Geri Dön

GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques

  1. Tez No: 269667
  2. Yazar: TUĞÇE KARAKULAK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 83

Özet

GaAs ve AlGaAs bileşikleri yüksek bağlanma gücü, ısıl kararlılık ve kolay katkılanabilme gibi özelliklere sahip olması nedeniyle kuantum kuyu yapılarında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaAs/AlGaAs kuantum kuyulu yapılarda, AlGaAs bileşiğindeki Al oranına bağlı olarak bariyer yüksekliği, kuyunun katkılama miktarı ve kuyu genişliği değiştirilerek kuantum kuyusunun algılama bölgesi ayarlanabilir. Bu özellikleriyle adı geçen yapılar, kızılötesi algılayıcılar için verimli ve elverişli malzemelerdir. Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs yapılarının yapısal olarak incelenmesi ve Al-Ga-As konsantrasyonlarının belirlenerek yapıya etkisinin gözlenmesi amaçlanmıştır. Moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş çoklu GaAs/AlGaAs kuantum kuyu yapıların, odaklanmış iyon demeti tekniği ile inceltilerek, taramalı geçirimli elektron mikroskobu, enerji saçılım x-ışını spektroskopisi, enerji filtreli geçirimli elektron mikroskobu ve paralel elektron enerji kaybı teknikleri kullanılarak analizi yapılmıştır.

Özet (Çeviri)

GaAs and AlGaAs materials are of great interest for using in quantum well structures due to their high binding strength, thermal stability and relatively easy doping properties. In GaAs/AlGaAs quantum well structures, the spectral range can be modified by changing the Al content in AlGaAs (therefore the barrier height), quantum well doping level and the well thickness. With these properties, the abovementioned structures are suitable and efficient materials for infrared detectors. In this study, it was aimed to characterize the structural properties of GaAs/AlGaAs structures and to monitor the effect of Al-Ga-As concentrations on the structure. Multi layer GaAs/AlGaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy were thinned by using focused ion beam technique and then analyzed by means of scanning transmission electron microscopy, energy dispersive x-ray spectroscopy, energy filtering transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy techniques.

Benzer Tezler

  1. GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu

    Optical and electrical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells

    HÜLYA KURU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  2. Ensemble Monte Carlo simulation of quantum well infrared photodetectors, and InP based long wavelength quantum well infrared photodetectors for thermal imaging

    Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörlerin toplu Monte Carlo simülasyonu, ve termal görüntüleme için InP tabanlı uzun dalga boyu kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    ORAY ORKUN CELLEK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  3. GaAS/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularında karanlık akım hesapları

    Darkcurrent calculatıons ın Gaas/AlGaAs quantum wells

    YALÇIN KITAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN YILDIRIM

  4. GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu

    Device fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based semiconductors

    BURCU ARPAPAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  5. Kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler

    Quantum well infrared photodetectors

    DENİZ KARTAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA HOŞTUT