n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
The Determination of the interfacial parameters in Sn-n-GaAs contact structures formed on to then-tipi Ga As semiconductor
- Tez No: 105284
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ENİSE AYYILDIZ, YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
ÖZET Sn/n-GaAs (Te) Schottky diyotlarını elde etmek için: [100] doğrultusundan büyütülmüş, 450 //m kalınlığında, iki yüzü parlatılmış, 1-5 x \011 cm'3 taşıyıcı konsantrasyonlu n tipi GaAs yarıiletkeni kullanıldı. Schottky kontak yapımından önce, yarıiletken yüzeyindeki kirliliklerin giderilmesi için sırasıyla: ultrasonik olarak trikloretilen, aseton ve metanolda temizlik, kimyasal temizlik ve deiyonize su ile bol yıkama yapıldı. Sonra numunenin bir yüzüne Au-Ge (%88,%12) alaşımıyla omik kontak yapıldı. Daha sonra, doğrultucu kontak yapmak için % 99,99 saflığında Sn, yarıiletkenin arka yüzeyine buharlaştırıldı. Buharlaştırma işlemleri 10-5 torr'da gerçekleştirildi. Sn/n-GaAs Schottky diyotlanmn akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında yapıldı. Diyotlann idealite faktörlerinin değerleri doğru beslem I-V karakteristiklerinden 1,2,3 ve 4 nolu diyotlar için sırasıyla 1.07, 1.08, 1.08 ve 1.09 olarak elde edildi. Diyotlann engel yükseklikleri ters beslem C~2-V ve doğru beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. C-V karakteristiklerinden bulunan engel yüksekliklerinin I-V karakteristiklerinden bulunandan daha büyük olduğu görüldü. Ayrıca engel yükseklikleri, doğru beslem I-V karakteristiklerinin deneysel değerleri kullanılarak yüzey potansiyel- gerilim 0Fs,V) grafiklerinden de bulundu. Bu değerlerin diğer metotlarla elde edilen değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Schottky diyotlarmın frekansa bağlı C-V ölçümleri de alındı. Bu ölçümler yardımıyla arayüzey hal yoğunluk değerleri elde edildi.
Özet (Çeviri)
11 SUMMARY In order to fabricate Schottky diodes, it was used polished (as received from manufacturer) n-GaAs (Te) semiconductor with [100] orientation, 450um in thick and having donor concentration of 1 - 5 x 1017 x cm'2. Before making contacts, the n-GaAs wafer was ultrasonically degreased into trichloroethlene, acetone and methanol for approximately 2 min, respectively, and then chemically etched with a H2SO4: H2O2: H2O (5:1:1) solution for 1 min to remove undesirable impurities on the surface of the semiconductor. Then, the samples were washed with deionized water. Au-Ge (8 8%, 12%) alloged was to the back of the samples for making ohmic contacts. The Sn/n-GaAs Schottky contact was formed by evaporating Sn. The current -voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements of Sn/n-GaAs Schottky diodes were carried out at room temperature. From the forward bias current-voltage characteristics, the values of the idealite factory of Sn/n-GaAs Schottky diodes were found to be 1.07, 1.08, 1.08 and 1.09 for the diodes 1,2,3 and 4, respectively. It was determined that the barrier heights obtained from the capacitance-voltage characteristics are greater than those of the current - voltage characteristics. Further more, the barrier heights were calculated from the surface potential-voltage curves plotted by using experimental values of the forward bias I-V characteristics. It was found that our data are agreement with those obtained with the other methods. The density distribution of interface states of the diodes was obtained from low and high frequency capacitance- voltage values.
Benzer Tezler
- Elektrokimyasal aşındırma yöntemi ile GaAs üzerinde üçboyutlu mikro ve nano yüzey üretimi
3d micro and nano surface manufacturing on GaAs byelectrochemical etching method
HASAN YÜNGEVİŞ
Doktora
Türkçe
2023
Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ
- Metal yarıiletken (ms) ve anodik oksit ve sülfür ince izolasyon tabakalı metal-ince izolasyon tabakası-yarıiletken (mıs) diyotların elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
FEVZULLAH TEMURTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiY.DOÇ.DR. M. ALİ EBEOĞLU
- Au/n-gaas metal yarıiletken kontakların optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the optical properties of the au/n-gaas metal semiconductor contacts
DÖNDÜ EYLÜL ERGEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD.DOÇ.DR. METİN ÖZER
- Metal/n-GaAs Schottky diyot üretimi ve elektriksel özelliklerinin I-V, C-V-f, G/ω-V-f ölçümlerinden incelenmesi
Production of metal/N-GaAs Schottky diodes and theinvestigaton their electrical characteristics ussing I-V, C-V-f, G/ω-V-f measurement
HASAN ATÇEKEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAZİRET DURMUŞ
- n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
ŞAKİR ŞANE
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. REFİK KAYALI