIM
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Endüstriyel Teknoloji Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 214
Özet
HEMT'ler düşük gürültü ve yüksek frekanslarda çalışmaları nedeniyle günümüzde yaygın olarak analog, sayısal ve kablosuz haberleşme sistemlerinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada GaN tabanlı HEMT'in sıcaklığa bağlı olarak Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville ve Stern kararlılık analizi yapılmıştır. Rolletti kararlılık kriteri (K) ve sıcaklıkla değişen saçılma parametresi ile ilişkili kararlılık kriteri (Delta, D) arasındaki bölgesel kararlılık aralıkları belirlenmiştir. Volterra serisi üçüncü dereceye kadar güç serisi şeklinde açılarak küçük işaret transfer fonksiyonları elde edilmiştir. Sisteme uygulanan dört-tonlu küçük işaretten elde edilen intermodülasyon (IMD) frekans bileşenlerinin sıcaklık ve Vgs'ye bağlı olarak analizi yapılmış ve asimetrik IMD bileşenleri de belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
HEMT is extensively used in analog, digital and wireless communication systems due to low noise and high frequency operating conditions. In this study, temperature dependent stability analysis of GaN based HEMT was performed basing on Nyquist, Root-locus, Rolletti, Linville and Stern criterions. Regional stability intervals between Rolletti stability criterion (K) and temperature dependent scattering parameter related stability criterion (Delta) were determined. Volterra series expanded as power series up to third degree and small signal transfer functions were obtained. IMD frequency components acquired from four tone small signal input were analyzed in relation to the temperature and gate to source voltage. Additionally, asymmetrical IMD components were located.
Benzer Tezler
- Investigation of parallel-connected GaN E-HEMT VSI-based servo drives
Paralel bağlı GaN E-HEMT VSI tabanlı servo sürücülerin incelenmesi
HÜSEYİN YÜRÜK
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OZAN KEYSAN
- SiN pasivasyonu öncesi ön işlemlerin GaN HEMT'lerin performansına etkisi
The effect of pretreatment on GaN HEMT performance before SiN passivation
KÜBRA ELİF ASAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Bilim ve TeknolojiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABBAS TAMER ÖZDEMİR
- Design of a GaN-based high gain X-band power amplifier
GaN tabanlı yüksek kazançlı güç yükselteç tasarımı
UTKU AĞTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULLAH ATALAR
- A study on a low phase noise charge pump phase-locked loop at 2.8 GHz
2.8 ghz'de düsük faz gürültülü yük pompalı faz kilitlemeli döngü tasarımı
MAHSA KEYKHALİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEVZAT GÜNERİ GENÇER
- X bant uygulamaları için GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı
GaN-based single stage low noise amplifier for X-band applications
GİZEM TENDÜRÜS ÇAĞLAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBaşkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT NAZLIBİLEK