Geri Dön

Metal-yarıiletken kontaklarda kapasitenin arayüzey hallerine bağlı incelenmesi

Investigation of capaticance in metal-semiconductor contacts according to interface states

  1. Tez No: 258662
  2. Yazar: HİKMET BOZKURT
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Sığa, Arayüzey halleri, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Schottky kontak, Capacitance, Interface states, Ideality factor, Barrier height, Schottky contact
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Biz bu çalışmada, Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Yoğun Madde Fiziği Araştırma Laboratuarında Cu/p-Si Schottky kontakları ürettik. Bu kontakları diyot 1,diyot 2, diyot 3, ve diyot 4 olarak isimlendirdik. Numunelerin Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj (C-V) ve Kapasite-frekans ( C-f) ölçümleri yukarıda bahsedilen laboratuarda, oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Diyotların idealite faktörü (n) değerleri ve engel yüksekliği (?b) değerleri doğru belsem I-V karakteristikleri kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin doğruluğunu kontrol etmek için hesaplamalar Cheung Fonksiyonları kullanılarak tekrar yapıldı. İlave olarak kontakların seri direnç değerleri yine Cheung Fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Numunelerin idealite faktörü (n) değerlerinin 1'den büyük olması arayüzey tabakasına ve arayüzey durumlarına atfedildi.C-f grafiklerinden, kapasite değerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. C-f grafiklerinden gözlenen düşük frekanslardaki yüksek kapasite değerleri, arayüzey hallerinden kaynaklanan bir artık sığaya işaret etmektedir. Diğer taraftan, C-f grafiklerinden gözlenen, yüksek frekanslardaki düşük kapasite değerleri arayüzey hallerinin yüksek frekanslarda ac sinyalini takip edememesine atfedilebilir.

Özet (Çeviri)

In this study, we have fabricated the Cu/p-Si Schottky contacts in the condensed Matter Physics Research Laboratory of Physics Department of the Yuzuncu Yıl University. We have named the contacts as diod 1, diod 2, diod 3, and diod 4. The Current-Voltage (I-V), Capacitance ? Voltage (C-V) and Capacitance ? frequency (C-f) measurements of the samples were carried out in the same laboratory mentioned above at room temperature and in dark. The values of ideality factor (n) and barier height (?b) were calculated by using forward bias I-V characteristics. To check the accuracy of the calculated values the calculations were repeated by using Cheungs? Functions. In addition, the values of the series resistance were also estimated by using Cheungs? Functions. The situation that the values of the ideality factor (n) were determined as to be greater than 1 was attributed interface layer and interface states.From the C-f plots, the capacitance values decrease with increasing frequency was observed. At the low frequencies, high capacitance values observed from C-f plots point out excess capacitance resulted from interface states. On the other hand, at the high frequencies, low capacitance values observed from C-f plots can be attributed the interface states can not follow ac signals at high frequencies.

Benzer Tezler

  1. Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

    Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures

    MURAT SOYLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. BAHATTİN ABAY

  2. Sn/PPy/n-Si/Au-Sb yapının bazı karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı akım-voltaj, kapasite-voltaj ve kapasite-frekans ölçümlerinden tayin edilmesi

    Determining the some characteristic parameters of Sn/PPy/n-Si/Au-Sb structure from current-voltage, capacitance-voltage and capacitance-frequency measurements as a function of temperature

    ŞAKİR AYDOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM

  3. Functionalization of carbon nanotubes

    Karbon nanotüplerinin fonksiyonelleştirilmesi

    SEFA DAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. SALİM ÇIRACI

  4. III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi

    The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds

    YILDIRIM AYDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET CEYLAN

  5. Production and characterization of nanocrystalline CIGS thin film devices and neutron irradiation effects on its structural and electrical properties

    Nanokristal CIGS yarı iletken aygıtların üretimi ve karakterizasyonu ve nötron ışınlamanın yapısal ve elektiriksel özelliklerine etkisi

    SALMAN AJEEL ALI AL-SAEDI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ