Işığın, P3HT poly( 3-hexylthiophene) organik filmi ile elde edilen Al/P3HT/p-Si yapısının elektriksel özelliklerine etkisi
The effect of light electrical properties of Al/P3HT/p-Si structure obtained with P3HT poly( 3-hexylthiophene) organic film
- Tez No: 300018
- Danışmanlar: DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Organik film, p-tipi Silisyum, Elektriksel Özellik, Organic film, p-type Si, electrical properties
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 44
Özet
Bu tez çalışmasında (100) doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 5-10 ?.cm arasında olan p-tipi silisyum yarıiletken kristal kullanıldı. Silisyum RCA temizlik metoduyla yıkandı. Daha sonra Silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 570 ºC sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine P3HT organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı. Böylelikle organik film elde edildi. Elde edilen P3HT/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/P3HT/p-Si yapısı elde edildi.Diyodun karakteristik parametreleri, akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi. Işıksız ortamda Al/P3HT/p-Si diyotunun engel yüksekliği 0.78 eV idealite faktörü 2.43, ışıklı ortamda ise engel yüksekliği 0.76 eV idealite faktörü 4.07 olarak belirlendi. Bu sonuç elde ettiğimiz diyotun ışıklı ortama duyarlı olmasına atfedildi
Özet (Çeviri)
In this thesis, we have used p-type Si semiconductor crystal with (100) orientation and resistivity between 5-10 ?.cm. Si wafer has been cleaned by RCA method. Then, ohmic contacts on the unpolished surface formed by evaporation of Al under high vacuum and thermal annealing at 570 ºC temperature for 3 minutes under N2 atmosphere in the quartz tube furnace. A few drops of P3HT organic solutions have been dropped on the polished surface of Si with ohmic contact and it has been left to dry. In this way, Al/P3HT/p-Si has been obtained by evaporation of Al on P3HT/p-Si structure.Characteristic parameters of the diode have been determined using current?voltage (I-V) measurements. Barrier height and ideality factor values of Al/P3HT/p-Si diode have been determined as 0.78 eV and 2.43 in dark 0.76 eV and 4.07 under light, respectively. These results attributed photosense of the diode.
Benzer Tezler
- Yarı iletken polimerlerden hazırlanan ince filmlerin elektriksel ve spektroskopik özelliklerinin incelenmesi ve organik güneş hücreleri
The electrical and spectroscopic properties of the prepared semiconductor thin films of polymers and organic solar cells
MEHMET SELİM AKTUNA
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU
- CSA'nın P3HT VE MEH-PPV polimerlerinin fiziksel özelliklerine etkisi
Effect of CSA on the physical properties of P3HT and MEH-PPV polymers
CEM ULUDAĞ
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ALVEROĞLU DURUCU
- Fotovoltaik hücreler için bir boyutlu nanoyapıların sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of one dimensional (1D) nanostructures for photovoltaic cells
ALEV TUZCU
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Enerjiİstanbul ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL BOZ
- Investigation on the incorporation of quantum dot thin film layers in the organic and inorganic solar cell structures
Kuantum nokta ince film tabakasının organik ve inorganik güneş pili yapılarına eklenmesi
İDRİS CANDAN
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE ÇİĞDEM ERÇELEBİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Fabrication and testing of polymer thin film transistors for basic digital circuits
Temel sayısal devreler için polimer ince film transistörlerin üretimi ve testi
ORHAN MERT
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞENOL MUTLU