Geri Dön

Akım-voltaj ölçümlerinden Ag/n-Si/Methyl-Green/Au diyotlarının karakteristik parametrelerinin hesaplanması

Calculation of characteristics parameters of Ag/n-Si/Methyl-Green/Au diodes from the current-voltage measurements

  1. Tez No: 335090
  2. Yazar: FİKRİYE ŞEYMA ÖZÇELİK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Metal-semiconductor contacts, Methyl green, series resistance, ideality factor, barrier height
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 54

Özet

Bu tezde [100] doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 5-10 ?-cm olan n tipi Si kullanılmıştır. Omik kontak için n-Si yarıiletkeninin mat yüzeyine gümüş (Ag) buharlaştırılarak, 420°C?de azot gazı altında 5 dakika tavlama işlemi gerçekleştirilmiştir. Daha sonra silisyumun parlak tarafına organik methyl-green solüsyonu damlatılarak kurutulmuştur. Methyl-Green katmanının üzerine 10-5 torr basınç altında altın (Au) buharlaştırılarak 1,0 mm çapında Ag/n-si/Methyl Green/Au diyotları imal edilmiştir. Bu diyotların oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V) ölçümleri alınmıştır. Bu diyotlara ait karakteristik parametreler (idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri) hesaplanarak diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki ilişki belirlenmiştir. Cheung fonksiyonu ve Norde fonksiyonları kullanılarak diyotlara ait çeşitli parametreler hesaplanmıştır. Anahtar Kelimeler Metal-yarıiletken kontaklar, methyl green, engel yüksekliği, seri direnç, idealite faktörü

Özet (Çeviri)

In this thesis, n-type Si with [100] orientation and 5-10 ?-cm resistivity was used. Ohmic contact was made evaporating the silver (Ag) to the back side of sample under nitrogen (N2) atmosphere and at 420 ° C for 5 minutes. Then, the solution of organic methyl-green was directly formed on the front surface of the n-Si wafer, and was dried. Then, to perform the electrical measurements Au was evaporated on the Methyl Green at 10?5 torr (the diode diameter is 1 mm). In this way the Ag/n-Si/Methyl- Green/Au structure was obtained. The current?voltage (I?V), characteristics of diodes structure were investigated at room temperature. The relationship between the ideality factors and barrier heights of diodes was determined by calculating the characteristic parameters of diodes (ideality factor, barrier height and series resistance values). The various parameters of the diodes were calculated using Cheung functions and Norde function.

Benzer Tezler

  1. Silisyum tabanlı organik metal yarıiletken kontakların fotodiyot ve elektiriksel karakterizasyonu

    Photodiode and electrical characterization of silicon-based organic metal semiconductor contacts

    ERHAN AKYOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NEZİR YILDIRIM

  2. Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri

    Effects of sample temperature on the characteristic parameters obtained from the current-voltage measurement of Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diodes

    SELİN BOYLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR

  3. Ag/grafen oksit-polimer/p-si Schottky diyotların elektriksel ve dielektriksel karakteristiklerin incelenmesi

    Investigation of electrical and dielectric characteristics of Ag/graphene oxide-polymer/p-Si Schottky diodes

    MERVE GÜL AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  4. Bakteriyel sentez yöntemi ile elde edilen GO:Ag nanopartiküllerin devre elemanı uygulamaları

    (device applications of GO:Ag nanoparticles obtained by bacterial synthesis method)

    FATİH SERÇEOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mühendislik BilimleriAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TUBA ÇAKICI

  5. Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In ve Cd/n-InP/In schottky diyotların akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının ve termal tavlamanın etkileri

    The effects of sample temperature and termal annealing on characteristic parameters of Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In and Cd/n-InP/In schottky diodes determined from current-voltage and capacitance-voltage measurements

    FULYA ESRA CİMİLLİ ÇATIR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM