Geri Dön

SiN pasivasyonu öncesi ön işlemlerin GaN HEMT'lerin performansına etkisi

The effect of pretreatment on GaN HEMT performance before SiN passivation

  1. Tez No: 501009
  2. Yazar: KÜBRA ELİF ASAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABBAS TAMER ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Science and Technology
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 98

Özet

AlGaN/GaN hetero yapısı, özellikle yüksek sıcaklık ve yüksek gerilim gerektiren uygulamalarda, gelecek nesil yüksek frekans ve yüksek güç cihazları için umut verici yarı iletkenlerdir. Geniş bant aralığı AlGaN/GaN yüksek elektron hareketli transistörlerde (HEMT), yüksek kırılma gerilimi ve yüksek doyum akımı sağlar, bu özellikleri sayesinde kablosuz iletişim, uydu ve radar uygulamaları gibi birçok farklı uygulamada kullanılmaktadır. Ancak bu teknolojide akım kaçakları ve akım çökmeleri sebebiyle bazı performans limitleri söz konusudur. Bu etkilerin oluşmasına yüzey kusurları, yüzey tuzakları ve yüzey hasarları sebep olmaktadır. Bu çalışmada HEMT' lerin pasivasyon kaplaması öncesinde yapılan ön işlemlerle akım kaçaklarını azaltarak, performansı arttırmak amaçlanmıştır. AlGaN/GaN çok katlı kristal HEMT yapısının büyütülmesi metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sistemi ile yapılmıştır. Fabrikasyon adımında fotomaskeli ve maskesiz desenleme işlemi, fiziksel ve kimyasal aşındırma, metal kaplama, pasivasyon kaplama işlemleri yapılmıştır. Yüzey kusurlarını, tuzaklarını ve hasarlarını azaltmak için SF6 ve O2, CF4 ve O2, NH3, N2 gazlarını içeren kuru plazma ön işlemleri ve tampon tabaka oksit kaldırıcı (BOE) ıslak kimyasal ön işlemleri uygulanmıştır. Karakterizasyon hem ön işlem öncesinde hem de ön işlem sonrasında yapılmıştır. DC ölçümleri ve kapı gecikmesi (gate lag) ölçümleri sonucunda kapı ve akaç akımı kaçaklarının azalmasının nitrojen içeren plazma ön işlemleri ile sağlandığı görülmüştür.

Özet (Çeviri)

AlGaN/GaN heterostructures are promising semiconductors for next-generation high-frequency and high-power devices, particularly at high temperature and high voltage operation. Their wideband gap allows high breakdown voltage and high saturation current capabilities in an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT), which make them potential candidates for many different applications, such as wireless communications, satellite and radar applications. However, in this technology, there are some performance limits due to current leaks and current collapse. These effects are caused by surface defects, surface traps and surface damage. In this study, it is aimed to improve the performance by decreasing the current leakage by pretreatments made before the passivation layer deposition of the HEMTs. The AlGaN/GaN epitaxial HEMT structure is grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) system. In the fabrication step, photomask and maskless patterning process, physical and chemical etching, metal coating, passivation layer deposition were done. Dry plasma pretreatments including SF6 and O2, CF4 and O2, NH3, N2 gases and wet chemical pretreatment of buffer oxide etchant (BOE) were applied to reduce surface defects, traps and damage. Characterization was carried out both before pre-treatment and after pre-treatment. As a result of DC measurements and gate lag measurements, it has been shown that the reduction of gate and drain current leaks are provided by nitrogen containing plasma pretreatments.

Benzer Tezler

  1. İlahi dinlerde günah

    Sin in divine religions

    HİLAL GÜVEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Dinİnönü Üniversitesi

    Felsefe ve Din Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ABDULKADİR KIYAK

  2. Sanatta günah ve arınma

    Sin and purification in art

    BEATA ROSTAS

    Sanatta Yeterlik

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Güzel SanatlarHacettepe Üniversitesi

    Heykel Ana Sanat Dalı

    PROF. TURHAN ÇETİN

  3. Endüstriyel yapı tasarımında H başlıklı profiller ile ondülin gövdeli profillerin karşılaştırılması

    The comparison of H-profile with corrugated web beam, in industrial building design

    HATİCE GÖKŞEN GÖKNUR GÖNEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Mühendislik BilimleriKocaeli Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. FUAD OKAY

  4. Konya ili atıksu arıtma tesisi risk değerlendirmesi

    Risk assessment of wastewater treatment plant in Konya

    ÖMER ULUTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Çevre MühendisliğiKonya Teknik Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ GÜLNİHAL KARA

  5. Sin Şamaş düalitesi ve dinlerdeki yansıması

    Sin Shamash duality and it's reflection on the religions

    NURGÜL ÇELEBİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    DinAnkara Üniversitesi

    Felsefe ve Din Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAKİ ADAM