Tabakalı yarıiletkenlerin konfokal raman ve fotolüminesans spektrumları
Confocal raman and photoluminescence spectra of layered semiconductors
- Tez No: 300182
- Danışmanlar: PROF. DR. AYDIN ULUBEY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Yarıiletkenler bilim ve teknoloji için oldukça önemlidir. GaSe, GaS ve onların GaSxSe1-x katı çözeltilerinin fiziksel özellikleri, optoelektronik cihazlarındaki uygulamaları sebebiyle, temel bilimler ve teknoloji açısından oldukça önemlidir. Kimyasal maddeleri analiz etmek için foto-algılayıcılar gereklidir. Bu algılayıcılar, geniş aralıklı III-VI yarıiletken bileşimlerinin; karışım kristallerinden yapılır.Bu çalışmada GaSxSe1-x kristallerinin kristal yapısı, optiksel özellikleri, görünür ve kızılötesi spektrum aralığında incelendi.Görünür bölge kenar ölçümleri, K onfokal Ram a n Mikrospektroskopisi yöntemi ile gerçekleştirildi.İncelemeler sonucunda, GaS, GaSe ve GaSe1-xSx (0 ? x ? 1) bileşiklerinin Raman Spektroskopisi ve X Işını Spektroskopisi teknikleri ile atomik dizilimleri ve atomlardan yayılan fotonların enerji tabloları oluşturulmuştur
Özet (Çeviri)
Semiconductors have large importance for science and technology.The physical properties of GaSe, GaS and their GaSxSe1-x solid solutions are significant for basic sciences and technology because of their applications in optoelectronic devices. Photo-detectors are necessary to analyze chemical matters. These detectors are made of the mixed crystals of these crystals.In this work the crystal structure and optical characteristics of GaSxSe1-x crystals were examined in the integral of visible and infrared spectrum.The edge measurements of visible area were realized via the method ofConfocal Raman Microspectroscopy.Thanks to researchs and experiments the energy tables of the photons which emitted from atoms and atomic sequences are obtained by means of the Raman Spectroscopy of Ga, GaS, GaSe ve GaSe1-xSx compounds and X light spectroscopy techniques.
Benzer Tezler
- Yarı iletken kristallerin optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of semiconductors
UFUK DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. AYDIN ULUBEY
- TlGaS2 ve GaSxSe1-x kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TlGaS2 and GaSxSe1-x crystals
ÖZLEM NEVAL ÖZDEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYDIN GULUBAYOV
- Selenyum bileşikli bazı yarıiletkenlerin çizgisel olmayan optik özellikleri
Nonlinear optical properties of some semiconductors with selenium compounds
MUSTAFA YÜKSEK
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Selenyum ve sülfür bileşikli bazı yarıiletkenlerin doğrusal olmayan optik özellikleri
Nonlinear optical properties of some semiconductors with selenium and sulfhur compounds
PINAR IŞIK
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Enerji üretimi amaçlı şekilli nanoboyutlu yarıiletkenlerin üretimi ve uygulamaları
Synthesis and applications of shaped nanosize semiconductors for energy production
MÜNEVVER ZEYNEP SELÇUK
Doktora
Türkçe
2016
Enerjiİstanbul ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL BOZ
YRD. DOÇ. DR. MEHTAP ŞAFAK BOROĞLU