Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
- Tez No: 503796
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 149
Özet
Bu çalışmada Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD) tekniği kullanılarak InxGa1-xN/GaN tabanlı mavi ışık yayan diyot yapıları epitaksiyel olarak büyütülmüş ve karakterizasyonu yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda safir alttaş üzerine iyi kaliteye sahip GaN tabakasını büyütmek için iki aşamalı GaN büyütme yöntemi (Düşük Sıcaklık GaN ve Yüksek Sıcaklık GaN büyütmesi) kullanılmıştır. GaN tabakasının optimizasyonu sürecinde farklı V/III oranına sahip iki aşamalı HT-GaN büyütme çalışması, toplam gaz akışı çalışması, nitridasyon süresi çalışması, düşük sıcaklık GaN tabakasının büyütme süresi çalışması ve düşük sıcaklık GaN tabakasının büyütme sıcaklığı çalışması yapılarak yüksek sıcaklıkta büyütülen GaN tabakasının kalitesi üzerindeki etkileri araştırılmıştır. Bu çalışmalar sırasında numunelerin karakterizasyonu için Yüksek Çözünürlüklü X-Işını Kırınımı (HR-XRD) ölçümleri, Fotolüminesans (PL) ve Atomik Kuvvet Mikroskonu (AFM) ölçümleri yapılmıştır. Yapılan karakterizasyonlar ile malzemenin kristal kalitesi hakkında bilgi edinebileceğimiz parametreler elde edilmiştir. Ayrıca mavi ışık yayan diyot üretmek için farklı büyütme şartları altında InxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyuları büyütülerek kuantum kuyu-bariyer kalınlıkları ve çoklu kuantum kuyunun tekrar sayısına ek olarak kuantum kuyu büyütmelerinden önce büyütülen GaN koruyucu tabakasının etkileri de araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this study, InxGa1-xN/GaN based blue light emitting diodes were grown epitaxially by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition technique and all the samples were characterized. The growth technique with two steps which include low temperature and high temperature GaN growths was used to obtain the high quality GaN epilayers. During optimization of GaN epilayer, the effects of some growth conditions such as two-steps HT-GaN growth with different V/III ratios, different nitridation times, different total gas flows, different growth times of low temperature GaN layer, different growth temperatures of low temperature GaN layer on quality of GaN layer which were grown at high temperature were investigated. As well as, high resolution X-ray diffraction measurements, photoluminescence measurements and atomic force microscopy measurements were done for characterization of samples. Some parameters which give information about crystal quality were obtained from the results of characterization. In addition, the effects of quantum well-barrier thicknesses, numbers of multi quantum well and GaN prevent layer which grown before quantum well layer were investigated by using InxGa1-xN/GaN multi quantum well having with different growth conditions to obtain blue light emitting diodes.
Benzer Tezler
- Safir alttaş üzerine MOCVD ile büyütülen mavi LED yapısının elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of blue LED structure growth by MOCVD on sapphire substrate
DİDEM ALTUN
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Mavi led'lerin mikroyapısal kusurlarının ters örgü uzay haritası ile incelenmesi
Investigation of Inxga1-xn (x= 0,075; 0,090; 0,100) Blue led's mi̇crostructure defects from reciprocal space mapping
YUNUS BAŞ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
DOÇ. DR. HALİT ALTUNTAŞ
- GaN/InGaN tabanlı LED çip fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of GaN/InGaN based light emitting diodes (LEDs)
MUHAMMET SIDDIYK GENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DENİZ UZUNSOY
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Farklı püskürtme güçleri altında üretilen n-ZnO/AlN/p-GaN yakın UV mavi ışık yayan diyotların (LED) elektriksel, optik, yapısal ve morfolojik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical, optical, structural and morphological properties of n-ZnO/AlN/p-GaN near UV-blue light emitting diodes (LED) fabricated under different sputtering
DERYA ÜNAL
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİYA MERDAN
DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- Nitrit tabanlı III-V grubu yarıiletkenlerle oluşturulan çoklu kuantum kuyularının yapısal, morfolojik ve bazı optik özelliklerinin sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation of structural, morphological and some opticalproperties of multi-quantum wells, formed by nitrite based III-Vgroup semiconductors, dependent on temperature
AHMET KÜRŞAT BİLGİLİ
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK