Geri Dön

GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu

Optical and electrical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells

  1. Tez No: 269666
  2. Yazar: HÜLYA KURU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 100

Özet

Bu çalışmada, 7-12 µm tayf bölgesini algılayabilen GaAs/AlGaAs kuantum kuyu kızılötesi foto algılayıcı olarak tasarlanan yapılar araştırıldı. Aygıt haline getirilen yapılar akım-voltaj, voltaj/sıcaklık bağımlı fotolüminesans ve fototepki ölçümleri kullanılarak incelendi.Voltaj ve sıcaklık bağımlı PL ölçümleri, yapının kuantum kuyularındaki enerji seviyelerinin belirlenmesinde kullanıldı. Farklı büyüklüklerde üretilen aygıtların akım-voltaj karakteristikleri aynı akım yoğunlukları ile sonuçlanmış ve büyütülen yapının düzgünlüğü gösterilmiştir. Fototepki ölçümleri sonucunda,3 yapının da tasarlanma amacına uygun olarak 7-12 µm tayf bölgesinde çalıştığı tespit edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, we report on the investigation of a multilayer GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector designed for 7-12 µm spectral range detection. Fabricated devices were characterized by performing current-voltage, voltage/temperature dependent photoluminescence and photoresponse measurements.The voltage and temperature dependence of photoluminescence was used to probe the energy levels of quantum wells. The current-voltage characteristics for the devices of different sizes resulted in the same current density assuring the uniformity of the grown wafers. Photoresponse measurements showed that all structures have responses at 7-12 µm spectral region as designed.

Benzer Tezler

  1. GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

    Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques

    TUĞÇE KARAKULAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  2. Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging

    Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    ORAY ORKUN CELLEK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  3. GaAS/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularında karanlık akım hesapları

    Darkcurrent calculatıons ın Gaas/AlGaAs quantum wells

    YALÇIN KITAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN YILDIRIM

  4. GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Device fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based semiconductors

    BURCU ARPAPAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  5. Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    Quantum well infrared photodetectors

    DENİZ KARTAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA HOŞTUT