500MHz-2GHz broadband power amplifier design by non-linear modeling methods
Doğrusal olmayan modelleme yöntemiyle 500MHz-2GHZ geniş bantlı güç yükselteç tasarımı
- Tez No: 252934
- Danışmanlar: PROF. DR. YAHYA KEMAL BAYKAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Çankaya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 172
Özet
Bu tez 500MHz-2GHz genis bantlı RF güç yükseltecin tasarım yöntemlerinigöstermektedir. ?lk olarak, RF güç transistör teknolojileri arastırıldı ve içlerindençalısma bandına, en yüksek çıkıs gücüne, verimliliğine ve fiyatına göre en uygunolanı seçildi. Güç yükselteç iki asama olacak sekilde tasarlandı ve bu iki asamadada RF güç transistörü olarak LDMOS teknolojisi kullanıldı. Benzetimde LDMOSelemanları için yüksek sinyal modelleri kullanıldı ve ölçüm sonuçlarına görebenzetimdeki devre doğrusal olmayan durumda modellenmeye çalısıldı. ?stenenbantta yüksek doğru akım yalıtımı ve düsük RF kaybı elde edebilmek için yeni birteknik ile genis bantlı RF yüksek frekans söndürme bobini yapısı gelistirildi. Bütünbanttaki gereksinimleri sağlamak için giris ve çıkıs uyumlama devreleri ve paralelgeri besleme yapısı kullanıldı. 500MHz-2GHz bandının büyük bir kısmında, tipikdeğerler olarak 20dB güç kazancı ve 37dBm çıkıs gücü elde edildi.
Özet (Çeviri)
This thesis presents the design methods of 500MHz-2GHz broadband RF poweramplifier. First of all, RF power transistor technologies are searched and the mostsuitable one is chosen according to its operation of frequency band, maximumoutput power, efficiency and cost features. The amplifier is designed as it has twostages, and in both stages LDMOS transistor technology is used as RF powertransistors. Large signal models for the LDMOS devices are used in simulation, andaccording to the measurement results, the circuitry in simulation is tried to model atnonlinear conditions. A broadband RF-Choke structure with a new technique isdeveloped to obtain high DC isolation and low RF loss over the desired bandwidth.Input and output matching networks and shunt feedback topology are introduced tofulfill the bandwidth requirements. Typical values of 20dB power gain, 37dBmoutput power, have been achieved at the most part of the frequency band of500MHz-2GHz.
Benzer Tezler
- Baryum magnezyum tantalat seramiklerinin dielektrik özelliklerine nadir toprak elementlerinin etkileri
The effects of rare earth elements on dielectric properties of barium magnesium tantalate ceramics
BERHAN ŞENER
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NURİ SOLAK
- Bazı endüstriyel malzemelerin mikrodalga dielektrik sabitinin ölçülmesi
Başlık çevirisi yok
KAYHAN GÖVER
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ OKTAY
- Microwave imaging of brain strokes
Beyin kanamalarının mikrodalga görüntülenmesi
İSMAİL DİLMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET ÇAYÖREN
- Arhavi yöresinde çaylık ve fındıklık alanlardaki toprak kayması içeriğinin yer radarı yöntemi ile incelenmesi
Investigating soil conten of landslide in tea and hazelnut farms in Arhavi region (Turkey) using ground penetrating radar
CANER SATIRAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Ormancılık ve Orman MühendisliğiArtvin Çoruh ÜniversitesiOrman Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET YAVUZ
- Electronic controlled vertical integration directional coupler design with artificial neural networks for dual band application
Dual band uygulaması için yapay sinir ağları ile elektronik kontrollü dikey entegrasyon yönlü bağlayıcı tasarımı
HACER DANACI
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİzmir Katip Çelebi ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MERİH PALANDÖKEN