p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı
The schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor
- Tez No: 269688
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Akım-potansiyel karakterstikleri, Metal-yarı iletken sistemler, Schottky kontakları, İdealite faktörü, Current-potential characteristics, Metal-semiconductor systems, Schottky contacts, Ideality factor
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan p-InSe:Mn yarıiletkeninin Schottky kontak davranışı incelenmiştir. Bu çalışma için öncelikle yarıiletkenin mat tarafına In buharlaştırılarak omik kontak yapılmış, sonra ise gerekli temizleme işlemlerinden geçirilmiş 12 farklı kontak materyali (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) yarıiletkenin parlak yüzeyine buharlaştırılarak 1 mm çapında Schottky kontaklar elde edilmiştir. Elde edilen bu diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri alınmış ve bu karakteristikler kullanılarak idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği değerleri hesaplanmıştır. Ayrıca seri direnç etkisi göz önünde bulundurularak Cheung fonksiyonları yardımı ile seri direnç değerleri hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, the Schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor which has been grown by Bridgman-Stockbarger Method has been investigated. For this study first the ohmic contacts with In have been made to the matte faces of semiconductors; later Schottky contacts about 1 mm diameters have been made by using 12 different contact materials (Cd, Au, Mn, Zn, Co, Ag, Sn, Sb, Al, Au-Be, Au-Ge, Au-Zn) to the brilliant faces after passing through the necessary cleaning procedures. At the room temperature current-voltage (I-V) characteristics of this diodes have been taken and ideality factor (n) and Schottky barrier height parameters have been calculated using this characteristics. Moreover thought of the effect of series resistance Rs values have been calculated by the help of Cheung Functions.
Benzer Tezler
- Ti2CoZ(Z=Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb) ve Ti2Q(Q=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu,Zn)Si Heusler alaşımlarının elektronik ve manyetik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electronic and magnetic properties of Ti2CoZ(Z=Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, P, As, Sb) and Ti2Q(Q=Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn)Si Heusler alloys
KOSTA KARANİKOLA
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL ÖZDOĞAN
- Chemical composition of particles at a rural site at Northwestern Turkey: Gateway to the Central Anatolian Plateau
Kuzaybatı Türkiye kırsalındaki atmosferik partiküler maddenin kimyasal kompozisyonu: Orta Anadolu Platosu'na taşınım
EDA SAĞIRLI
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
KimyaAbant İzzet Baysal ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERPİL YENİSOY KARAKAŞ
PROF. DR. SÜLEYMAN GÜRDAL TUNCEL
- Bigadiç (Balıkesir) çevresi borat yataklarının mineralojik ve jeokimyasal incelenmesi
Mineralogical and geochemical investigations of borate deposits around Bigadiç (Balikesir)
İSMAİL KOÇAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Jeoloji MühendisliğiAnkara ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KOÇ
- Doğumsal aminoasit metabolizması bozukluğuna bağlı düşük proteinli beslenme tedavisi alan çocuklarda plazma eser element düzeylerinin belirlenmesi
Evalution of plasma trace element status in children under protein restricted diet therapy related to inherited amino asid metabolism disorder
ÖZLEM ARAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Beslenme ve Diyetetikİstanbul ÜniversitesiÇocuk Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİT ÇAM