TlGaSe2 yarıiletken-ferroelektrik kristalinin oransız fazındaki (INC) yeni polarize durumlar ve hafıza etkisi
Memory effect new polarized state in the incommensurate phase TlGaSe2 ferroelectric-semiconductor crystal
- Tez No: 315095
- Danışmanlar: PROF. DR. MİR HASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 139
Özet
Ferroelektrik yarıiletken özellik gösteren TlGaSe2 kristalinin oransız fazda bekleme sıcaklığında (Tann) birkaç saat ısıl bekleme sonrasında yapısal, elektriksel ve ısıl özellikleri araştırılmıştır. Isıl bekleme işlemi sonrasında TlGaSe2 kristalinin fiziksel parametrelerinde önemli ölçüde değişiklikler olduğu bulunmuştur. İyi bilinen hafıza etkisi yanında (INC) oransız fazda ısıl beklemem işleminin TlGaSe2 kristalinde bu fazdan uzak daha farklı sıcaklıklarda kristalin fiziksel özelliklerinde önceden bilinmeyen anomalilere yol açmaktadır. Deneysel sonuçları açıklamak için ısıl beklemenin sebep olduğu yeni bir polarize durumun kristallerdeki birçok fiziksel parametreye etki ettiği sanılmaktadır. TlGaSe2 kristalindeki ısıl bekleme etkisinin bu özelliği 140-180K sıcaklık aralığında TlGaSe2 kristalinde yer alan bazı yeni faz geçişlerini ortaya çıkarmamıza izin verir.
Özet (Çeviri)
The structural, electrical, and thermal properties of the ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 have been investigated after the thermal annealing of crystals inside the incommensurate (INC) phase for a few hours at the annealing temperature (Tann). İt is found that all outlined physical parameters of TlGaSe2 are significantly modified after the annealing process. Beside the well-known memory effect, thermal annealing within the INC phase leads to previously unknown anomalies of the different physical properties of TlGaSe2 crystals at temperatures quite far from the INC-phase. To explain the experimental results it is supposed the annealing leads to the formation of a new polarized state that influences most of the physical parameters of the crystals. This outstanding feature of the annealing effect in TlGaSe2 crystals allows us to reveal some new phase transitions that take place in TlGaSe2 crystals in the 140-180K temperature range.
Benzer Tezler
- TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi
Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals
EMİN YAKAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi
Memory effect in transport phenomenon in TlGaSe2
YASİN ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MİR HASAN SEYİDOV
- Tlgase2 ve tlıns2 katmanlı kristallerinin doğal kusurlarının ultrasonik ses hızı yöntemiyle incelenmesi
Investigation of native defects of tlgase2 and tlins2 layered crystals by ultrasonics velocity measurements
CAFER KIRBAŞ
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi
Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy
YAKUP BAKIŞ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- TlInS2, TlGaS2 ve TlGaSe2 bileşiklerinin elektron paramanyetik rezonans yöntemi ile incelenmesi
Electron paramagnetic resonance studies of TlInS2, TlGaS2 and TlGaSe2 compounds
SİNAN KAZAN
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV