Geri Dön

500MHz-2GHz broadband power amplifier design by non-linear modeling methods

Doğrusal olmayan modelleme yöntemiyle 500MHz-2GHZ geniş bantlı güç yükselteç tasarımı

  1. Tez No: 252934
  2. Yazar: GÖKALP ÜNAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YAHYA KEMAL BAYKAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Çankaya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 172

Özet

Bu tez 500MHz-2GHz genis bantlı RF güç yükseltecin tasarım yöntemlerinigöstermektedir. ?lk olarak, RF güç transistör teknolojileri arastırıldı ve içlerindençalısma bandına, en yüksek çıkıs gücüne, verimliliğine ve fiyatına göre en uygunolanı seçildi. Güç yükselteç iki asama olacak sekilde tasarlandı ve bu iki asamadada RF güç transistörü olarak LDMOS teknolojisi kullanıldı. Benzetimde LDMOSelemanları için yüksek sinyal modelleri kullanıldı ve ölçüm sonuçlarına görebenzetimdeki devre doğrusal olmayan durumda modellenmeye çalısıldı. ?stenenbantta yüksek doğru akım yalıtımı ve düsük RF kaybı elde edebilmek için yeni birteknik ile genis bantlı RF yüksek frekans söndürme bobini yapısı gelistirildi. Bütünbanttaki gereksinimleri sağlamak için giris ve çıkıs uyumlama devreleri ve paralelgeri besleme yapısı kullanıldı. 500MHz-2GHz bandının büyük bir kısmında, tipikdeğerler olarak 20dB güç kazancı ve 37dBm çıkıs gücü elde edildi.

Özet (Çeviri)

This thesis presents the design methods of 500MHz-2GHz broadband RF poweramplifier. First of all, RF power transistor technologies are searched and the mostsuitable one is chosen according to its operation of frequency band, maximumoutput power, efficiency and cost features. The amplifier is designed as it has twostages, and in both stages LDMOS transistor technology is used as RF powertransistors. Large signal models for the LDMOS devices are used in simulation, andaccording to the measurement results, the circuitry in simulation is tried to model atnonlinear conditions. A broadband RF-Choke structure with a new technique isdeveloped to obtain high DC isolation and low RF loss over the desired bandwidth.Input and output matching networks and shunt feedback topology are introduced tofulfill the bandwidth requirements. Typical values of 20dB power gain, 37dBmoutput power, have been achieved at the most part of the frequency band of500MHz-2GHz.

Benzer Tezler

  1. Baryum magnezyum tantalat seramiklerinin dielektrik özelliklerine nadir toprak elementlerinin etkileri

    The effects of rare earth elements on dielectric properties of barium magnesium tantalate ceramics

    BERHAN ŞENER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK

  2. Bazı endüstriyel malzemelerin mikrodalga dielektrik sabitinin ölçülmesi

    Başlık çevirisi yok

    KAYHAN GÖVER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ OKTAY

  3. Microwave imaging of brain strokes

    Beyin kanamalarının mikrodalga görüntülenmesi

    İSMAİL DİLMAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ÇAYÖREN

  4. Arhavi yöresinde çaylık ve fındıklık alanlardaki toprak kayması içeriğinin yer radarı yöntemi ile incelenmesi

    Investigating soil conten of landslide in tea and hazelnut farms in Arhavi region (Turkey) using ground penetrating radar

    CANER SATIRAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Ormancılık ve Orman MühendisliğiArtvin Çoruh Üniversitesi

    Orman Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET YAVUZ

  5. Electronic controlled vertical integration directional coupler design with artificial neural networks for dual band application

    Dual band uygulaması için yapay sinir ağları ile elektronik kontrollü dikey entegrasyon yönlü bağlayıcı tasarımı

    HACER DANACI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MERİH PALANDÖKEN