Geri Dön

İki-aşamalı büyütme tekniği ile hazırlanan CuInSe2 filmlerinin yapısal, optik ve Schottky diyot özellikleri

Structural, optical and Schottky diode properties of CuInSe2 films prepared by a two-step growth technique

  1. Tez No: 309766
  2. Yazar: YAVUZ ATASOY
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. EMİN BACAKSIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karadeniz Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Bu çalışmada, iki-aşamalı büyütme tekniği kullanılarak CuInSe2 ince filmler Mo kaplı cam ve cam altlıklar üzerinde büyütüldü. CuInSe2 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri incelendi. X-ışını kırınım deseninden, CuInSe2 ince filminin kalkopirit yapıda olduğu ve (112) doğrultusunda tercihli yönelime sahip olduğu görüldü. Kalkopirit yapılı CuInSe2'nin örgü parametreleri a ve c, sırasıyla 0,577 ve 1,161 nm olarak bulundu. Ayrıca, geri kontak olarak kullanılan molibden metaline ait (110) doğrultulu pik tespit edildi. CuInSe2 filminin yüzey fotoğrafı ve atomik konsantrasyon oranları incelendiğinde, film yüzeyinin homojen olmadığı görüldü ve filmlerin Mo altlık üzerinde pürüzlü olarak büyümesi sonucu Cu-zengini çıkıntılı bölgelerin oluştuğu görüldü. Optik ölçümler sonucu, CuInSe2 filmine ait üç farklı yasak enerji aralığı değerleri sırasıyla 1,07, 1,17 ve 1,39 eV olarak belirlendi. Hall ölçümü ile CuInSe2 ince filminin taşıyıcı konsantrasyonu, 4,0× 1017 cm?3 olarak bulundu. Mo/p-CuInSe2/Al Schottky yapısının 100-300 K sıcaklık aralığında 25 K'lık adımlar ile ileri ve geri besleme akım-gerilim karakteristikleri ölçüldü ve bu karakteristikler kullanılarak CuInSe2 filmlerinin elektriksel özellikleri detaylı olarak araştırıldı. Termiyonik emisyon teorisi yardımı ile incelenen ileri besleme I-V karakteristiklerinden elde edilen sonuçlara göre, sıcaklığın artması ile sıfır besleme engel yüksekliğinin arttığı, idealite faktörünün ve seri direncin azaldığı görüldü. Engel yüksekliği homojensizlik düzeltmesi yapıldıktan sonra, Richardson sabiti ve ortalama engel yüksekliği sırasıyla 34,71 A/cm2K2 0,72 eV olarak bulundu.

Özet (Çeviri)

We investigated the structural, optical and electrical properties of CuInSe2 films produced by a two-step selenization process of the evaporated selenide and elemental layers on Mo coated glass substrates. The X-ray diffraction studies showed that the chalcopyrite CuInSe2 was obtained with a preferential orientation in the (112) plane with lattice parameters a and c as 0,577 and 1,161 nm, respectively. Mo back contact layer had a preferential orientation in the (110) plane. Scanning electron microscopy equipped with energy dispersive spectroscopy revealed an irregular and rough surface morphology with Cu-rich protruding regions. Optical studies showed the existence of three different band gaps, which were determined as 1,07, 1,17 and 1,39 eV, respectively. From the Hall Effect measurements, we determined the carrier concentration of CuInSe2 films as 4,0× 1017 cm?3. The electrical properties of the CuInSe2 films were further studied by fabricating Mo/p-CuInSe2/Al Schottky diode structures and obtaining their forward and reverse bias current-voltage characteristics in a wide temperature range of 100-300 K, in steps of 25 K. A thorough analysis of the forward bias current-voltage characteristics based on thermionic emission theory showed that the zero bias barrier height increases while series resistance and ideality factor decreases with an increase in temperature. After a barrier height inhomogeneity correction, the Richardson constant and mean barrier height were found to be 34,71 A/cm2K2 and 0,72 eV, respectively.

Benzer Tezler

  1. Irıs Van Herpen koleksiyonlarının fraktal özelliklerinin belirlenmesi ve fraktal geometri kapsamında 3B koleksiyon hazırlama

    Determining the fractal features of Iris Van Herpen collections and preparing a 3B collection within fractal geometry

    HÜLYA VEYSEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Tekstil ve Tekstil MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Moda Tasarımı Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HATİCE HARMANKAYA

  2. Investigation of the efficacy of different sources of platelet-rich plasma (PRP) on wound healing in experimentally induced cutaneous wounds in diabetic rabbit models

    Deneysel diyabetik kutanöz yara modeli oluşturulantavşanlarda farkli kaynaklardan sağlanan trombositten zengin plazmalarin (TZP) yara iyileşmesi üzeri̇ne etki̇nli̇ği̇ni̇n araştirilmasi

    MUHAMMAD WAQAS

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Veteriner HekimliğiErciyes Üniversitesi

    İç Hastalıkları (Veterinerlik) Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İHSAN KELEŞ

  3. Classification of abnormal respiratory sounds using deep learning techniques

    Solunum seslerinin derin öğrenme yöntemleri ile sınıflandırılması

    AHAMADI ABDALLAH IDRISSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolGazi Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OKTAY YILDIZ

  4. Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. Derin öğrenme ile cerrahi video anlama

    Surgical video understanding with deep learning

    ABDISHAKOUR ABDILLAHI AWALE ABDISHAKOUR ABDILLAHI AWALE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolGazi Üniversitesi

    Bilişim Sistemleri Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DUYGU SARIKAYA