Geri Dön

TlGaSe2 yarıiletken-ferroelektrik kristalinin oransız fazındaki (INC) yeni polarize durumlar ve hafıza etkisi

Memory effect new polarized state in the incommensurate phase TlGaSe2 ferroelectric-semiconductor crystal

  1. Tez No: 315095
  2. Yazar: YASİN ŞAHİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİR HASAN SEYİTSOY
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 139

Özet

Ferroelektrik yarıiletken özellik gösteren TlGaSe2 kristalinin oransız fazda bekleme sıcaklığında (Tann) birkaç saat ısıl bekleme sonrasında yapısal, elektriksel ve ısıl özellikleri araştırılmıştır. Isıl bekleme işlemi sonrasında TlGaSe2 kristalinin fiziksel parametrelerinde önemli ölçüde değişiklikler olduğu bulunmuştur. İyi bilinen hafıza etkisi yanında (INC) oransız fazda ısıl beklemem işleminin TlGaSe2 kristalinde bu fazdan uzak daha farklı sıcaklıklarda kristalin fiziksel özelliklerinde önceden bilinmeyen anomalilere yol açmaktadır. Deneysel sonuçları açıklamak için ısıl beklemenin sebep olduğu yeni bir polarize durumun kristallerdeki birçok fiziksel parametreye etki ettiği sanılmaktadır. TlGaSe2 kristalindeki ısıl bekleme etkisinin bu özelliği 140-180K sıcaklık aralığında TlGaSe2 kristalinde yer alan bazı yeni faz geçişlerini ortaya çıkarmamıza izin verir.

Özet (Çeviri)

The structural, electrical, and thermal properties of the ferroelectric-semiconductor TlGaSe2 have been investigated after the thermal annealing of crystals inside the incommensurate (INC) phase for a few hours at the annealing temperature (Tann). İt is found that all outlined physical parameters of TlGaSe2 are significantly modified after the annealing process. Beside the well-known memory effect, thermal annealing within the INC phase leads to previously unknown anomalies of the different physical properties of TlGaSe2 crystals at temperatures quite far from the INC-phase. To explain the experimental results it is supposed the annealing leads to the formation of a new polarized state that influences most of the physical parameters of the crystals. This outstanding feature of the annealing effect in TlGaSe2 crystals allows us to reveal some new phase transitions that take place in TlGaSe2 crystals in the 140-180K temperature range.

Benzer Tezler

  1. TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi

    Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals

    EMİN YAKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  2. TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi

    Memory effect in transport phenomenon in TlGaSe2

    YASİN ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MİR HASAN SEYİDOV

  3. Tlgase2 ve tlıns2 katmanlı kristallerinin doğal kusurlarının ultrasonik ses hızı yöntemiyle incelenmesi

    Investigation of native defects of tlgase2 and tlins2 layered crystals by ultrasonics velocity measurements

    CAFER KIRBAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy

    YAKUP BAKIŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  5. TlInS2, TlGaS2 ve TlGaSe2 bileşiklerinin elektron paramanyetik rezonans yöntemi ile incelenmesi

    Electron paramagnetic resonance studies of TlInS2, TlGaS2 and TlGaSe2 compounds

    SİNAN KAZAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV