InSe ve InSe: Mn yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve Schottky diyot davranışları
The effect of electric field on band gap energy of InSe and InSe: Mn semiconductors and their Schottky diode behavior
- Tez No: 301742
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 144
Özet
Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülen InSe ve InSe:Mn yarıiletken kristallerin sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçüleri 10-320 K sıcaklık aralığında, 10 K'lik adımlarla alınmıştır. Eksiton ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişimi incelenmiştir. Yapıya katkılanan Mn elementi InSe kristalinin optik soğurma şiddetini artırmış ve soğurma kıyısının daha kısa dalga boyu tarafa kaymasına neden olmuştur. Numunelere 35 V'luk gerilim uygulanarak elektrik alanın soğurma üzerine etkisi incelenmiştir. Daha sonra, Metal/InSe/In ve Metal/InSe:Mn/In diyotlarının akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 140-380 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Sıcaklığın azalması ile idealite faktöründe artma, engel yüksekliğinde ise azalma gözlemlenmiştir. Bu davranış, metal yarıiletken arayüzeylerde engel yüksekliğinin Gaussian dağılıma sahip olduğu varsayılarak engel inhomojenliğine atfedilmiştir.
Özet (Çeviri)
The optical absorption measurements of InSe and InSe:Mn semiconductor crystals grown by Bridgman-Stockbarger method have been carried out as a function of temperature with 10 K increments in the range 10-320 K. The variations of exciton and band gap energies of the crystals have been investigated as a function of temperature. It has been the doping of the Mn element to the structure of InSe had increased the absorption intensity of InSe crystal and caused the shifting of the absorption edge towards the shorter wavelength. A potential of 35 V was applied to the samples and its effect on optical absortption has been investigated. After then, the current-voltage (I-V) characteristics of Metal/InSe/In and Metal/InSe:Mn/In Schottky diodes have been taken with 20 K increments in the range 140-380 K. The experimental barrier height decreased while ideality factor increased as the temperature decreased. This behaviour has been attributed to the barrier inhomogeneities by assuming a Gaussian distribution of barrier heights at the metal-semiconductor interface.
Benzer Tezler
- p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı
The schottky contact behaviour of p-InSe:Mn semiconductor
ZEYNEP ELKOCA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Biyomedikal öneme sahip bazı elementlerin bileşiklerinin kütle soğurma katsayılarının ölçülmesi ve katkılı, katkısız yarıiletkenlerde transmisyon faktörlerinin tavlama sıcaklığı ve süresine bağlı değişimi
Measurement of mass attenuation coefficients of compounds of biomedically important some elements and change according to the anneali̇ng temperature and time of transmission factors at doped, undoped semiconductors
BURCU AKÇA
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİH ZEKİ ERZENEOĞLU
- Kuzeydoğu Anadolu kökenli bazı yenilebilir bitki ekstraktlarının biyolojik aktivite ve fenolik asit profil değişiminin ekstraksiyon tekniği tabanlı incelenmesi
Extraction technique based investigation of changings in biological activity and phenolic acid profile of the extracts from some edible North Eastern Anatolia originplants
İNAN DURSUN
- Deneysel diyabet oluşturulan ratlarda selenyum uygulamasının serum ve doku mineral madde düzeyleri ile bazı biyokimyasal parametrelere etkileri
The effects of selenium on mineral status of serum and tissue and some biochemical parameters in experimental diabetic rats
SERPİL ÇİÇEK
Doktora
Türkçe
2017
BiyokimyaSelçuk ÜniversitesiVeteriner Biyokimya Ana Bilim Dalı
PROF. SEYFULLAH HALİLOĞLU
- Kahramanmaraş Dulkadiroğlu ilçesine bağlı elmalar köyü mangan yatağının jenetik incelenmesi ve Türkiye'nin jeotektonik evrimindeki yeri ve ilişkisi
Genesis investigation of manganese deposit in elmalar village, Dulkadirogullari region, Kahramanmaras, its implication and relation in Turkey's tectonic evolution
NAŞİDE MERVE SÜTÇÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Jeoloji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN ÇİFTÇİ