Metal-yarıiletken kontaklarda kapasitenin arayüzey hallerine bağlı incelenmesi
Investigation of capaticance in metal-semiconductor contacts according to interface states
- Tez No: 258662
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Sığa, Arayüzey halleri, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Schottky kontak, Capacitance, Interface states, Ideality factor, Barrier height, Schottky contact
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Biz bu çalışmada, Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Yoğun Madde Fiziği Araştırma Laboratuarında Cu/p-Si Schottky kontakları ürettik. Bu kontakları diyot 1,diyot 2, diyot 3, ve diyot 4 olarak isimlendirdik. Numunelerin Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj (C-V) ve Kapasite-frekans ( C-f) ölçümleri yukarıda bahsedilen laboratuarda, oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Diyotların idealite faktörü (n) değerleri ve engel yüksekliği (?b) değerleri doğru belsem I-V karakteristikleri kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin doğruluğunu kontrol etmek için hesaplamalar Cheung Fonksiyonları kullanılarak tekrar yapıldı. İlave olarak kontakların seri direnç değerleri yine Cheung Fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Numunelerin idealite faktörü (n) değerlerinin 1'den büyük olması arayüzey tabakasına ve arayüzey durumlarına atfedildi.C-f grafiklerinden, kapasite değerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. C-f grafiklerinden gözlenen düşük frekanslardaki yüksek kapasite değerleri, arayüzey hallerinden kaynaklanan bir artık sığaya işaret etmektedir. Diğer taraftan, C-f grafiklerinden gözlenen, yüksek frekanslardaki düşük kapasite değerleri arayüzey hallerinin yüksek frekanslarda ac sinyalini takip edememesine atfedilebilir.
Özet (Çeviri)
In this study, we have fabricated the Cu/p-Si Schottky contacts in the condensed Matter Physics Research Laboratory of Physics Department of the Yuzuncu Yıl University. We have named the contacts as diod 1, diod 2, diod 3, and diod 4. The Current-Voltage (I-V), Capacitance ? Voltage (C-V) and Capacitance ? frequency (C-f) measurements of the samples were carried out in the same laboratory mentioned above at room temperature and in dark. The values of ideality factor (n) and barier height (?b) were calculated by using forward bias I-V characteristics. To check the accuracy of the calculated values the calculations were repeated by using Cheungs? Functions. In addition, the values of the series resistance were also estimated by using Cheungs? Functions. The situation that the values of the ideality factor (n) were determined as to be greater than 1 was attributed interface layer and interface states.From the C-f plots, the capacitance values decrease with increasing frequency was observed. At the low frequencies, high capacitance values observed from C-f plots point out excess capacitance resulted from interface states. On the other hand, at the high frequencies, low capacitance values observed from C-f plots can be attributed the interface states can not follow ac signals at high frequencies.
Benzer Tezler
- Au/n-InP ve Au/Pyronine-B/n-InP Schottky yapıların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependence of electrical characteristics of Au/n-InP and Au/Pyronine-B/n-InP Schottky structures
MURAT SOYLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. BAHATTİN ABAY
- Sn/PPy/n-Si/Au-Sb yapının bazı karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı akım-voltaj, kapasite-voltaj ve kapasite-frekans ölçümlerinden tayin edilmesi
Determining the some characteristic parameters of Sn/PPy/n-Si/Au-Sb structure from current-voltage, capacitance-voltage and capacitance-frequency measurements as a function of temperature
ŞAKİR AYDOĞAN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Functionalization of carbon nanotubes
Karbon nanotüplerinin fonksiyonelleştirilmesi
SEFA DAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. SALİM ÇIRACI
- III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi
The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds
YILDIRIM AYDOĞDU
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CEYLAN
- Production and characterization of nanocrystalline CIGS thin film devices and neutron irradiation effects on its structural and electrical properties
Nanokristal CIGS yarı iletken aygıtların üretimi ve karakterizasyonu ve nötron ışınlamanın yapısal ve elektiriksel özelliklerine etkisi
SALMAN AJEEL ALI AL-SAEDI
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ