Reliability improvement of RF MEMS devices based on lifetime measurements
RF MEMS aygıtların güvenilirliğinin yaşam süresi ölçümlerine dayalı olarak artırılması
- Tez No: 269406
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞİMŞEK DEMİR, PROF. DR. TAYFUN AKIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında belli milimetre dalga başarım ölçütlerine gore tasarlanmış parallel, sığaç değeçli RF MEMS anahtarların üretimi anlatılmıştır. Güvenilirlik ve ömür sınama testleriyle inceleme için tasarlanan anahtarlarda değişiklikler yapılmıştır.Anahtarların gerçek zamanlı başarımlarını izleyebilmek amacıyla zamana bağlı ölçüm düzeneği kurulmuş ve SG (sığaya karşılık uygulanan gerilim) grafiği ölçümü yapılabilen bir birim de SG grafiklerinin çıkarılabilmesi, aşağı çekme ve geri bırakma gerilimlerinin belirlenebilmesi ve bunlardaki kaymaların gözlenebilmesi için sisteme eklenmiştir.Kurulan düzenekle değişik hareketlendirme gerilim şekilleri uygulanarak farklı ölçüm ortamlarında güvenilirlik ve ömür sınama testleri gerçekleştirilmiştir. Ömrü uzatmak için en uygun koşulların belirlenmesinden sonra uzun vadeli denemeler yapılmış ve döngülü hareketlendirme gerilim şekli uygulamasında 885 saatlik çalışma başarımı elde edilmiştir.
Özet (Çeviri)
This thesis presents fabrication of shunt, capacitive contact type RF MEMS switches which are designed according to given mm-wave performance specifications. The designed switches are modified for investigation in terms of reliability and lifetime.To observe the real-time performance of switches a time domain measurement setup is established and a CV (capacitance vs. voltage) curve measurement system is also included to measure CV curves, pull-in and hold-down voltages and the shifts of these due to actuations.By using the established setup reliability and lifetime measurements under different bias waveforms in different environments are performed. After investigation for the most suitable condition for improving lifetime long-term tests are performed and the outstanding result of more than 885 hours of operation under cycling bias waveform is obtained.
Benzer Tezler
- Improvement in performance and reliability of gallium nitride based high electron mobility transistor (HEMT)
Galyum nitrür tabanli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörün (HEMT) performans ve güvenilirliğinde iyileştirme.
AMIR ALI JOYA
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
PROF. DR. CEYHUN BULUTAY
PROF. DR. ALİ BOZBEY
- Füze arayıcı başlığı için güvenilirlik analizi ve güvenilirlik iyileştirme çalışması
Reliability anaysis and reliability improvement for a missile seeker
EBRU ÇEVİK BAKIRLI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Savunma ve Savunma TeknolojileriBaşkent ÜniversitesiSavunma Teknolojileri ve Sistemleri Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT ÜÇÜNCÜ
- Spinal kord yaralanmalı hastalarda nörojenik bağırsak disfonksiyon skorunun Türkçe geçerlilik ve güvenirlik çalışması
Reliability and validity of Turkish version of neurogenic bowel dysfunction score in patients with spinal cord injury
DİDEM ERDEM
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2015
Fiziksel Tıp ve RehabilitasyonDokuz Eylül ÜniversitesiFiziksel Tıp ve Rehabilitasyon Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELMİN GÜLBAHAR
- Design of a wearable sensor system for artificial intelligence based motion analysis in telerehabilitation
Telerehabilitasyon amaçlı yapay zekâ tabanlı hareket analizi içingiyilebilir sensör sistemi tasarımı
AHMED ABDELWAHAB MAHGOUB HAKIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞÖLEN KUMBAY YILDIZ
PROF. DR. ATİLA YILMAZ
- Computational analyses of die-embedded microchannels for high electron mobility transistors considering thermal, hydrodynamic and structural behavior
Yüksek elektron mobiliteli transistorlara uygulanmış gömülü mikrokanal yapılarının ısıl, hidrodinamik ve yapısal davranışlarının hesaplamalı analizleri
ORÇUN YILDIZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALAEDDİN BURAK İREZ
PROF. DR. LÜTFULLAH KUDDUSİ