n-GaAs üzerinde oluşturulan fecrnic schottky kapı metalli diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of schottky diodes with fecrnic gate metal fabricated on n-GaAs
- Tez No: 269687
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHATTİN ABAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Bu çalışmada, n-GaAs yarıiletkeni üzerinde ilk kez oluşturulan FeCrNiC dörtlü alaşım Schottky kapı metalli diyotlarının elektriksel karakterizasyonu yapıldı. Aynı şartlarda özdeş olarak hazırlanan 23 adet FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyodun akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ve karanlıkta ölçüldü. FeCrNiC/n-GaAs Schottky yapılarının idealite faktörü ( ), engel yüksekliği ( ) ve seri direnç ( ) gibi karakteristik parametreleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden, termiyonik emisyon teorisi kullanılarak belirlendi. Elde edilen , ve değerleri sırasıyla 1.000-1.016, 0.790-0.805 eV ve 14.497-48.423 ? aralığında değişmektedir. Ayrıca, ters beslem C-V karakteristiklerinden elde edilen engel yükseklikleri de 0.848-0.925 eV aralığındadır. Aynı şartlarda hazırlanmasına rağmen, FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyotları için elde edilen tüm parametrelerin bir diyottan diğerine değişimi, engel inhomojenliğine atfedildi. Bu yüzden, FeCrNiC/n-GaAs Schottky diyotlarının doğru beslem I-V karakteristikleri engel inhomojenliği üzerine geliştirilen Tung Modeli kullanılarak irdelendi. Gauss dağılım fonksiyonu ile fit edilen deneysel idealite faktörü ve engel yüksekliklerinin ortalama değerleri sırasıyla 1.007±0.004 ve 0.800±0.004 eV olarak elde edildi. çiziminde ve değerleri kullanılarak FeCrNiC/n-GaAs yapısı için yanal homojen engel yüksekliği eV olarak elde edildi. C-V karakteristiklerinden elde edilen ortalama engel yüksekliğinin değeri ile uyum içinde oluşu FeCrNiC/n-GaAs alaşım kontaklarının engel yüksekliklerindeki inhomojenitenin yanal dağılımlı engel yüksekliği kavramı ile tasvir edilebileceğini belirtmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, the electrical characterization of Schottky diodes with a quadripartite alloy FeCrNiC gate metal on n-GaAs has been made, for the first time. The current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of as many as 23 FeCrNiC/n-GaAs Schottky structures which identically prepared in the same conditions were measured at room temperature and in the dark. The characteristic parameters such as , and of the FeCrNiC/n-GaAs Schottky structures were obtained from the forward bias I-V characteristics by using thermionic emission theory. The values of , and of the FeCrNiC/n-GaAs structure were dispersed in the ranges of 1.000-1.016, 0.790-0.805 eV and 14.497-48.423 ?, respectively. On the other hand, the values obtained from the reverse bias C-V characteristics varied from 0.848-0.925 eV. The fact that all of the parameters for the FeCrNiC/n-GaAs SBDs differ from one diode to another even if they are identically prepared were attributed to the barrier height inhomogeneity. Hence, forward bias I-V characteristics of FeCrNiC/n-GaAs Schottky structures were interpreted by using Tung?s model based on barrier height inhomogeneity. The experimental and n distributions obtained from the I-V characteristics were fitted by a Gaussian function, and their mean values were found to be 0.800±0.004 eV and 1.007±0.004, respectively. The lateral homogeneous SBH ( ) value of 0.863 eV for the FeCrNiC/n-GaAs structure has been obtained from the vs n plot by using and It has been seen that the mean value of obtained from the reverse bias C-V measurements is correlate with the value of The good agreement of these parameters indicates that the SBH inhomogeneity of FeCrNiC/n-GaAs alloy contacts can be well described by spatial distributions of barrier height.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal aşındırma yöntemi ile GaAs üzerinde üçboyutlu mikro ve nano yüzey üretimi
3d micro and nano surface manufacturing on GaAs byelectrochemical etching method
HASAN YÜNGEVİŞ
Doktora
Türkçe
2023
Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-oksijen alaşımı salkımlarının yarı-deneysel kuantum mekaniksel yöntemlerle benzetişimi
Simulation of infrared spectra of hydrogenated amorphous silicon-oxygen alloys with semi-empirical quantum mechanical methods
SELÇUK EKİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. CAFER TOPAÇLI
- Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
SAEEDULLAH SAJJAD
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
The Determination of the interfacial parameters in Sn-n-GaAs contact structures formed on to then-tipi Ga As semiconductor
HÜLYA ÇİFTÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENİSE AYYILDIZ
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductor
AHMET KIRSOY
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU