Geri Dön

GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pillerinin (QWSC) üretimi

The fabrication of GaInP and InGaAs quantum well solar cells (QWSC)

  1. Tez No: 268865
  2. Yazar: TARIK ASAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 105

Özet

Bu tez çalışması kapsamında, GaInP ve InGaAs kuantum kuyulu güneş pili (QWSC) yapıları GaAs alttaşlar üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü. Büyütülen QWSC yapıları birçok parçaya kesilerek, bazı parçalar farklı sıcaklıklarda hızlı termal tavlama (RTA) sistemi yardımıyla azot (N2) ortamında, tavlandı. Tavlanan ve tavlanmayan yapıların, yüksek çözünürlüklü X-ışınları difraksiyonu (HRXRD) ile yapısal özellikleri incelendi. Tavlama sonucunda oluşan kusurların, yapıların büyüme koşulları, kalınlıkları, indiyum oranları gibi farklı özelliklere sahip olmasına atfedildi. Tavlanmış ve tavlanmamış QWSC'lerin fabrikasyonu tamamlanarak, güneş pili için önemli olan ileri beslem karanlık, ve AM1.5G standart ışık şiddeti altında akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V ölçümleri sonucunda GaInP ve InGaAs QWSC'lerin kısa devre akımları (Isc), açık devre gerilimlari (Voc), dolum çarpanları (FF), enerji dönüşüm verimleri (?) bulundu. Tavlama işleminden önce GaInP ve InGaAs QWSC'lerin verimi 0,14 iken, tavlamadan sonra verimlerin sırasıyla 0,16 ve 0,15 olduğu görüldü ve tavlama işleminin pil verimini attırdığı sonucuna varıldı.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the GaInP and InGaAs quantum well solar cell (QWSC) structures were grown on GaAs substrates using Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique. The growth QWSC structures were cut into several pieces and some of these were annealed at different temperatures under nitrogen (N2) flow using rapid thermal annealing (RTA) system. The structural properties of the annealed and non-annealed structures were investigated using high resolution x-ray diffraction (HRXRD). The formed dislocations as a result of annealing were attributed to the different properties of samples such as growth conditions, thicknesses and indium concentrations. After the QWSC fabrication, the forward bias dark and under AM1.5G standart illumination current-voltage (I-V) measurements that is important for the solar cells were carried out. As a result of I-V measurements, the short circuit currents (Isc), open circuit voltages (Voc), fill factors (FF), energy conversion efficiencies (?) of GaInP and InGaAs QWSCs were found. The efficiencies was observed as 0,16 and 0,15 after annealing, while it was 0,14 before annealing and the thermal annealing process was discussed to increase the SC efficiency.

Benzer Tezler

  1. MWIR InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors

    MWIR InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    SAADETTİN VEYSEL BALCI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  2. Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging

    Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    ORAY ORKUN CELLEK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  3. Modelling of gain, differential gain, index change and linewidth enhancement factor for quantum well lasers

    Kuantum kuyu lazerleri için kazanç, diferensiyel kazanç, kırınım değişimini ve çizgi genişlik faktörünün modellenmesi

    SEMRA DİNDAROĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEŞİRE GÖNÜL

  4. 950-1050 nm dalgaboylu lazer kavitesinin oluşturulması

    Creation of 950-1050 nm wavelength laser cavity

    FİKRİYE EDA BULUT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DİDEM ALTUN

  5. A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission

    GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi

    MURAT ODUNCUOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL