Geri Dön

Dış elektrik alanın bazı yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayısına etkisi

The effect of external electric field on mass attenuation coefficient of some semiconductors

  1. Tez No: 291792
  2. Yazar: SERDAR YAVUZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: GaAs, Crystal Structure, Mass Attenuation Coefficients, Electric Field, Semiconductors
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Rize Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 70

Özet

Bu çalışmanın ilk aşamasında; filtrelenmiş, 59.54 keV'lik foton yayımlayan noktasal 241Am radyoizotop kaynağı kullanılarak, Au/n?Si/n+Si/Al, n-tipi GaAs, p-tipi GaAs, n-tipi Si yarı iletkenlerin kütle soğurma katsayıları dış elektrik alanlı ve elektrik alansız olarak ölçüldü. Bu ölçümler incelenerek, dış elektrik alanın kütle soğurma katsayısına etkileri araştırıldı. Elektrik alanda Au/n?Si/n+Si/Al ve n-tipi Si numunelerin kütle sogurma katsayılarının arttığı görüldü. Fakat n-tipi GaAs ve p-tipi GaAs numunelerininde kayda değer bir değişim gözlenmedi.Çalışmanın ikinci kısmında p-tipi GaAs, n-tipi GaAs, Au/n?Si/n+Si/Al, n-tipi Si, InSe, numunelerin kütle sogurma katsayıları ölçüldü. Deneysel değerlerden elde edilen veriler ile (34) denklemi (Lambert Beer yasası) kullanılarak bu numunelerin kütle soğurma katsayıları hesaplandı. Bulunan sonuçlarların teorik değerlerle oldukça uyumlu olduğu görüldü.Anahtar Kelimler: GaAs, Si, Kristal Yapı, Kütle Soğurma Katsayısı, Elektirik Alan, Yarı İletkenler.

Özet (Çeviri)

In the first stage of this study, mass attenuation coefficients of semiconductors Au/n?Si/n+Si/Al, n-type GaAs, p-type GaAs and n-type Si were measured using filtered 241Am radioisotope source emitting 59.54 keV photon in the presence and absence of external electric field. The effects of the external electric field on mass attenuation coefficients were investigated by examining these measurements. It is seen that in the presence of external electric field, the mass attenuation coefficients of samples Au/n?Si/n+Si/Al and n-type Si were increased. But any significant changes were not observed for the samples n-type GaAs and p-type GaAs.In the second stage of this study, the mass attenuation coefficients of samples p-type, GaAs, n-type GaAs, Au/n?Si/n+Si/Al, n-type Si, InSe were measured. Mass attenuation coefficients of these samples were calculated using the results obtained from experimental datas in Eq.(34) (Lambert Beer law). It was seen that the obtained results are in best agreement with the theoretical ones.

Benzer Tezler

  1. Preperation and investigation of electrical properties of poly (2-aminophenol) and its composites

    Poli(2-aminofenol) ve kompozitlerinin hazırlanması ve elektriksel ölçümlerinin incelenmesi

    FATMA TUBA ÇOĞALMIŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHİRE FİLİZ ŞENKAL

    DOÇ. DR. MUSTAFA OKUTAN

  2. Tek alkil grubu içeren tiyeno[3,2-b]tiyofen sentezleri, polimerleri ve özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis of mono-alkylated thieno[3,2-b]thiophenes, polymers and investigating of properties

    KORAY TANSU İLHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TURAN ÖZTÜRK

  3. Kapalı ortamlara yerleştirilen objelere ilişkin düz ve ters saçılma problemleri

    Forward and inverse scattering problems for the objects located in a closed medium

    GİZEM DİLMAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ YAPAR

  4. Mobil telefon kullanımına bağlı oluşan 900-1800 mhz radyo frekans dalgalarının meydana getirdiği elektromanyetik alanın iliak kanat kemik mineral yoğunluğuna etkisi

    The effect of electromagnetic fields on bone mineral density of iliac bone produced by 900-1800 mhz radio frequency waves dependent on cellular phone usage

    BEŞİR ANDAÇ AKSOY

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Ortopedi ve TravmatolojiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Ortopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. NEVRES HÜRRİYET AYDOĞAN