Geri Dön

SiC katkılı MgB2 süperiletkeninin yapısal ve manyetik özellikleri

Structural and magnetic properties of SiC doped MgB2 superconductor

  1. Tez No: 275483
  2. Yazar: TUĞBA BAYAZIT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. EKREM YANMAZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

Bu çalışmada Katıhal Tepkime Yöntemi kullanılarak MgB2 süperiletkenine %5, %10 ve %20 oranlarında SiC katkılaması yapılarak, katkısız ve katkılı olmak üzere dört tane MgB2 numunesi üretildi. Homojen bir yapı elde edebilmek için numuneler 8bar'lık Ar gazı basıncında iki kez ısıl işleme tabi tutuldu. Ayrıca numunelerde meydana gelebilecek iç gerilmeyi engelleyebilmek ve yeterli derecede kristalleşmenin oluşabilmesi için ısıl işlem sonrası soğuma süreci düşük hızda gerçekleştirildi. Üretilen bu numunelerin yapısal ve manyetik özellikleri XRD analizi, yoğunluk ölçüm düzeneği, taramalı elektron mikroskobu ve PPMS sistemi kullanılarak yapıldı.Yapılan ölçüm sonuçlarından SiC katkısının MgB2 süperiletkeninin kritik akım yoğunluğunda artışa, az da olsa kritik sıcaklık değerinde düşüşe sebep olduğu görüldü. %5 SiC katkısının en iyi katkılama oranı olduğu anlaşıldı.

Özet (Çeviri)

In this study, using the Solid State Reaction Method was doped SiC rates of 5%, 10% and 20% in MgB2 superconductor, pure and SiC-doped samples were produced by four. In order to obtain a homogeneous structure the samples were subjected to heat treatment twice under pressure of 8bar Ar gas. In addition, the internal stress that may occur in samples to prevent and adequately crystallization to form the cooling process after heat treatment was performed at low speed. Structural and magnetic properties of these samples produced were performed with XRD analysis, density measurement apparatus, scanning electron microscopy and PPMS system.The results of measuring the critical current density increase in the SiC-doped MgB2, was caused by a slight decline in the value of the critical temperature. Doping was realized that the best contribution rate of 5% SiC.

Benzer Tezler

  1. SiC katkılandırılmış MgB2 süperiletkenin manyetik karakterizasyonu

    Magnetic characterization of SiCdoped MgB2 superconductor

    DİDEM BUMİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ GENCER

  2. B4C ve SiC katkılı ti6al4v alaşımının spark plazma sinterleme yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of B4C and SiC added Ti6Al4V alloy via spark plazma sintering method

    ROJDA ŞARA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ ŞAHİN

  3. Soğuk gaz dinamik püskürtme yöntemiyle imalat çeliği yüzeyinin seramik katkılı kompozit kaplanması ve karakterizasyonu

    Experimental study of ceramic reinforced composite deposits produced by cold gas dynamic sprayed on low carbon steels

    ATAKAN DİNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI

  4. Bazalt esaslı SiC takviyeli cam ve cam-seramik kaplamaların özellikleri

    The properties of basalt based SiC reinforced glass and glass-ceramic coatings

    EDİZ ERCENK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞENOL YILMAZ