Akım-voltaj ölçümlerinden Ag/n-Si/Methyl-Green/Au diyotlarının karakteristik parametrelerinin hesaplanması
Calculation of characteristics parameters of Ag/n-Si/Methyl-Green/Au diodes from the current-voltage measurements
- Tez No: 335090
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SONGÜL DUMAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-semiconductor contacts, Methyl green, series resistance, ideality factor, barrier height
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 54
Özet
Bu tezde [100] doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 5-10 ?-cm olan n tipi Si kullanılmıştır. Omik kontak için n-Si yarıiletkeninin mat yüzeyine gümüş (Ag) buharlaştırılarak, 420°C?de azot gazı altında 5 dakika tavlama işlemi gerçekleştirilmiştir. Daha sonra silisyumun parlak tarafına organik methyl-green solüsyonu damlatılarak kurutulmuştur. Methyl-Green katmanının üzerine 10-5 torr basınç altında altın (Au) buharlaştırılarak 1,0 mm çapında Ag/n-si/Methyl Green/Au diyotları imal edilmiştir. Bu diyotların oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V) ölçümleri alınmıştır. Bu diyotlara ait karakteristik parametreler (idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri) hesaplanarak diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki ilişki belirlenmiştir. Cheung fonksiyonu ve Norde fonksiyonları kullanılarak diyotlara ait çeşitli parametreler hesaplanmıştır. Anahtar Kelimeler Metal-yarıiletken kontaklar, methyl green, engel yüksekliği, seri direnç, idealite faktörü
Özet (Çeviri)
In this thesis, n-type Si with [100] orientation and 5-10 ?-cm resistivity was used. Ohmic contact was made evaporating the silver (Ag) to the back side of sample under nitrogen (N2) atmosphere and at 420 ° C for 5 minutes. Then, the solution of organic methyl-green was directly formed on the front surface of the n-Si wafer, and was dried. Then, to perform the electrical measurements Au was evaporated on the Methyl Green at 10?5 torr (the diode diameter is 1 mm). In this way the Ag/n-Si/Methyl- Green/Au structure was obtained. The current?voltage (I?V), characteristics of diodes structure were investigated at room temperature. The relationship between the ideality factors and barrier heights of diodes was determined by calculating the characteristic parameters of diodes (ideality factor, barrier height and series resistance values). The various parameters of the diodes were calculated using Cheung functions and Norde function.
Benzer Tezler
- Silisyum tabanlı organik metal yarıiletken kontakların fotodiyot ve elektiriksel karakterizasyonu
Photodiode and electrical characterization of silicon-based organic metal semiconductor contacts
ERHAN AKYOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri
Effects of sample temperature on the characteristic parameters obtained from the current-voltage measurement of Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diodes
SELİN BOYLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR
- Ag/grafen oksit-polimer/p-si Schottky diyotların elektriksel ve dielektriksel karakteristiklerin incelenmesi
Investigation of electrical and dielectric characteristics of Ag/graphene oxide-polymer/p-Si Schottky diodes
MERVE GÜL AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Bakteriyel sentez yöntemi ile elde edilen GO:Ag nanopartiküllerin devre elemanı uygulamaları
(device applications of GO:Ag nanoparticles obtained by bacterial synthesis method)
FATİH SERÇEOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ TUBA ÇAKICI
- Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In ve Cd/n-InP/In schottky diyotların akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının ve termal tavlamanın etkileri
The effects of sample temperature and termal annealing on characteristic parameters of Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In and Cd/n-InP/In schottky diodes determined from current-voltage and capacitance-voltage measurements
FULYA ESRA CİMİLLİ ÇATIR
Doktora
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM