Güneş hücrelerinde yararlanılabilecek plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama (PECVD) yöntemi ile büyütülmüş Sİ3N4 matris içerisinde silikon nanokristalli ince filmlerin elde edilmesi
PECVD grown with Si nanocrystals in Sİ3N4 matrice thin layers to be use for solar cells
- Tez No: 343954
- Danışmanlar: PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
Bu çalışmada güneş hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, Silikon alttaş ve kuartz üzerine plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama tekniği ile farklı gaz akış oranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılar büyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiştirilerek sitokiyometrik yapı ve zengin-silikon (rich-silikon) yapılar oluşturuldu. Böylece farklı gaz akış oranlarının nanokristal oluşumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluşması beklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundan düzenli yapı oluşturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluşturmak için yüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmış ve farklı sıcaklıkların Si nanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiştir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluşturulan silikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIR spektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir. Bu çalışmada güneş hücrelerinde yararlanılabilecek yapılar, Silikon alttaş ve kuartz üzerine plazma ile zenginleştirilmiş kimyasal buhar depolama tekniği ile farklı gaz akış oranlarında silan ve amonyak gazları gönderilerek ince film amorf silikon nitrat yapılar büyütüldü. Amonyak gazının silan gazına oranı değiştirilerek sitokiyometrik yapı ve zengin-silikon (rich-silikon) yapılar oluşturuldu. Böylece farklı gaz akış oranlarının nanokristal oluşumuna etkisi incelendi. PECVD ile üretilen ince filmlerde hemen nanokristal oluşması beklenmez çünkü yapı içerisinde bulunan silikon atomların kinetik enerjileri zayıf olduğundan düzenli yapı oluşturmak için enerjiye ihtiyaç duyarlar. Bu yüzden kristal yapı oluşturmak için yüksek sıcaklık fırınında, sabit azot gazı altında fırınlanmış ve farklı sıcaklıkların Si nanokristalleri üzerine olan etkileri incelenmiştir. Silikon nitrat yapı içerisinde oluşturulan silikon nanokristallerin yapısal ve optik özellikleri; Raman, Fotolüminesans ve FTIR spektroskopisi teknikleri kullanılarak analiz edilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, thin films amorphous silicon nitrat structures have been grown using by plasma enhanced chemical vapor deposition technique (PECVD) with silane (SiH4) and ammoniac (NH3) different gas flow rates on the silicon and quartz substrates to be used for solar cells devices. Siteometric and rich-silicon structures have been obtained changing by rates of ammoniac gas to silan gas. In this way, the effect of different gas flow rates has been investigated for formation of nanocrystal. In the PECVD grown thin films nanocrystal formation is not expected because of Si atoms to get a structure they need kinetic energy to form crystal structure. That is way, the samples have been annealed at higher different temperatures under the constant nitrogen gas condition and the effect of diferent temperatures have been searched for Si nanocrystal formations. The morphology and optical properties of Si nanocrytals in the Silicon nitride structures have been analiysised using by Raman, photoluminescence (PL) and FTIR spectroscophy techniques.
Benzer Tezler
- The use and investigation of two-dimensional materials in solar cells
Güneş hücrelerinde iki boyutlu malzemelerin kullanımı ve incelenmesi
HÜSEYİN KORKMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. UĞUR CEM HASAR
- Mitigation of light induced degradation and, light and elevated temperature induced degradation mechanisms in boron doped Czochralski grown silicon wafers
Bor katkılanmış Czochralski metoduyla büyütülmüş kristal silisyum örneklerde ışıkla indüklenen bozunma ve ışık ve sıcaklıkla indüklenmiş bozunmanın azaltılması
VAHDET ÖZYAHNİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Rational design of molecular contacts and defect analysis in perovskite solar cells
Perovskit güneş pillerinde moleküler temasların rasyonel tasarımı ve kusur analizi
EDINA LJATIFI
- Perovskite güneş hücrelerinde elektron taşıma malzemeleri yapısının ve kompozisyonun SCAPS-1D simülasyon perspektifinden incelenmesi
Investigation of electron transport materials structure and composition in perovskite solar cells from SCAPS-1D simulation prospectus
CİHAN ATAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NAGİHAN DELİBAŞ
PROF. DR. ALİGHOLİ NİAEİ
- Perovskite güneş hücrelerinde degredasyon mekanizmalarının incelenmesi ve kararlılığın arttırılması
Investigation of the degradation mechanisms in perovskite solar cells and stability improvement
ADEM MUTLU