Geri Dön

SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 ince filmlerde Ge nanokristallerin elektron mikroskobu ile görüntülenmesi ve teknolojik uygulamaları

Investigated with by using hrtem of nanocrytals in SiO2:Si/Ge/Si/SiO2 thin films and it's technological properties

  1. Tez No: 343956
  2. Yazar: AHMET ÖZDEMİR
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

Bu tez çalışmasında, SiO2/Si/Ge/Si/SiO2 çok katlı yapı içerisinde Ge nanoyapıların yapısal özelliklerinin HRTEM ( Geçirgen Elektron Mikroskobu ) kullanılarak incelenmiştir. İnce filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının belirli akış oranları kullanılarak PECVD tekniği ile büyütüldü. PECVD cihazı kullanılarak üretilmiş örnekler, tavlanmamış (as-grown) ve iki farklı sıcaklık değerinde tavlanmış olarak hazırlanıp HRTEM görüntüleri alındı. Isıl tavlamanın Ge nanoyapıların özelliklerine olan etkileri saptandı. HRTEM yöntemi ile belirli bir sıcaklıktaki tavlamalardan Ge nanoyapılarının oluşturulabileceği ve bu nanoyapıların yoğunluğunun tavlama sıcaklığı ve süresi ile ayarlanabileceği gösterildi. Ayrıca artan sıcaklığın nano yapıların oluşumunu doğrudan etkilediği tespit edildi.

Özet (Çeviri)

In this thesis, structural properties of Ge nanostructures in SiO2/Si/Ge/Si/SiO2 multilayers have been investigated by using HRTEM. Thin films have been grown with different flow rates of GeH4, SiH4 and N2O gases by PECVD method. In the next step, the HRTEM images of these films have been observed after processing with non-annealing and annealing in two different temperatures. The effects of annealing on the specifications of Ge nanostructures have been examined. It was showed by HRTEM method that the Ge nanostructure could be produced with annealing them in definite temperature and the densities of these nanostructures could be cotrolled by the temperature and the duration of annealing. Moreover it has been observed that rising the annealing temperature directly effected the formation of nanostructures.

Benzer Tezler

  1. PECVD tekniği ile büyütülmüş ince filmlerde oluşan Si, Ge ve SiGe nanokristallerin geçirgen elektron mıkroskobu (TEM), Raman, fotoışıma ve esr spektroskopisi teknikleri ile incelenmesi

    Transmission electron microscopy, Raman, photoluminescence and electron spin resonance characterization of Si,Ge and SiGe nanocrystals in thin films synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition

    BÜNYAMİN ŞAHİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  2. Si nanocrystals in SiC matrix and infrared spectroscopy of nanocrystals in a dielectric matrix

    SiC matris içindeki Si nanokristaller ve dielektrik içindeki nanokristallerin kızıl ötesi spektroscopisi

    ARİFE GENCER İMER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  3. Amorf silisyum katkılı schottky diyotların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation optical and electrical properties of amorphous silicon doped schottky diodes

    GİZEM ÇELİKOK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

  4. FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF THERMOELECTRIC NANOLAYER THIN FILMS MODIFIED BY MeV Si IONS

    Si İYON BOMBARDIMANI KULLANILARAK MODİFİYE EDİLMİŞ TERMOELEKTRİK NANOKATMANLI İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ VE KARAKTERİZE EDİLMESİ

    MUHAMMED EMİN GÜLDÜREN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiThe University of Alabama in Huntsuille

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SATILMIŞ BUDAK

  5. Silisyum ve germanyum nanoçubukların elektron demeti buharlaştırma sistemiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu.

    Growth and characterization of silicon and germanium nanorods by electron beam deposition

    MEHMET KARAKIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN