Geri Dön

Evaluation of surface photovoltage on silicon surfaces

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 2883
  2. Yazar: EMİN ÜNAL
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MÜZEYYEN SARITAŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1988
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 104

Özet

ÖZET YÜZEY FOTOVOLTfl J I N I N HESflPLflNMflS I ÜNFiL Emin ? Yüksek Lisans Tezi.. Elektrik ve Electronik Muherıd i s 1 i 5 i Bö l ümü. Tez Yöneticisi : Y. Doc. Dr. Müzeyyen SflRITflŞ Ocak 1388.. 88 sahi f e Azınlık taşıyıcıların ?gidebilecekleri ortalama mesafe.-.a ünes Pili y a p i m ı nda k u 1 1 an 1 1 acak ma l zemen i n k a l i. tes i n i be liri emek i e i n y ay a ı n o l a r ak k u 1 1 an ılır çarık a -a lines pili nden elde edilebilecek eneri i doıüişümünün tahmini bu yolla.aerçek leşi r« Bu tezde. ı ylizey Potansiyelini o l aşta ran yüzey durumları incelendi» Termal denge ve nonde-ienere istatistiği altında; uzay yük fonksiyonu ve yüzey potansiyeli katkı konsantrasyonlarını -a öz önüne alarak yoiiunl asm iş., evrilmiş ve a r 1 1 1 1 m iş y üzey l e r i ç i n Po i sson denk l emi nden hesa p l and ı. Yüzey Potans i y e l i n i n say ı sa l ve a ak l aş ı k çözüm l e r i bu l undu. Sayısal ve yaklaşık sonuçlar karşılaştırıldığında sapmanın ' faydalanarak.. ısılın ener -i i bantlarını düzeltme ei ili m i nde o l dul u hesa p l and ı“ Uzay a ük f onk siy onunun ı ş ı k a 1 1 1 nda ve ışı k sız del e r l e r i k u 1 1. an 1 1 a rak.? y üzey f otovo l ta -i ı.. Av., yukarıda adı -aeçen üç bölae için hesaplandı. Fotovolta-Jınaz ı -n l ık taşıyıcıların artış oranına monoton bas imli l ılı re-arasyon analizi ile belirlendi. Lineer bağımlıiın r”2 nin %39 dan daha büyük delerleri için -geçerli o l dulu. varsay 1 1 ırsa.. Av nin deleri aşalıdak i l erden daha az olmak zo ru.ndad ir. i ) y ol u.n l aşm ı ş y lizey l e röe 0« 5 k T/q biri m i i > a r 1 1 1 1 m ı ş y üzey l e r de Ö. 6 k T.-'q b i r i m i i i > ev r i l m i s y üzey l e r de 0.78 kT--''q birim. Difüzyon denkleminin tek yönlü kararlı durum için çözümünden., ışıkla en..i ekte olan azınlık taşıyıcılar madde Pa rame t re l e r i ne baâ 1 1 o l a rak hesa p l and ı. 4, Bö l ümdek i şa rt l a r y e r i ne -a et iril d i I i nde. homo j en b i r a a nil e tk en dili m i içi n Su sonuç elde edildi Burada.- I madde yüzeyine düşürülen ışıl m re l et if şiddetini."» silikonun optik absorplama katsayısını.- L. azınlık taşıyıcıların gidebilecekleri mesafeyi, C sadece bir sabiti.aostermektedir. SPV metodu için.. I her da 1 3 a boyunda sabit b i r f o tovo l ta -i s i ny a l i ve recek şek i l de ay a r l an ir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT EVALUATION OF SURFACE PHÛT0VÛLTA6E ÜNAL Emin M. S. i v'ı E I ect r i ca 1 arid E I «set ron i cs En a i nee r i n-a Supervisor: Assist. Prof. Dr. Müzeyyen SAR I TAS January, 1988.. 88 pa-aes The minority carrier diffusion lenath has been widely used to characterize the duality of silicon solar cell material before it is processed into solar cells because it Provides a prediction of the ene ray conversion which may be attained in the final cells. In this thesis., the surface states that constitute the surface Potential are examined. Under conditions of thermal equilibrium and non-deaenerate statistics,, the space char-ae function and surface voltaae are obtained from the solution of r-'oissorr's equation for accumulation.- inversion and depletion layers by cons i der i n-a the impurity do Pi n-a concentration. Numeric and approximate analysis of surface voltaae are carried out. When the numeric and approximate- results are compared., the deviation will not be a'reater than From the condition of overall neutrality at the surface < Qsc-constant >.. it is obtained that the li-aht tends to flatten the bands. By us i n-a the space char-ae function in the xndark and 1 i -3 ht.> the surface photovoltaae Av is obtained for thfve different layers. The monoton i c dependence of surface phot o vol ta-ae on minority carrier injection ratio is determined from regression analysis. If it is assumed that the linear relationship is still valid when r2is esual or areater than 33"»^ Av must be less than the follow i nas ; i> 0- 5k T/q unit for accumulation re-aion ii> 0.S kT/q unit for depletion.region iii) 0.78 kTVq unit for inversion reaion. By solving one dimensional diffusion equation under steady -state condition.' the injected minority carriers as a function of sample parameters are obtained. For the conditions a iven in Chapter 4.4 and for a homo aeneous silicon slab., it is shown that r< «?.*.!_> Here.. I0is the relative intensity of incident liaht/exis the optical absorption coefficient of silicon.- C is a constant and L is the minority carrier diffusion lenath. For the SF'V method.» the relative intensity > I0 * required to net a constant SPV si-anal at each wavelenath must be measured. From the measurements and the previously determined values of

Benzer Tezler

  1. Tez No

    474942

    Contact resistivity analysis of different passivation layers via transmission line method measurements

    Farklı pasivasyon katmanlarının iletim hattı modeli yoluyla kontak direnci analizi

    GAMZE KÖKBUDAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fen Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    YRD. DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

  2. Tez No

    350423

    Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi

    CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition

    BERİL KOZÇAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  3. Tez No

    595011

    Design and production of a portable solar test device to test, the characteristic values and the classification of solar panels

    Güneş panellerinin sınıflandırmasını yapan ve karakteristik değerlerini test eden, taşınabilir bir test cihazının tasarım ve üretimi

    CEYHAN KARAÇETİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    EnerjiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. MUSTAFA YILMAZ

  4. Tez No

    660638

    Sıfır enerjili konut binalarında ısı pompası ve PV uygulamalarının enerji performans yaşam döngüsü ve maliyet analizleri

    Energy performance life cycle and cost analysis of heat pump and pv applications in zero energy residential buildings

    MEHMET YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE SÖZER

  5. Tez No

    524618

    Hibrit büyük patlama büyük çöküş-nelder mead algoritması kullanarak solar hücre parametre kestirimi

    Solar parameter estimation by using hybrid big bang big crunch-nelder mead algorithm

    ÖMER GÖNÜL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OSMAN KAAN EROL

Geri Dön