SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 ince filmlerde Ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi ve teknolojik uygulamaları
Investigated with by using hrtem of nanocrytals in SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 thin films and it's technological properties
- Tez No: 343956
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 85
Özet
Bu tez çalışmasında, SiO2/Si/Ge/Si/SiO2 çok katlı yapı içerisinde Ge nanoyapıların yapısal özelliklerinin HRTEM ( Geçirgen Elektron Mikroskobu ) kullanılarak incelenmiştir. İnce filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının belirli akış oranları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. PECVD cihazı kullanılarak üretilmiş örnekler, tavlanmamış (as-grown) ve iki farklı sıcaklık değerinde tavlanmış olarak hazırlanıp HRTEM görüntüleri alındı. Isıl tavlamanın Ge nanoyapıların özelliklerine olan etkileri saptandı. HRTEM yöntemi ile belirli bir sıcaklıktaki tavlamalardan Ge nanoyapılarının oluşturulabileceği ve bu nanoyapıların yoğunluğunun tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceği gösterildi. Ayrıca artan sıcaklığın nano yapıların oluşumunu doğrudan etkilediği tespit edildi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, structural properties of Ge nanostructures in SiO2/Si/Ge/Si/SiO2 multilayers have been investigated by using HRTEM. Thin films have been grown with different flow rates of GeH4, SiH4 and N2O gases by PECVD method. In the next step, the HRTEM images of these films have been observed after processing with non-annealing and annealing in two different temperatures. The effects of annealing on the specifications of Ge nanostructures have been examined. It was showed by HRTEM method that the Ge nanostructure could be produced with annealing them in definite temperature and the densities of these nanostructures could be cotrolled by the temperature and the duration of annealing. Moreover it has been observed that rising the annealing temperature directly effected the formation of nanostructures.
Benzer Tezler
- PECVD tekniği ile büyütülmüş ince filmlerde oluşan Si, Ge ve SiGe nanokristallerin geçirgen elektron mıkroskobu (TEM), Raman, fotoışıma ve esr spektroskopisi teknikleri ile incelenmesi
Transmission electron microscopy, Raman, photoluminescence and electron spin resonance characterization of Si,Ge and SiGe nanocrystals in thin films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition
BÜNYAMİN ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Si nanocrystals in SiC matrix and infrared spectroscopy of nanocrystals in a dielectric matrix
SiC matris içindeki Si nanokristaller ve dielektrik içindeki nanokristallerin kızıl ötesi spektroscopisi
ARİFE GENCER İMER
Doktora
İngilizce
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes
GİZEM ÇELİKOK
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KUTLU
- FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF THERMOELECTRIC NANOLAYER THIN FILMS MODIFIED BY MeV Si IONS
Si İYON BOMBARDIMANI KULLANILARAK MODİFİYE EDİLMİŞ TERMOELEKTRİK NANOKATMANLI İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ VE KARAKTERİZE EDİLMESİ
MUHAMMED EMİN GÜLDÜREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiThe University of Alabama in HuntsuilleFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SATILMIŞ BUDAK
- Silisyum ve germanyum nanoçubukların elektron demeti buharlaştırma sistemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu.
Growth and characterization of silicon and germanium nanorods by electron beam deposition
MEHMET KARAKIZ
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN