Geri Dön

Al/Al2O3/CdS MIS yapısının yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Electrical and structural investigation of Al/Al2O3/CdS MIS structure

  1. Tez No: 329691
  2. Yazar: MUZAFFER MOĞULKOÇ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MERİH SERİN, ÖĞR. GÖR. MURAT ÇALIŞKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 79

Özet

Bu çalışmada, farklı oksit kalınlıkları ile oluşturulan Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri ±5V aralığında incelendi. Elde edilen ölçümler ile yapının idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (?B), seri direnci (Rs), taşıyıcı yoğunluğu (NA) ve arayüzey durumlarının sayısı (Nss) belirlendi. Sıcaklık artışı ile birlikte ?B ve Rs değerlerinde düşüş, n değerinde artış gözlemlenirken NA ve Nss değerlerinde incelenen sıcaklık aralığında belirgin bir değişim görülmedi. Diyotun nem algılama özelliğinin incelenmesi için nem ortamında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler sonucunda nem etkisi ile diyotun direncinde azalma meydana geldiği görüldü. Bu nedenle diyotun sensör uygulamaları için uygun bir davranış gösterdiği anlaşıldı.

Özet (Çeviri)

In this study, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/Al2O3/CdS MIS Schottky diodes prepared with different oxide thickness have been investigated over voltage range of ±5V. From the evaluation of the experimental measurements, ideality factor (n), barrier height (?B), series resistance (Rs), carrier density (NA) and interfacial state density (Nss) were calculated. When Rs and ?B values decrease with increasing temperature, the n increases with increasing temperature and significant changes were not observed in the examined temperature range for Nss and NA. Examination of humidity sensing property of diode, I-V measurements were done in humidity atmosphere. The resistance of diode decreased with the effect of humidity. Therefore, it was understood that the diode was suitable for the sensor applications.

Benzer Tezler

  1. Fabrication and characterization of ceramic nanofibers with photocatalytic ability

    Fotokatalitik özellikte seramik nanofiber üretimi ve karakterizasyonu

    HANDE DEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SADRİYE KÜÇÜKBAYRAK OSKAY

  2. Al/Al2O3/n-Si/Al schottky diyotların üretimi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of Al/Al2O3/n-Si/Al schottky diodes

    EMİNE BUSE DAĞLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU

  3. Al-Al2O3 kompozit malzeme üretimi ve difüzyon kaynağı ile kaynaklanabilirliğinin araştırılması

    Production of Al-Al2O3 composite material and investigation for weldability of this material by diffusion welding

    RAMAZAN SANDAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Metal Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HALİL ARIK

  4. Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması

    The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods

    SONER BUYTOZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Eğitim ve ÖğretimFırat Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURİ ORHAN

  5. Bükülebilir Al/Al2O3/ZnSe metal oksit yarı iletken aygıtın üretimi, yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonu

    Production of flexible Al/Al2O3/ZnSe metal oxide semiconductor device and its structural, optical and electrical characterization

    HALİL GÜRSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN