Geri Dön

Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

The investigation of electrical properties organic semiconductor/inorganic semiconductor diode

  1. Tez No: 300019
  2. Yazar: ŞURA HAMİDİ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ENVER AYDIN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dicle Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 37

Özet

Bu çalışmada (100) doğrultusunda büyütülmüş özdirenci ?? 5-10 ? -cm olan boron katkılı p-tipi Si kullanıldı.Amacımız metal-yarıiletken Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri,arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve aynı şartlarda hazırlanmış diyotların engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki bağlantıyı araştırmaktır.Ayrıca bu yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve karakteristiklerinin aydınlanma şiddetiyle ilişkisine açıklık getirebilmektir.Bu amaç için Al/Tips:Meppv/p-Si diyotunu kendi laboratuarımızda imal ettik. Yaptığımız HF'e daldırma metoduyla RCA kimyasal temizleme işleminin sonucunda silisyum kristalinin yüzeyi yoğun bir şekilde hidrit gruplarıyla kaplandı. Bu işlemden sonra silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 5800 sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine Tips:Mehppv organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı.Böylece organik film elde edildi.Elde edilen Tips:Meppv/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/Tips:Meppv/p-Siyapısı elde edildi Bu diyotların karakteristik parametreleri(I-V) akım gerilim ölçümlerinden belirlendi.Bu ölçümler karanlıkta ,aydınlıkta ve farklı frekanslar için gerçekleştirildi .p-tipi Si yarıiletkenin yüzeyi hidrojenlendiğinden bu yapı doğrultucu özellik gösterdi.

Özet (Çeviri)

In this study,we have used p-Si with(100) orientation and resistivity ?? 5-10 ? -cm Our purpose is experimentally to investigate the characteristic parameters and the interface state density distribution of metal/semiconductor Al/p-Si contacts.Furthermore, the effective Schottky barrier heihts and ideality factors obtained from the current-voltage(I-V) characteristics have differed from diode to diode although the samples have been identically prepared.Therefore,it has also been exampled the reason of the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors.We have prepared the MS Al/p-Si contacts in our research laboratory.The RCA clean with HF dip shows a predominant coverage of the surface with hydride groups.After HF etching,the Si surfaces is predominantly terminated by various hydrides. .After ,Ohmic contacts on the lustreless surface wafer formed under high vacuum by evaporation of Al and thermal annealing at 580 0 temperture for 3 minutes in flowing N2 in the quartz tube furnace. Tips:Meppv organic film solutions have been droppen on the bright surface of Silisium with ohmic contact and it have been left to dry.İn this way organic film has been obtained. Al/ Tips:Meppv /p-Si has been obtained by evaporation again Al on the surface were formed Tips:Meppv /p-Si structure.The characteristics parameters of the structures have been determined using current-voltage(I-V) measurements.This measurements have carried out in dark and under illumination.Therefore,H-terminated Al/p-Si structures showed the rectifying behavior.

Benzer Tezler

  1. An experimental investigation of high purity single walled carbon nanotubes as transparent electrode materials

    Tek duvarlı karbon nanotüp saflaştırması ve geçirgen elektrot oluşturulması konusunda deneysel çalışmalar

    MOZHGAN LAKI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ELİF ÜLKÜ ARICI

  2. Hibrit PDCTI-C8/p-Si organik-inorganik heteroeklem diyotun fabrikasyonu ve elektriksel karakterizasyonu

    Production and electrical characterization of PTCDI-C8/P-Si hybrid organic/inorganic heterojunction diode

    MURAT ERDAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ CİHAT ÖZAYDIN

  3. Fotokatalitik hidrojen üretimi için subftalosiyanin temelli fotokatalizörler

    Subphthalocyanine-based photocatalysts for photocatalytic hydrogen production

    AŞKIN KİLLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiTarsus Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİNE İNCE OCAKOĞLU

  4. Synthesis and characterization of semiconductor nanowires via electrochemical technique

    Yarı iletken nanoçubukların elektrokimyasal teknikle sentezlenmesi ve karakterizasyonu

    BAHADIR DOĞAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Bölümü

    PROF. DR. ZUHAL KÜÇÜKYAVUZ

    YRD. DOÇ. DR. NURDAN D. SANKIR

  5. Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi

    The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices

    DİLEK DEMİROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR