Geri Dön

Growth and characterization of Ge thin films

Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi

  1. Tez No: 68602
  2. Yazar: ATEF QASRAWİ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Ge ince Filmi, Büyütme, Tasiyici Sicakliği, Hail Etkisi, İletkenlik, Isı Yükünsel Salınım, Hoplama
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

öz Ge İNCE FİLMLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZE EDİLMESİ Qasrawi, Atef Fayez Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. İbrahim Günal Ocak 1997, 86 sayfa Ge ince filmleri cam taşıyıcılar üzerine, vakum altında ısısal buharlaştırma ile 25°C-400 °C arasında değişen taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülmüş ve bu filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında amorf filmler elde edilmiş olup, yüksek taşıyıcı sıcaklıkları daha iyi düzenlenmiş ve daha büyük kristalcikler oluşturarak çok örütlü bir yapıya neden olmaktadır. Elektriksel öz direncin oda sıcaklığındaki değeri, taşıyıcı sıcaklığının 25 °C den 400 °C ye artması ile 12 Om den 10-4 fim' ye düşmektedir. 30-320 K arasında, iletkenliğin sıcaklık bağımlılığının incelenmesinden, iletkenliğin sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. oT1/2' nin T1/4 bağımlılığı ve hesaplanan Mott parametrelerinin kabul edilebilir değerlere sahip olmasına dayanarak, 120 K' nin altındaki sıcaklıklardaki iletkenliğin değişken erimli hoplama şeklinde olduğu söylenebilir.Daha yüksek sıcaklıklarda elektriksel iletkenliğin ısın yükünsel salınım modeli ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği bulunmuştur. Filmler p-tipi iletkenlik göstermektedirler. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülen amorf filmlerdeki deşik yoğunluğu az olup 10 m* civarındadır, yüksek taşıyıcı sıcaklığında büyütülen filmler ise 10 m" yüksek deşik yoğunluğuna sahiptir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION of GERMANIUM THIN FILMS Qasrawi, Atef Fayez M. S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ibrahim Gûnal January 1997, 86 pages Ge thin films on glass substrates were grown by thermal evaporation in vacuum, at various substrate temperatures in between 25°C to 400°C, structural and electrical properties of the films were investigated. At low substrate temperatures, amorphous films were obtained. The growth at elevated temperatures results in better oriented larger crystallites yielding a polycrystalline structure. The electrical resistivity at room temperature was found to decrease from 12 to 10“4 Q.m as the substrate temperature increases from 25 to 400°C. From the analysis of the temperature dependence of conductivity in the range 30-420 K, it was found that the conductivity increases with temperature. From the Tm dependence of &TV2 obtained and the reasonable values of the calculated Mott parameters, conduction below 120 K is attributed to variable-range hopping for most of the samples. At higher temperatures thermionic emission model was found to describe satisfactorily the electrical conduction. The films were found to exhibit p-type conductivity. Amorphous thin films at low substrate temperatures have low hole concentration of about 1020 m”3, while polycrystalline films grown at high substrate temperatures have hole concentration in the order of 1025 m"3. mKEYWORDS: Ge thin films, Growth, Substrate Temperature, Hall Effect, Conduction, Thermionic Emission, Tunneling, Hopping IV

Benzer Tezler

  1. Tez No

    351955

    Manyetik geçiş elementiyle katkılanmış germanyum yarı iletkenlerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Growth and characterization of germanium semiconductors doped with magnetic transition metals

    AYKUT CAN ÖNEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN

  2. Tez No

    255245

    Growth and characterization of CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) thin films for solar cell structures

    Güneş pili yapıları için CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu

    İDRİS CANDAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  3. Tez No

    398016

    Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect

    Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi

    ŞENGÜL AKYOL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  4. Tez No

    382348

    Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN

  5. Tez No

    222805

    Germanium alloys for optoelectronic devices

    Optoelektronik aygıtlar için germanyum bileşikleri

    AYŞE ERBİL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. ATİLLA AYDINLI

Geri Dön