Mitigation of light induced degradation and, light and elevated temperature induced degradation mechanisms in boron doped Czochralski grown silicon wafers
Bor katkılanmış Czochralski metoduyla büyütülmüş kristal silisyum örneklerde ışıkla indüklenen bozunma ve ışık ve sıcaklıkla indüklenmiş bozunmanın azaltılması
- Tez No: 847152
- Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN, DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 96
Özet
Güneş hücrelerinde meydana gelen verim düşürücü kusurlar uzun vadeli performansları açısından kritik öneme sahiptir. Bu sebeple, fazla miktarda verim düşürücü kusur içeren güneş hücrelerinde yüksek miktarda elektrik üretiminde düşüş gözlemlenebilir. Bu tezde, boron katkılanmış silisyum örnekler üzerinde ışıkla indüklenen bozunma (LID) ve ışık ve yüksek sıcaklıkla indüklenen bozunma ( LeTID) araştırıldı. Kitle direncinin kusur sebepli bozunmaların üzerindeki etkilerini anlayabilmek için üç farklı kitle direncine sahip 0.2, 1.5 ve 650 Ω.cm örnek grubu kullanıldı. B-O kusurlarının pasivasyonuna hızlı ve etkin bir yöntem olarak 915 nm diyot lazer metodu halojen lamba ve sıcak plaka kullanılarak yapılan pasivasyona alternatif olarak sunuldu. Ayrıca, hidrojen konsantrasyonunun hem LID hem de LeTID mekanizmları üzerindeki etkisini araştırmak için iki farklı silisyum nitrür (SiNx) pasivasyon katmanı denk örneklere ayrı olarak büyütüldü. Sonuçlara göre, 0.2 ve 1.5 Ω.cm kitle direncine sahip örneklerde B-O kusurlarından dolayı önemli miktarda bir bozunma görülürken 650 Ω.cm kitle direncine sahip örneklerde hiç bir bozulma gözlemlenmedi. Her iki SiNx pasivasyon katmanından tavlama işlemi sırasında kitle içerisine yayılan hidrojen konsantrasyonu hesaplandı. Her iki pasivasyon katmanından kitle içerisine yayılan hidrojen konsasntrasyonunda olmasına rağmen, farklı SiNx katmanıyla pasifleştirilmiş örnekler için LeTID sebepli kusurlar kaynaklı düşüşün aynı miktarda olduğu gözlemlendi. Ancak kitle içerisinde artan hidrojen konsantrasyonun daha hızlı bir LeTID sebepli düşüşe neden olduğu saptandı.
Özet (Çeviri)
The degradation of solar cells is critical for their long-term performance. If the recombination concentration is high, the rate of electricity generation from the solar cell will be lowered significantly. Within this thesis, two commonly known degradation mechanisms of light-induced degradation (LID) and, light and elevated temperature-induced degradation (LeTID) on boron doped silicon wafers were investigated. To understand the effect of base resistivity on B-O LID defect mechanism, three different base resistivity groups of samples with 0.2, 1.5 and 650 Ω.cm were used as substrates. Also, a fast regeneration method that is an alternative to illuminated annealing with halogen lamp and hot plate method, was proposed by a 915 nm diode laser. Moreover, two different silicon nitride (SiNx) passivation layers were deposited to identical samples to investigate the effect of different passivation layers on both LID and LeTID mechanisms. According to the results, 0.2 and 1.5 Ω.cm base resistivity samples showed a significant degradation due to B-O defects, while 650 Ω.cm base resistivity samples did not at all. Moreover, the concentration of hydrogen that diffused from both SiNx passivation layers to bulk was calculated. Diffused hydrogen concentrations from both passivation layers were enough for the passivation of B-O defects in each base resistivity sample. Although there was a significant difference in the concentration of diffused hydrogen atoms inside the bulk, the extent of LeTID was identical for differently passivated SiNx samples. However, it was seen that increased hydrogen concentration inside the bulk caused a faster formation of LeTID.
Benzer Tezler
- A data-driven approach to identifying and selecting temporary disaster debris management sites: The case of Istanbul
Geçici afet moloz yönetim alanlarının belirlenmesi ve seçimi için veri odaklı bir yaklaşım: İstanbul örneği
BURAK KABAKLI
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Endüstri ve Endüstri Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEYDA SERDAR ASAN
- 21. yüzyıl dönümünde insan kaynaklı afetlerde toplu göçler ve geriye dönüş sürecinde tarihi çevreye yönelik risklerin yönetimi
Management of risks for historic environment in mass migration and return processes due to human induced disasters at the turn of the 21st century
SAADET GÜNDOĞDU
- Strategies for seismic risk mitigation by considering economic criteria on a regional basis
Bölge bazında ekonomik kriterler göz önünde tutularak deprem risklerinin azaltılmasına yönelik stratejiler
HASAN HÜSEYİN AYDOĞDU
Doktora
İngilizce
2024
Deprem Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDeprem Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALPER İLKİ
- Düzce ili imara esas yerleşim alanlarında sıvılaşma potansiyelinin SPT verileri ile değerlendirilmesi
Assessment of liquefaction potential in urban development areas of duzce province based on SPT data
SAHRANUR TAŞER AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
İnşaat MühendisliğiDüzce Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ AYŞE BENGÜ SÜNBÜL GÜNER
- Tiyazol-ferrosen ile modifiye edilmiş kromenilyum-siyanin tabanlı ve çok kanallı yeni bir cıva (II) sensörün geliştirilmesi
Development of a novel multi-channel mercury (II) sensor based on chromenylium-cyanine modified with thiazole-ferrocene
ELİF YILMAZ