Ag/GaP Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical characteristic of Ag/GaP Schottky diodes
- Tez No: 287077
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. FETHİ DAĞDELEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, S katkılı, LEC (Liquid Encapsulated Czochralsky ) metodu ile hazırlanmış GaP yarıiletkeninden termal buharlaştırma metodu ile yarıiletkenin bir yüzeyine Al buharlaştırılarak omik, diğer yüzeyine Ag buharlaştırarak Ag/GaP diyotu hazırlandı. Bu diyotun oda sıcaklığında on ayrı noktası için I-V ölçümleri yapıldı. Seçilen her hangi bir noktadaki diyota (D6) 298-423 K sıcaklık aralığında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak I-V, ln(I)-V, dV/d(lnI)-I ve H(I)-I grafikleri çizildi. Bu grafiklerden yararlanılarak termiyonik emisyon teorisi ve Cheung yöntemine göre Schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında hesaplanan idealite faktörü değerlerinin 1,73 ile 3,60 aralığında, engel yüksekliklerinin ise 0,50 ile 0,69 eV aralığında değiştiği belirlendi. D6 diyotu için 298-423 K sıcaklıklığı aralığında idealite faktörü değerlerinin 2,26 ile 3,03 engel yüksekliği değerlerinin ise 0,54 ile 0,70 eV aralığında değiştiği hesaplandı. dV/d(lnI)-I ve H(I)-I grafiklerinin eğimlerinden Rs değerleri hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin 23,63 ile 29,40 ? aralığında olduğu görüldü. Hesaplanan bu parametrelerden idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sıcaklık artarken azaldığı ancak engel yüksekliği değerlerinin ise sıcaklık artarken artığı deneysel olarak belirlendi.
Özet (Çeviri)
In this study ohmic diode was prepared by evaporating Al with thermal evaporation to one of the surfaces of GaP semiconductor which was (100) directional, 300µm thick, mixed with S and prepared with the method of LEC ( Liquid Encapsulated Czochralsky ) and Ag/GaP diode was prepared by evaporating Ag to the other surface, I-V measurements were made for ten different points of this diode at ambient temperature. For a diode at any given point I-V measurements were made in the range of (D6) 298-423 K temperature. By using these measurements I-V, ln(I)-V, dV/(dlnI)-I and H(I)-I graphics were drawn. By benefiting from these graphics thermionic, emission theory and ideality factor, barrier height and series resistance parameters of Schottky diode according to Cheung method were calculated. It was determined that the values of ideality factor which were calculated at ambient temperature were in the range of 1,73 and 3,60 and barrier heights are in the range of 0,50 and 0,69 eV. It was calculated that for D6 diode in the range of 298 ? 423 K temperature the values od ideality factor changed in the range of 2,26 and 3,03 and the values of barrier height changed in the range of 0,54 and 0,70 eV. Rs values were calculated from the tilt of dV/d(lnI)-I and H(I)-I graphics. It was observed that these calculated values were in the range of 23,63 and 29,40 ?. It was determined experimentally from these parameters that ideality factor and series resistance values decreased with the increase of temperature but barrier height values increased with the increase of temperature.
Benzer Tezler
- Metal-kompleks yarıiletgen schottky diyotların elektronik özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of the electronic properties of metal-complex semiconductor schottky diodes
FETHİ DAĞDELEN
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU
- Bakır nanoparçacıklarla katkılanmış beyaz duttan sentezlenen karbon kuantum noktaların AL/N-GAP eklemde arayüzey tabakası olarak kullanılması ve elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin araştırılması
Use of carbon quantum dots synthesized from white mulberry doped with copper nanoparticles as interfacial layers in AL/N-GAP junction and investigation of their electrical and photoelectrical properties
OSMAN NURİ ENİS
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- ZnSe ince filmlerin karakterizasyon ve fabrikasyonu
Characterization and fabrication of ZnSe thin films
ESRA BALCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMRAN SAĞLAM
- RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması
Characterization of CdS and ZnS thin films deposited by RF sputtering method and usage in the fabrication heterojunctions
CİHAT BOZKAPLAN
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR