GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
- Tez No: 269667
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
GaAs ve AlGaAs bileşikleri yüksek bağlanma gücü, ısıl kararlılık ve kolay katkılanabilme gibi özelliklere sahip olması nedeniyle kuantum kuyu yapılarında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaAs/AlGaAs kuantum kuyulu yapılarda, AlGaAs bileşiğindeki Al oranına bağlı olarak bariyer yüksekliği, kuyunun katkılama miktarı ve kuyu genişliği değiştirilerek kuantum kuyusunun algılama bölgesi ayarlanabilir. Bu özellikleriyle adı geçen yapılar, kızılötesi algılayıcılar için verimli ve elverişli malzemelerdir. Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs yapılarının yapısal olarak incelenmesi ve Al-Ga-As konsantrasyonlarının belirlenerek yapıya etkisinin gözlenmesi amaçlanmıştır. Moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş çoklu GaAs/AlGaAs kuantum kuyu yapıların, odaklanmış iyon demeti tekniği ile inceltilerek, taramalı geçirimli elektron mikroskobu, enerji saçılım x-ışını spektroskopisi, enerji filtreli geçirimli elektron mikroskobu ve paralel elektron enerji kaybı teknikleri kullanılarak analizi yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
GaAs and AlGaAs materials are of great interest for using in quantum well structures due to their high binding strength, thermal stability and relatively easy doping properties. In GaAs/AlGaAs quantum well structures, the spectral range can be modified by changing the Al content in AlGaAs (therefore the barrier height), quantum well doping level and the well thickness. With these properties, the abovementioned structures are suitable and efficient materials for infrared detectors. In this study, it was aimed to characterize the structural properties of GaAs/AlGaAs structures and to monitor the effect of Al-Ga-As concentrations on the structure. Multi layer GaAs/AlGaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy were thinned by using focused ion beam technique and then analyzed by means of scanning transmission electron microscopy, energy dispersive x-ray spectroscopy, energy filtering transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy techniques.
Benzer Tezler
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells
HÜLYA KURU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging
Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
ORAY ORKUN CELLEK
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- GaAS/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularında karanlık akım hesapları
Darkcurrent calculatıons ın Gaas/AlGaAs quantum wells
YALÇIN KITAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HASAN YILDIRIM
- GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Device fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based semiconductors
BURCU ARPAPAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler
Quantum well infrared photodetectors
DENİZ KARTAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA HOŞTUT