TlGaSe2 yarıiletken-ferroelektrik kristalinin oransız fazındaki (INC) yeni polarize durumlar ve hafıza etkisi
Memory effect new polarized state in the incommensurate phase TlGaSe2 ferroelectric-semiconductor crystal
- Tez No: 315095
- Danışmanlar: PROF. DR. MİR HASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Faz geçişleri, Ferroelektrik, Hafıza, Yapısal kusurlar, Yarı iletken kristaller, Yarı iletkenler, Yarı iletkenlik, Phase transitions, Ferroelectrics, Structural defects, Semiconductor crystals, Semiconductors, Semiconductivity
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ferroelektrik yarıiletken özellik gösteren TlGaSe2 kristalinin oransız fazda bekleme sıcaklığında (Tann) birkaç saat ısıl bekleme sonrasında yapısal, elektriksel ve ısıl özellikleri araştırılmıştır. Isıl bekleme işlemi sonrasında TlGaSe2 kristalinin fiziksel parametrelerinde önemli ölçüde değişiklikler olduğu bulunmuştur. İyi bilinen hafıza etkisi yanında (INC) oransız fazda ısıl beklemem işleminin TlGaSe2 kristalinde bu fazdan uzak daha farklı sıcaklıklarda kristalin fiziksel özelliklerinde önceden bilinmeyen anomalilere yol açmaktadır. Deneysel sonuçları açıklamak için ısıl beklemenin sebep olduğu yeni bir polarize durumun kristallerdeki birçok fiziksel parametreye etki ettiği sanılmaktadır. TlGaSe2 kristalindeki ısıl bekleme etkisinin bu özelliği 140-180K sıcaklık aralığında TlGaSe2 kristalinde yer alan bazı yeni faz geçişlerini ortaya çıkarmamıza izin verir.
Özet (Çeviri)
The structural, electrical, and thermal properties of the ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 have been investigated after the thermal annealing of crystals inside the incommensurate (INC) phase for a few hours at the annealing temperature (Tann). İt is found that all outlined physical parameters of TlGaSe2 are significantly modified after the annealing process. Beside the well-known memory effect, thermal annealing within the INC phase leads to previously unknown anomalies of the different physical properties of TlGaSe2 crystals at temperatures quite far from the INC-phase. To explain the experimental results it is supposed the annealing leads to the formation of a new polarized state that influences most of the physical parameters of the crystals. This outstanding feature of the annealing effect in TlGaSe2 crystals allows us to reveal some new phase transitions that take place in TlGaSe2 crystals in the 140-180K temperature range.
Benzer Tezler
- TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BAHATTİN ABAY
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU
- İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BEKİR GÜRBULAK
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
- TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi
Growth of the TI GaSe2(1-x)S2x semi conductor crystals and to studied change of the band gaps energies as a function temperature
SONGÜL DUMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
- Bazı spineller ve YBiPt kristallerinde paramanyetik rezonans incelemeleri
Paramagnetic resonance studies on some spinels and YBiPt crystals
SADIK GÜNER
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEKİR AKTAŞ
- Oransız yapılı TlInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristalerinde termik hafıza etkileri ve zamanla durulma olayları
Time relaxation and memory effect in TlInS2 ve TIGaSe2 incommensurate ferroelectric crystals
LEVENT TÜMBEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- Ferroelektrik TIInS2 ve TIGaSe2 kristallerinde dielektrik relaksasyon etkileri
Dielectric relaxation effects in ferroelectric TIInS2 and TIGaSe2 crystals
MÜBERRA GAZİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV