Geri Dön

Growth and characterization of CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) thin films for solar cell structures

Güneş pili yapıları için CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu

  1. Tez No: 255245
  2. Yazar: İDRİS CANDAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. A. ÇİĞDEM ERÇELEBİ, PROF. DR. MEHMET PARLAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 95

Özet

Yenilenebilir enerji kaynakları arasında en güçlü ve sonsuz olan güneş enerjisinin fotovoltaik aygıtlar ile doğrudan elektrik enerjisine dönüştürülebilmesi, bu yolla enerji ihtiyacının karşılanabilmesinin yolunu açmış, ucuz ve yüksek verimli güneş pillerinin elde edilmesine yönelik Ar-Ge çalışmaları önem kazanmıştır. İnce film yarıiletken malzemeler kullanılarak üretilen fotovoltaik aygıtlar, esnek tabanlar üzerine, daha az malzeme ve ucuz yöntemlerle elde edilebilme özelliklerinden ötürü yoğun olarak çalışılan, güncel araştırma konusudur. Fotovoltaik aygıtlar için ince filmleri değişik yöntemler kullanarak elde etmek mümkün olmaktadır.Bu çalışmada CuIn1-x GaxSe2 ( CIGS ) yarıiletken ince filmlerin ısısal ve elektron demeti buharlaştırma teknikleri kullanılarak elde edilmesi, güneş pili yapıları için gerekli malzeme özelliklerinin araştırılması amaçlanmaktadır. Üretilen filmlerin karakterize edilerek özelliklerinin güneş pili uygulamaları için optimize edilmesi, çalışmanın amaçları arasındadır. Üretilmis CIGS filmlerin yapısal özellikleri X-ışını kırınımı ve enerji dağılımlı X-ışınları analizi yöntemleri ile incelendi. Sıcaklık bağımlı elektriksel iletkenlik, Hall etkisi ve fotoiletkenlik ölçümleri 100 ile 400 K aralığında yapıldı. Filmlerin optik karakterizasyonu için 325-900 nanometre dalgaboyu aralığında geçirgenlik ölçümleri gerçekleştirildi. CIGS ince filmlerde yapı, elektrik ve optik özelliklerin üretim sonrası uygulanan ısıl işlem ile değişimi de çalışıldı

Özet (Çeviri)

Direct conversion of solar energy, which is the most powerful and unlimited one among the renewable energy sources; into the electrical energy by the photovoltaic devices, is a promising way of meeting the energy needs of future. Thin film semiconductor materials show great promise for the production of efficient, low-cost solar cell devices. Recently advanced research on thin film photovoltaics in all aspects, has attracted intense attention. Thin film semiconductors for the photovoltaic applications are deposited in large areas by different methods.In this study, deposition and characterization of CuIn1-x GaxSe2 ( CIGS ) semiconductor thin films by thermal evaporation and e-beam evaporation methods were investigated. Material properties and deposition parameters of the thin films are aimed to be optimized for solar cell applications. Structural properties of the deposited CIGS thin films were examined through X-ray diffraction and Energy Dispersive X-ray Analysis. The temperature dependent electrical conductivity, Hall effect and photoconductivity of these samples have been measured between 100 and 400 K. For the optical characterization of CIGS thin films, the transmission measurements have been carried out in the wavelength region of 325-900 nm. The changes in the structural, electrical and optical properties of samples through post-depositional annealing effect were also analyzed.

Benzer Tezler

  1. Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect

    Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi

    ŞENGÜL AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  2. CuIn0.7Ga0.3(Se(1-x)Tex)2 ince filmlerin üretimi, yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    The production of CuIn0.7Ga0.3(Se(1-x)Tex)2 thin films, analyzing of the structural, morphological and optical properties

    SONGÜL FİAT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜVEN ÇANKAYA

  3. Manyetik geçiş elementiyle katkılanmış germanyum yarı iletkenlerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of germanium semiconductors doped with magnetic transition metals

    AYKUT CAN ÖNEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN

  4. Silisyum ve germanyum nanoçubukların elektron demeti buharlaştırma sistemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu.

    Growth and characterization of silicon and germanium nanorods by electron beam deposition

    MEHMET KARAKIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN

  5. Fe ve AI ortak katkılı Zn0.95Mn0.05O ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of Fe and AI co-doped Zn0.95Mn0.05O thin films

    MEHMET YILDİRİM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YUNUS BABUR