Geri Dön

p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı

The schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor

  1. Tez No: 269688
  2. Yazar: ZEYNEP ELKOCA
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan p-InSe:Mn yarıiletkeninin Schottky kontak davranışı incelenmiştir. Bu çalışma için öncelikle yarıiletkenin mat tarafına In buharlaştırılarak omik kontak yapılmış, sonra ise gerekli temizleme işlemlerinden geçirilmiş 12 farklı kontak materyali (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) yarıiletkenin parlak yüzeyine buharlaştırılarak 1 mm çapında Schottky kontaklar elde edilmiştir. Elde edilen bu diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri alınmış ve bu karakteristikler kullanılarak idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği değerleri hesaplanmıştır. Ayrıca seri direnç etkisi göz önünde bulundurularak Cheung fonksiyonları yardımı ile seri direnç değerleri hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, the Schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor which has been grown by Bridgman-Stockbarger Method has been investigated. For this study first the ohmic contacts with In have been made to the matte faces of semiconductors; later Schottky contacts about 1 mm diameters have been made by using 12 different contact materials (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) to the brilliant faces after passing through the necessary cleaning procedures. At the room temperature current-voltage (I-V) characteristics of this diodes have been taken and ideality factor (n) and Schottky barrier height parameters have been calculated using this characteristics. Moreover thought of the effect of series resistance Rs values have been calculated by the help of Cheung Functions.

Benzer Tezler

  1. Characterization of vacuum deposited indium selenide thin films and Schottky barrier diodes

    Vakumda büyütülmüş p-InSe ince filmlerin ve Schottky diyotların karakterizasyonu

    ÖZLEM PEHLİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  2. Investigation of InSe thin film based deviges

    İnSe ince film tabanlı aygıtların incelenmesi

    KORAY YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET PARLAK

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  3. Structural, electrical and photo-hall characterization of InSe: Cd and InSe thin films

    InSe: Cd InSe ince filmlerin yapısal, elektriksel ve foto-hall karakterizasyonu

    ATEF QASRAWİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ

  4. Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi

    The effect of external electric field on mass attenuation coefficient of some semiconductors

    SERDAR YAVUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiRize Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN