Geri Dön

Gase ince filmlerinin büyütülmesi ve fiziksel özelliklerinin araştırılması

Growth of gase thin films and investigation of their physical properties

  1. Tez No: 246323
  2. Yazar: MURAT DÖNMEZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HASAN MAMMADOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: GaSe, CBD, M-CBD, Güneş pilleri, İnce film
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kafkas Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 111

Özet

Bu çalışmada GaSe ince filmleri, Modifiye Kimyasal Banyo Depolama Yöntemi kullanılarak farklı alt tabanlar üzerinde elde edildi. GaSe, III-VI tabakalı yarıiletken ailesine mensuptur. Geniş yasak enerji aralığından dolayı GaSe kristali, optoelektronikte ve fotovoltaik aygıt üretiminde oldukça önemlidir. Büyütme metotları arasında Kimyasal Banyo Depolama Yöntemi (CBD) ve Modifiye Kimyasal Banyo Depolama Yöntemi (M-CBD), filmleri büyütmek için düşük maliyet, kısa zaman gibi üstün özelliklerinden dolayı oldukça tercih edilmektedir ve bu teknik kullanılarak filmlerin büyütülmesi diğerlerine göre kolaydır.Bu yöntem, bir kimyasal çözeltiden depolama tekniğidir. Bu teknik, yarıiletken filmlerin her bir elementinin iyonlarını içeren çözeltiler içerisine, belli bir sıra ile taban malzeme daldırılarak, taban üzerine depolanmasıdır.GaSe ince filmleri, 80 daldırma döngüsü kullanılarak 75mm 26mm 2mm boyutlu cam alt tabanlar üzerinde elde edildi. GaSe ince filminin kalınlığı 0,9 bulundu. Filmlerin yüzey morfolojik ve elektriksel özellikleri sırasıyla Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve iki nokta prob yöntemi kullanılarak incelendi. GaSe ince filminin SEM görüntüsünden, filmin GaSe nano-parçacıklarından oluşan adacıklardan meydana geldiği gözlemlendi. GaSe ince filmi p-tipi iletkenlik gösterdi. Filmlerin optiksel özellikleri, UV spektrometre cihazıyla ölçüldü. Soğurma spektrumundan filmlerin optiksel bant aralığı 1,87 eV olarak bulundu. İnce filmlerin yapısal karakterizasyonu, X-ışını kırınım (XRD) analizi ile belirlendi. XRD analizinden GaSe ince filminin, amorf olduğu görüldü. Ga ve Se'nin doğal birleşim oranı, enerji yayıcı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile belirlendi. İnce filmin bileşimi Ga0,06Se0,03 olarak bulundu.

Özet (Çeviri)

In this study, GaSe thin films were obtained on different substrates by using Modified Chemical Bath Deposition Technique. GaSe belongs to III-VI layered semiconductor family. Because of its wide band gap, GaSe crystal is important in optoelectronics and photovoltaic device fabrication. Chemical Bath Deposition Technique (CBD) and Modified Chemical Bath Deposition Technique (M-CBD) have been rather used because of the superior properties such as low cost, shorter times to grow films and it is relatively easy to grow films using this technique.This method is a deposition technique from a chemical solution. In this technique, the semiconducting film are deposited on the substrate by inserting the substrate into the solutions containing the ions of each element in sequence.GaSe thin films were obtained on glass substrates of 75mm 26mm 2mm dimension using 80 insertion cycles. The thickness of GaSe thin film is found to be 0,9 . Surface morphological and electrical properties of the thin films were investigated by scanning electron microscopy and two point probe method, respectively. From the SEM images of GaSe thin film, it is observed that the thin films are composed of islands which are containing GaSe nanoparticles. GaSe thin film exhibited p-type electrical conductivity. Optical properties of the films were measured by using UV spectrometer. From the absorption spectrum, the optical band gap of the films was found to be 1,87 eV. The structural characterization of the thin films was determined by X-ray diffraction (XRD) analysis. From the XRD analysis, GaSe thin film was shown to be amorphous. The ratio of Ga and Se elemental composition was determined by energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The composition of the thin film was found to be Ga0,06Se0,03.Key Words : GaSe, CBD, M-CBD, Solar cells, Thin film

Benzer Tezler

  1. Kimyasal depolama yöntemi ile MoSe2 ince filmlerin alınması ve fiziksel özelliklerinin araştırılması

    Growth of MoSe2 thin films by chemical deposition and investigation of their physical properties.

    ÖZER BOZDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. HASAN MAMMADOV

  2. GaSe ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde sılar yöntemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization ofGaSe thin films by SILAR method on different substrates

    YUNUS ALKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

  3. InSe ince filmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde büyütülmesi ve optik, yapısal, fotoelektrik özelliklerinin araştırılması

    Growth of InSe thin films on different substrates and investigation of optical, structural, photoelectrical properties

    FATİH ÜNAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN MAMMADOV

  4. CDS incefilmlerinin farklı alt tabanlar üzerinde CBD yöntemiyle büyütülmesi ve yapısal, optik, fotoelektik özelliklerinin araştırılması

    The investigation of structural, optical and optoelectronical properties of CDS thin films which are deposited on different substrates by CBD method

    GÖKHAN BARİKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

  5. Kurşun sülfür (PbS) ince filmlerinin farklı tabanlar üzerinde büyütülmesi ve özelliklerinin araştırılması

    The investigation of properties of lead sülfide (PbS) thin films deposited on different substrute

    ADEM AKKUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN MAMMADOV