GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Device fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based semiconductors
- Tez No: 269665
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken kuantum kuyulu yapılar fotolitografi ve ıslak aşındırma yöntemi kullanılarak aygıt haline getirilmiştir. Aygıt üretimi için yarıiletken yapının üzerine aygıt tanımlamaları yapılmış, ıslak aşındırma yöntemi kullanılarak malzeme aşındırılmış ve metal kaplama işlemi sonrasında yapılar paketlenmiştir. Bu basamaklar içerisinde en önemli ve kritik basamak olan ıslak aşındırma yönteminin uygulanması sırasında en uygun karışımın bulunabilmesi için değişik asit karışımları farklı oranlarda kullanılmıştır. Aşındırılan malzemelerin yüzey ve kesit yapıları SEM (taramalı elektron mikroskobu) yöntemiyle detaylı incelenmiştir. Bu çalışmalar sonucunda yüzey kalitesi ve masatepe yapı tanımlamaları için en uygun karışımın sülfürik asit ve sitrik asit olduğu sonucuna varılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, GaAs/AlGaAs based semiconductor quantum well structures were fabricated by using photolithography and wet etching. To fabricate devices, device definitions were patterned on the wafers, etched by using wet etching, and packaged after metallization. Various acid solutions with different ratios were used to find the most suitable solution in wet etching which is the most important and the critical step of all. The surface and cross section profiles of the etched structures were investigated in details by SEM (scanning electron microscopy) technique. It has been concluded at the end of these studies that, the best surface quality and mesa definitions have been established when the sulfuric acid and citric acid solutions were used.
Benzer Tezler
- Üçüncü atmosferik pencerede (8-12 mikron) emisyon yapan LED
LED emitting in the third atmospheric window (8-12 micron)
SÜLEYMAN UMUT EKER
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA HOŞTUT
- Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Hot electron based optical sensors
FEYZA SÖNMEZ
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK
- Dual and single color mid-wavelength infrared quantum well photodetectors
Çift ve tek renkli orta dalgaboyu kızılötesi kuantum kuyulu fotodedektörler
MELİH KALDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu
Optical and electrical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells
HÜLYA KURU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN