Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures
- Tez No: 268862
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADNAN TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Bu çalışmada, Au/SnO2/n-Si (MIS) yapının, frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkileri dikkate alınarak, sırasıyla 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Nss ve Rs değerlerinin önemli ölçüde frekans ve sıcaklığa bağlı olduğu tespit edildi. Seri direnç hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans (Cm) ve iletkenlik (Gm/w) değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken arasındaki arayüzey yalıtkan tabaka kalınlığı, seri direnç ve arayüzey durumları MIS yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Elektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Seri direnç; Arayüzey durumlar
Özet (Çeviri)
In this study, the frequency and temperature dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of the Au/SnO2/n-Si (MIS) structure were investigated by considering series resistance (Rs) and interface state (Nss) effects in the frequency and temperature ranges of 100 Hz-1 MHz and 100-400 K, respectively. The values of Nss and Rs were determined to be strongly dependent on the frequency and temperature. The series resistance decreases both with increasing frequency and with increasing temperature. Also, the measured capacitance (Cm) and conductance (Gm/w) values were corrected for the effect of series resistance to obtain the real capacitance and conductance of MIS structure. Experimental results show that an interfacial insulator layer thickness between metal and semiconductor, series resistance and interface states play an important role on the electrical characteristics of MIS structure.Key Words : MIS structures; Electric properties; Frequency and temperature dependence; Series resistance; Interface states
Benzer Tezler
- Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature
FUNDA PARLAKTÜRK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures
FATİH YİĞİTEROL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ
- Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi
Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure
AYŞE EVRİM SAATCİ
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları
The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses
ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR