Geri Dön

Mitigation of light induced degradation and, light and elevated temperature induced degradation mechanisms in boron doped Czochralski grown silicon wafers

Bor katkılanmış Czochralski metoduyla büyütülmüş kristal silisyum örneklerde ışıkla indüklenen bozunma ve ışık ve sıcaklıkla indüklenmiş bozunmanın azaltılması

  1. Tez No: 847152
  2. Yazar: VAHDET ÖZYAHNİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. RAŞİT TURAN, DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Energy, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 96

Özet

Güneş hücrelerinde meydana gelen verim düşürücü kusurlar uzun vadeli performansları açısından kritik öneme sahiptir. Bu sebeple, fazla miktarda verim düşürücü kusur içeren güneş hücrelerinde yüksek miktarda elektrik üretiminde düşüş gözlemlenebilir. Bu tezde, boron katkılanmış silisyum örnekler üzerinde ışıkla indüklenen bozunma (LID) ve ışık ve yüksek sıcaklıkla indüklenen bozunma ( LeTID) araştırıldı. Kitle direncinin kusur sebepli bozunmaların üzerindeki etkilerini anlayabilmek için üç farklı kitle direncine sahip 0.2, 1.5 ve 650 Ω.cm örnek grubu kullanıldı. B-O kusurlarının pasivasyonuna hızlı ve etkin bir yöntem olarak 915 nm diyot lazer metodu halojen lamba ve sıcak plaka kullanılarak yapılan pasivasyona alternatif olarak sunuldu. Ayrıca, hidrojen konsantrasyonunun hem LID hem de LeTID mekanizmları üzerindeki etkisini araştırmak için iki farklı silisyum nitrür (SiNx) pasivasyon katmanı denk örneklere ayrı olarak büyütüldü. Sonuçlara göre, 0.2 ve 1.5 Ω.cm kitle direncine sahip örneklerde B-O kusurlarından dolayı önemli miktarda bir bozunma görülürken 650 Ω.cm kitle direncine sahip örneklerde hiç bir bozulma gözlemlenmedi. Her iki SiNx pasivasyon katmanından tavlama işlemi sırasında kitle içerisine yayılan hidrojen konsantrasyonu hesaplandı. Her iki pasivasyon katmanından kitle içerisine yayılan hidrojen konsasntrasyonunda olmasına rağmen, farklı SiNx katmanıyla pasifleştirilmiş örnekler için LeTID sebepli kusurlar kaynaklı düşüşün aynı miktarda olduğu gözlemlendi. Ancak kitle içerisinde artan hidrojen konsantrasyonun daha hızlı bir LeTID sebepli düşüşe neden olduğu saptandı.

Özet (Çeviri)

The degradation of solar cells is critical for their long-term performance. If the recombination concentration is high, the rate of electricity generation from the solar cell will be lowered significantly. Within this thesis, two commonly known degradation mechanisms of light-induced degradation (LID) and, light and elevated temperature-induced degradation (LeTID) on boron doped silicon wafers were investigated. To understand the effect of base resistivity on B-O LID defect mechanism, three different base resistivity groups of samples with 0.2, 1.5 and 650 Ω.cm were used as substrates. Also, a fast regeneration method that is an alternative to illuminated annealing with halogen lamp and hot plate method, was proposed by a 915 nm diode laser. Moreover, two different silicon nitride (SiNx) passivation layers were deposited to identical samples to investigate the effect of different passivation layers on both LID and LeTID mechanisms. According to the results, 0.2 and 1.5 Ω.cm base resistivity samples showed a significant degradation due to B-O defects, while 650 Ω.cm base resistivity samples did not at all. Moreover, the concentration of hydrogen that diffused from both SiNx passivation layers to bulk was calculated. Diffused hydrogen concentrations from both passivation layers were enough for the passivation of B-O defects in each base resistivity sample. Although there was a significant difference in the concentration of diffused hydrogen atoms inside the bulk, the extent of LeTID was identical for differently passivated SiNx samples. However, it was seen that increased hydrogen concentration inside the bulk caused a faster formation of LeTID.

Benzer Tezler

  1. 21. yüzyıl dönümünde insan kaynaklı afetlerde toplu göçler ve geriye dönüş sürecinde tarihi çevreye yönelik risklerin yönetimi

    Management of risks for historic environment in mass migration and return processes due to human induced disasters at the turn of the 21st century

    SAADET GÜNDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    MimarlıkYıldız Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEYNEP GÜL ÜNAL

  2. Strategies for seismic risk mitigation by considering economic criteria on a regional basis

    Bölge bazında ekonomik kriterler göz önünde tutularak deprem risklerinin azaltılmasına yönelik stratejiler

    HASAN HÜSEYİN AYDOĞDU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Deprem Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Deprem Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALPER İLKİ

  3. Covıd-19 pandemisi sürecinde Bitcoin, altın ve S&P500 reaksiyonları

    Bitcoin, gold and S&P500 reactions during the Covid-19 pandemic

    MAHMUT YAVUZ BAHÇECİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    EkonomiGalatasaray Üniversitesi

    İktisat Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ATA ÖZKAYA

  4. Laser systems for biomedicine: Introducing the 980 nm diode laser

    Biyo-tıp için laser sistemleri: 980nm diyot laserinin sunumu

    MURAT GÜLSOY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. İNCİ ÇİLESİZ

  5. Tarihi yapı bilgi modellerinde yapı bileşenlerinin anlamlıtemsili: gaziantep pişirici kasteli

    Meaningful representation of construction elements inhistorical building information models: gazianteppi̇şi̇ri̇ci̇ kastel

    FATİH UZUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Bilişim Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİNE ÖZKAR KABAKÇIOĞLU