Al/p-Si Schottky kontak yapıların sıcaklığa bağlı akım gerilim (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation temperature dependence of the current-voltage (I-V) of Al/p-Si Schottky contact
- Tez No: 293127
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MURAT GÜLNAHAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erzincan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 68
Özet
Schottky diyotların akım-gerilim karakteristiklerinin anlaşılması oldukça ilgi çekicidir. Bu yapıların oda sıcaklığında ölçülmüş akım-gerilim karakteristiklerinin analizi ara yüzeyde engel oluşumunun doğası hakkında ayrıntılı bilgi vermektedir. Ayrıca akım-gerilim karakteristiklerinin sıcaklığa bağımlılığı, iletkenlik mekanizmasının farklı bir açıdan anlaşılmasını sağlamaktadır.Bu çalışmada Al/p-Si Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri 150-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Akım-gerilim analizlerinin sonucunda düşük sıcaklıklarda görünür engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe de bir artış olduğu ortaya çıktı. Bu anormallikler metal-yarıiletken ara yüzeyinde ortaya çıkan engel yüksekliklerindeki homojensizlikden kaynaklandığı tespit edildi. Sonuçta Al/p-Si Schottky engel diyottaki homojensizlikler Gauss dağılımı ile başarılı bir şekilde karakterize edilebildi.
Özet (Çeviri)
Schottky of diodes, a full understanding of the nature of their current-voltage characteristics is of great interests. Analysis of the current-voltage characteristics of these structures measured only at room temperature has given detailed information about the conduction process and the nature of barrier formation at the metal-semiconductor interface. Moreover, the temperature dependence of the current-voltage characteristics allows us to understand from different aspects of conduction mechanisms.İn this work, the electrical characteristics of Al/p-Si Schottky diodes have been measured in the temperature range of 150-300 K. Of The current-voltage analysises has emerged an abnormal decrease of apparent barrier height and increase of ideality factor at low temperature. It is determined that these anormalies result due to the barrier height inhomogeneities prevailing at the metal-semiconductor interface. As a result, homogeneties in Al/p-Si Schottky barrier diode can be successfully characterized by a Gaussian distribution.
Benzer Tezler
- Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri
Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures
MUHAMMED CAN ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TURUT
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
HAMZA TEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini
Başlık çevirisi yok
AHMET KARAPINAR
Doktora
Türkçe
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN