Geri Dön

İndiyum oksit ve galyum katkılı indiyum oksit ince filmlerin optik ve mikroyapısal özelliklerinin incelenmesi

Investigating optical and microstructure properties of undoped and gallium-doped indium oxide thin films

PDF İndir

  1. Tez No: 334454
  2. Yazar: KAMİLE BURCU ÇELİK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHAMMED HASAN ASLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

Galyum katkılı ve katkısız indiyum oksit ince filmler sol-jel spin kaplama yöntemiyle cam altlıklar üzerine kaplanmıştır. Farklı katkılama oranları ve ısıl işlem sıcaklıklarında filmler elde edilmiştir.İndiyum kaynağı olarak indium(III) nitrat pentahidrat, çözücü olarak asetil aseton ve asetik asit kullanılmıştır. Katkılamayı elde edebilmek için Galyum(III) Asetilasetonat eklenmiştir. Filmler katkısız, %1, %5 ve %10 katkılı olmak üzere 4 farklı katkılama konsantrasyonu ile elde edilmiştir. Bütün filmler 10 kez kaplanmıştır ve her kaplamadan sonra 350 °C de 5 dakika ısıl işleme tabii tutulmuştur.Filmlerin optik ve mikroyapısal özelliklerini incelemek amacıyla X-Işını kırınımı, UV-spektrometre ve taramalı elektron mikroskobu ölçümleri yapılmıştır.Yapılan ölçümler sonucunda XRD pik şiddetlerinde sıcaklık ve katkılama ile artış gözlenmiş, indiyuma ait (222) düzlemindeki karakteristik pik tüm numunelerde gözlemlenmiştir. SEM görüntülerinde sıcaklık ve katkı artışı ile tane boyutunda büyüme olduğu görülmüştür. UV-spektrometre ölçümlerinde ise %75 den fazla ışık geçirgenliği elde edilmiş ve bant aralıkları katkılama ile artmış sıcaklık artışı ile azalma göstermiştir.

Özet (Çeviri)

Ga doped and undoped indium oxide thin films were deposited on glass substrates by a sol-gel spin coating technique. The film have been synthesized at different temperatures and doping concentrations. Indium (III) nitrate pentahydrate was used as indium source, acetic acid, and acetyl acetone were used as solvent. After Indium (III) nitrate pentahydrate was solved in acetyl acetone and acetic acid ,different amounts of gallium(III)acetylacetonate were added to solutions to obtain desired doping concentrations. The Ga concentration used in films are 0% (undoped), 1%, 5% and 10% respectively.Each film was coated ten times onto glass substrates and dried at 350 oC for 5 minute after each coating. The resulting films were annealed at 450-500 and 550 °C respectively.The X-Ray Diffraction (XRD), UV photo spectroscopy and Scanning electron microscopy (SEM) used to examine the microstructure and optic propertiesof the films.As a result of measurements made with the XRD peak intensities observed an increase in temperature and doping, indium of the (222) plane, the characteristic peaks were observed for all samples. Determined that grain size increased by doping and heat treatment process. The optical transmittance of the films in the visible range (380-750 nm) was about %75 and nearly independent of the wavelength. The band gap of the films increased by increasing doping concentration after decreasing by increased temperature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    488230

    Galyum katkılı çinko-oksit ince filmlerin özelliklerine sıçratma gücünün ve kaplama sonrası uygulanan ısıl işlemin etkileri

    Effect of sputtering power and post annealing process on properties of gallium-doped zinc oxide thin films

    BİRSEN HANDEM ERGÜNHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET KARAASLAN

  2. Tez No

    465251

    Galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin karakterizasyonu ve üretim parametrelerinin ince filmlere olan etkilerinin incelenmesi

    Characterization of gallium doped zinc oxide thin films and investigation of the effect of growth parameters on the thin films

    ENVER KAHVECİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Bilim ve TeknolojiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ BETÜL KAYNAK

  3. Tez No

    450633

    Rf-sputtering of doped zinc oxides thin films, the effect of low substrate heating deposition

    Rf- püskürtmeli katkılanmış çinko oksit ince filmler, düşük alttaş ısıtmalı büyütme etkisi

    AMIRA AHMED ABDELMONEAM MOHAMED AHMED

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. AYKUTLU DANA

    YRD. DOÇ. NECMİ BIYIKLI

  4. Tez No

    644363

    Role of growth parameters on electrochromic behavior of tungsten oxide thin films grown by RF magnetron sputtering

    Büyütme parametrelerinin RF magnetron sıçratma ile büyütülmüş tungsten oksitin elektrokromik davranışına etkisi

    DUYGU NUHOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ÖZKAN ZAYİM

  5. Tez No

    380855

    Kolloidal yöntemle gadolinyum oksit (Gd2O3) nanoparçacıklarının sentezi ve karakterizasyonu

    The synthesis and characterization of gadolinium oxides (Gd2O3) nanoparticles by colloidal method

    EMRE ÜNVER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SAVAŞ SÖNMEZOĞLU

Geri Dön