Geri Dön

MOS kontrollu tristör ( MCT ) ve sürme devrelerinin incelenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 29169
  2. Yazar: A.HÜLYA OBDAN
  3. Danışmanlar: Belirtilmemiş.
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

ÖZET MCT (MOS-Kontrollü Tristör), yalıtılmış MOS kapısından pozitif ve negatif gerilim sinyali ile kontrol edilmek üzere dizayn edi İmiş,trist örün mükemmel özelliklerine sahip yepyeni bir elemandır. Tristör gibi anodu ile katodu arasında p-n-p-n tabakaları ve üç jonksiyondan oluşmuştur. Yapısında,biri n- kanallı, diğeri p-kanallı olmak üzere iki PET ve biri npn, di ğeri pnp olan iki transistor bulunmaktadır. MCT anoda negatif gerilim sinyali verilmek suretiyle iletime geçirilir. Pozitif gerilim sinyali ile söndürülür. MCT'nin iletimdeki gerilim düşümü çok azdır ve geniş bir SOA(Emniyetli Çalışma Alanı) özelliğine sahiptir. Yüksek di/dt ve dv/dt özelliği, sıcaklık yeteneği, tristöre ilaveten hızlı anahtarl ama imkanı sağlanmış olması ile MCT çok parlak bir gelecek vaad etmektedir. MCT, yeni bir güç yarı iletkeni olmasına rağmen, DC ve AC Motor Kontrolü,ÜPS Sistem leri, Endüksiyonla Isıtma,DC-DC Dö nüştürücüler, Aktif Güç Hatları ve bunun gibi geniş uygulama alanları için olanaklar sağlar. MOS kontrollü bir tristör olan MCT, üstün özelliklerinden dolayı, çok yakın bir gelecekte günümüzün elemanlarına tercih edilecektir.

Özet (Çeviri)

SUMMARY MCT,designed to be controlled through its isolated MOS gate with positive and negative voltage signals, is the newest device, which has also perfect specifications of thyristors. It is consisted of pnpn layers between its anode and cathode and three junctions, such as thyristors.lt has two FET's ;one of them is p-channel and two transistors as npn and pnp. MCT is turned on by a negative voltage pulse at the gate and off by a positive voltage pulse. This device has a low conduction drop and a large SOA capability with high di/dt and high dv/dt, temperature capability.lt is faster switching possibility than thyristors. Although MCT is a new power semi-conductor, It shows tremendous possibility for wide spread applications, as dc and ac motor drives, DPS systems, induction heating, dc-dc converters, active power line conditioners etc. MCT will be the major device in future as comparison to previous and present devices, because of its superior characteristics.

Benzer Tezler

  1. IGBT'lerle tasarlanan PWM'li bir invertör ile üç fazlı asenkron motorun hız kontrolü

    Three phase induction motor speed control by PWM inverter using IGBT

    ALİ KIRÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MUSTAFA TEMİZ

  2. FGMOS tabanlı akım kontrollü difreansiyel fark gerilimli akım taşıyıcı tasarımı ve uygulamaları

    Design and applications of FGMOS based current controlled differential differerence current conveyor

    ÖKKEŞ GÖKALP SÖKMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ALÇI

  3. An all CMOS wideband variable gain amplifier with linear-in-dB control

    Doğrusal-dB kontrollü geniş bantlı CMOS değişken kazançlı kuvvetlendirici

    FATİH GÖLCÜK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2008

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NİL TARIM

  4. A Computer controlled data acquisition and measurement system for solar cells

    Güneş pilleri için bilgisayar kontrollü veri toplama ve ölçme sistemi

    ERCAN YILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI