Geri Dön

Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures

  1. Tez No: 268862
  2. Yazar: FARUK KİRAZOĞLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ADNAN TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Bu çalışmada, Au/SnO2/n-Si (MIS) yapının, frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkileri dikkate alınarak, sırasıyla 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Nss ve Rs değerlerinin önemli ölçüde frekans ve sıcaklığa bağlı olduğu tespit edildi. Seri direnç hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans (Cm) ve iletkenlik (Gm/w) değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken arasındaki arayüzey yalıtkan tabaka kalınlığı, seri direnç ve arayüzey durumları MIS yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Elektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Seri direnç; Arayüzey durumlar

Özet (Çeviri)

In this study, the frequency and temperature dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of the Au/SnO2/n-Si (MIS) structure were investigated by considering series resistance (Rs) and interface state (Nss) effects in the frequency and temperature ranges of 100 Hz-1 MHz and 100-400 K, respectively. The values of Nss and Rs were determined to be strongly dependent on the frequency and temperature. The series resistance decreases both with increasing frequency and with increasing temperature. Also, the measured capacitance (Cm) and conductance (Gm/w) values were corrected for the effect of series resistance to obtain the real capacitance and conductance of MIS structure. Experimental results show that an interfacial insulator layer thickness between metal and semiconductor, series resistance and interface states play an important role on the electrical characteristics of MIS structure.Key Words : MIS structures; Electric properties; Frequency and temperature dependence; Series resistance; Interface states

Benzer Tezler

  1. Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature

    FUNDA PARLAKTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Au/Si3N4/4H n-SiC (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Au/Si3N4/4H n-SiC (MIS) stuctures

    FATİH YİĞİTEROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHitit Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DİLBER ESRA YILDIZ

  4. Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  5. Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları

    The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses

    ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR