Geri Dön

Delta katkılı yarı iletkenlerin elektronik özellikleri

Electronic properties of delta doped semiconductors

  1. Tez No: 283268
  2. Yazar: ÖZNUR SOYLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BERRİN ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çukurova Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 66

Özet

Yarıiletkenlerin birkaç atom tabakası kalınlığındaki (10-50 Ao) bir bölgesinin yüksek oranlarda katkılanması ile elde edilen yarıiletkenlere delta-katkılı yarıiletkenler denir. Bu tezin temel amacı delta katkılanmış bölgede Poisson denklemini çözerek potansiyel profilini bulmak ve bu profili kullanarak Schrödinger denklemini çözmektir. Schrödinger denkleminin çözümü enerji seviyelerini ve her seviyedeki elektron yoğunluklarını verir. Seviyelerde tutulan elektronlar ayrıca Poisson denkleminden elde edilen potansiyeli etkilediğinden Poisson ve Schrödinger denklemlerinin kendi içinde uyumlu çözülmesi gerekir. Poisson/Schrödinger denklemleri etkin kütle ve Hartree yaklaşımı çerçevesinde çözülmüştür. Çözümler analitik ve sayısal yöntemlerin uygun bir birlikteliği içinde yapılmıştır. Bu denklemlerin çözümünden delta katkılı bölgedeki potansiyel profili, enerji seviyeleri, dalga fonksiyonları, her seviyedeki elektron yoğunluğu gibi elektronik özellikler bulunmuştur. Bu parametrelerin sıcaklığa, katkılama oranına, katkılama bölgesinin kalınlığına bağlılığı araştırılmıştır. Hartree yaklaşımında ihmal edilen elektron-elektron etkileşmelerinin sonucu ortaya çıkan ve ?değiş-tokuş? (exchange) olarak bilinen etki de göz önüne alınarak problem yeniden çözüldü.

Özet (Çeviri)

Semiconductors doped at high concentrations in a region with a few atomic layer thickness (10-50 Ao) are called delta-doped semiconductors. The main purpose of this thesis is to solve the Poisson equation in a delta doped region and find the potential profile and use it to solve the Schrödinger equation. The solution of Schrödinger equation provides the energy levels and the electron concentration at each level. The electrons at each level in turn effects the potential obtained from the solution of Poisson equation, the Poisson and Schrödinger equations must be solved in a self-consistent manner. The Poisson/Schrödinger equations are solved in the framework of Hartree and effective mass approximations. The solutions are obtained in a proper combination of analytical and numerical methods. From these solutions the potential profile, the energy levels, the wave functions, the electron concentration at each level are obtained in the delta doped region of the semiconductor. The dependence of these parameters on doping concentration and on the width of doped region are also investigated. The problem is solved again by taking into account the exchange interaction that is neglected in the Hartree approximation.

Benzer Tezler

  1. Delta katkılı yarıiletkenlerde elektronların taşınım özelliklerinin Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi

    Examining the transport properties of electrons in delta doped semiconductors with the Monte Carlo method

    MELİKE YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BERRİN ÖZDEMİR

  2. InGaN/GaN ışık yayan diyotların kuantum verimlerinin araştırılması

    Investigation of quantum efficiencies of InGaN/GaN light emitting diodes

    NURİ CAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TEKE

  3. Evaluation of thermal, rheological, and dynamic mechanical properties of CNT reinforced PEI and PEEK composites: A comparative study

    KNT takviyeli PEI ve PEEK kompozitlerinin termal, reolojik ve dinamik-mekanik özelliklerinin karşılaştırılması

    FULDEN KAYGINOK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜLYA CEBECİ

  4. Vorticity dependent quantum kinetic equation in three dimensions

    Üç boyutlu sistemlerde girdaplı kuantum kinetik denklem

    SABRİ EFE GÜRLEYEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER FARUK DAYI

  5. A Method for identifying coherent structures in turbulent flows

    Başlık çevirisi yok

    BEDRİ ŞEFİK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1991

    Mühendislik Bilimleriİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ERDOĞAN ŞUHUBİ