Geri Dön

Al/p-Si Schottky kontak yapıların sıcaklığa bağlı akım gerilim (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation temperature dependence of the current-voltage (I-V) of Al/p-Si Schottky contact

  1. Tez No: 293127
  2. Yazar: ORKUN GÜLTEPE
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MURAT GÜLNAHAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erzincan Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 68

Özet

Schottky diyotların akım-gerilim karakteristiklerinin anlaşılması oldukça ilgi çekicidir. Bu yapıların oda sıcaklığında ölçülmüş akım-gerilim karakteristiklerinin analizi ara yüzeyde engel oluşumunun doğası hakkında ayrıntılı bilgi vermektedir. Ayrıca akım-gerilim karakteristiklerinin sıcaklığa bağımlılığı, iletkenlik mekanizmasının farklı bir açıdan anlaşılmasını sağlamaktadır.Bu çalışmada Al/p-Si Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri 150-300 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Akım-gerilim analizlerinin sonucunda düşük sıcaklıklarda görünür engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe de bir artış olduğu ortaya çıktı. Bu anormallikler metal-yarıiletken ara yüzeyinde ortaya çıkan engel yüksekliklerindeki homojensizlikden kaynaklandığı tespit edildi. Sonuçta Al/p-Si Schottky engel diyottaki homojensizlikler Gauss dağılımı ile başarılı bir şekilde karakterize edilebildi.

Özet (Çeviri)

Schottky of diodes, a full understanding of the nature of their current-voltage characteristics is of great interests. Analysis of the current-voltage characteristics of these structures measured only at room temperature has given detailed information about the conduction process and the nature of barrier formation at the metal-semiconductor interface. Moreover, the temperature dependence of the current-voltage characteristics allows us to understand from different aspects of conduction mechanisms.İn this work, the electrical characteristics of Al/p-Si Schottky diodes have been measured in the temperature range of 150-300 K. Of The current-voltage analysises has emerged an abnormal decrease of apparent barrier height and increase of ideality factor at low temperature. It is determined that these anormalies result due to the barrier height inhomogeneities prevailing at the metal-semiconductor interface. As a result, homogeneties in Al/p-Si Schottky barrier diode can be successfully characterized by a Gaussian distribution.

Benzer Tezler

  1. Metal/oksit tabaka/silisyum yarıiletken/metal yapıların elektriksel özellikleri

    Electrical properties of metal/oxide layer/silicon semiconductor/metal structures

    MUHAMMED CAN ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Medeniyet Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULMECİT TURUT

  2. P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması

    The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type

    ABDULKADİR DARTICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  3. Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

    The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes

    HAMZA TEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ

  4. Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi

    Başlık çevirisi yok

    AHMET GÜMÜŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

  5. P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini

    Başlık çevirisi yok

    AHMET KARAPINAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN