Growth and characterization of Ge thin films
Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi
- Tez No: 68602
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Ge ince Filmi, Büyütme, Tasiyici Sicakliği, Hail Etkisi, İletkenlik, Isı Yükünsel Salınım, Hoplama
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
öz Ge İNCE FİLMLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZE EDİLMESİ Qasrawi, Atef Fayez Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. İbrahim Günal Ocak 1997, 86 sayfa Ge ince filmleri cam taşıyıcılar üzerine, vakum altında ısısal buharlaştırma ile 25°C-400 °C arasında değişen taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülmüş ve bu filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında amorf filmler elde edilmiş olup, yüksek taşıyıcı sıcaklıkları daha iyi düzenlenmiş ve daha büyük kristalcikler oluşturarak çok örütlü bir yapıya neden olmaktadır. Elektriksel öz direncin oda sıcaklığındaki değeri, taşıyıcı sıcaklığının 25 °C den 400 °C ye artması ile 12 Om den 10-4 fim' ye düşmektedir. 30-320 K arasında, iletkenliğin sıcaklık bağımlılığının incelenmesinden, iletkenliğin sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. oT1/2' nin T1/4 bağımlılığı ve hesaplanan Mott parametrelerinin kabul edilebilir değerlere sahip olmasına dayanarak, 120 K' nin altındaki sıcaklıklardaki iletkenliğin değişken erimli hoplama şeklinde olduğu söylenebilir.Daha yüksek sıcaklıklarda elektriksel iletkenliğin ısın yükünsel salınım modeli ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği bulunmuştur. Filmler p-tipi iletkenlik göstermektedirler. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülen amorf filmlerdeki deşik yoğunluğu az olup 10 m* civarındadır, yüksek taşıyıcı sıcaklığında büyütülen filmler ise 10 m" yüksek deşik yoğunluğuna sahiptir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION of GERMANIUM THIN FILMS Qasrawi, Atef Fayez M. S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ibrahim Gûnal January 1997, 86 pages Ge thin films on glass substrates were grown by thermal evaporation in vacuum, at various substrate temperatures in between 25°C to 400°C, structural and electrical properties of the films were investigated. At low substrate temperatures, amorphous films were obtained. The growth at elevated temperatures results in better oriented larger crystallites yielding a polycrystalline structure. The electrical resistivity at room temperature was found to decrease from 12 to 10“4 Q.m as the substrate temperature increases from 25 to 400°C. From the analysis of the temperature dependence of conductivity in the range 30-420 K, it was found that the conductivity increases with temperature. From the Tm dependence of &TV2 obtained and the reasonable values of the calculated Mott parameters, conduction below 120 K is attributed to variable-range hopping for most of the samples. At higher temperatures thermionic emission model was found to describe satisfactorily the electrical conduction. The films were found to exhibit p-type conductivity. Amorphous thin films at low substrate temperatures have low hole concentration of about 1020 m”3, while polycrystalline films grown at high substrate temperatures have hole concentration in the order of 1025 m"3. mKEYWORDS: Ge thin films, Growth, Substrate Temperature, Hall Effect, Conduction, Thermionic Emission, Tunneling, Hopping IV
Benzer Tezler
- Manyetik geçiş elementiyle katkılanmış germanyum yarı iletkenlerinin büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of germanium semiconductors doped with magnetic transition metals
AYKUT CAN ÖNEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN
- Growth and characterization of CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) thin films for solar cell structures
Güneş pili yapıları için CuIn1-x GaxSe2 (CIGS) ince filmlerin büyütülmesi ve karakterizasyonu
İDRİS CANDAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Growth and characterization of sol-gel derived Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films and beta irradiation effect
Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) ince filmlerin sol-jel tekniğiyle büyütülmesi, karakterizasyonu ve beta ışınlarının etkisinin incelenmesi
ŞENGÜL AKYOL
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications
Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu
AYŞE KARAGÖZ
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik BilimleriÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN
- Germanium alloys for optoelectronic devices
Optoelektronik aygıtlar için germanyum bileşikleri
AYŞE ERBİL
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI