Geri Dön

TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi

Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals

  1. Tez No: 315091
  2. Yazar: EMİN YAKAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

Bu tez çalışmasında katmanlı TlGaSe2 ferroelektrik yarıiletken kristalinin negatif ısıl genleşmesi incelenmiştir.Giriş bölümünde verilen genel bilgilerden sonra Isıl Genleşmenin Genel Teorisi ve bazı modeller hakkında bilgiler verilmiştir. Negatif ısıl genleşme mekanizmaları özellikle incelenmiştir. Deney setinde kullanılan bütün aletlerin detaylı bilgileri, ısıl genleşme ölçümlerinin yapılışı, yapılan ölçümlerin teknikleri detaylı bir şekilde anlatılmıştır.TlGaSe2 kristalinin ilk defa ışık, elektrik alan ve tavlama etkisi altında ısıl genleşme ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen sonuçlar aynı kristalin Isıl Uyarılmış Akım, X-Işın Kırınımı, Işık Geçirgenliği gibi ölçümlerinin sonuçları ile birlikte değerlenerek TlGaSe2 kristalinin daha önce bilinmeyen özellikleri ortaya konulmuştur. TlGaSe2 kristalinde olabilecek negatif ısıl genleşme mekanizması araştırılmıştır.TlGaSe2 kristalin normal ölçümlerinin, dış etkiler altında değişik fiziksel parametrelerinin sıcaklıkla bağlantısının incelendiği ölçüm sonuçlarının karşılaştırılmasıyla açıkça görülebilen yeni faz dönüşümünün mekanizmaları açıklanmaya çalışılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the thermal expansion of ferroelectric semiconductor TlGaSe2 layered crystal was investigated. The negative linear expansion of this crystal is of a special interest.After the general information given in the introduction, provides information about General Theory and some models of thermal expansion. The mechanisms of negative thermal expansion are analyzed in detail. Information of all instruments used in this set of experiments, thermal expansion measurements and measurements techniques are described in detail.Thermal expansion measurements of TlGaSe2 crystal were made for the first time under external effects which are the annealing, electric field and illumination. Obtained results compiled together with results of Thermal Stimulated Current, X-Ray Diffraction, Optical Transmission measurements of TlGaSe2crystal and then previously unknown properties of crystal are presented. The new possible mechanism of negative linear expansion of TlGaSe2 crystal is proposed.The mechanism of a new phase transformation that can be seen clearly from the obtained experimental results, tried to be explained by comparison of the results of measurements of various physical parameters of TlGaSe2 crystal under usual conditions and under the external fields.

Benzer Tezler

  1. TlInS2, TlGaS2 ve TlGaSe2 bileşiklerinin elektron paramanyetik rezonans yöntemi ile incelenmesi

    Electron paramagnetic resonance studies of TlInS2, TlGaS2 and TlGaSe2 compounds

    SİNAN KAZAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV

  2. Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diyotlarının yapılması ve elektriksel özellikleri

    Au/ TlGaSe2 /Ag Schottky diode was fabricated and electirical properties

    BUKET BİLGEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  3. A3B3C62 kalkojen yarıiletkenlerinde elektrik alanın optik özelliklere etkisi

    Başlık çevirisi yok

    DİLARA UYSAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy

    YAKUP BAKIŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  5. Katmanlı ferroelektrik TlGaSe2 kristalinin yüksek sıcaklıklarda iletkenlik mekanizmasının incelenmesi

    The investigation of conductivity mechanism of layered ferroelektric TlGaSe2 crystal at high temperature

    FATMA AZAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. ERDOĞAN ŞENTÜRK