Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 34495
- Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arsenik, Fotoiletkenlik, Galyum, Silisyum, Arsenic, Photoconductivity, Gallium, Silicon
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
V. ÖZET SİLİSYUM 5-DOPE EDİLMİŞ GALYUM ARSENID (GaAs) EPITAKSİYEL YAPILARIN FOTOİLETKENLİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yanyalıtkan GaAs kristali üzerine“Molecular Beam Epitaxy”(MBE) yöntemi ile, iki GaAs tabakası arasında 20Â kalınlığında Si tabakası oluşturulması sonucunda elde edilen, Si 5-dope edilmiş GaAs yapılarda fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı; sıcaklığın, foton akısının, uygulanan elektrik alanın ve ışıkla uyarılma süresinin fonksiyonları olarak incelendi. Elde edilen sonuçlarda katkılı fotoiletkenlik bölgesi içerisinde gözlenen 8-dope edilmiş yapının literatürde verilen modelle uyumlu olduğu ve yapının gözlenmesinde deneysel parametrelerin uygun seçiminin önemli bir rol oynadığı gösterildi. İkincil bir ışık kaynağı ile sürekli uyarma sonucu oluşturulan yeni denge durumu altında elde edilen spektrumlardan yapıdaki bozukluk ve/veya yabancı katkıların neden olabileceği bazı yapılar incelendi. Sonuçlar literatürde değişik yöntemlerle elde edilen verilerle karşılaştırıldı. -49-
Özet (Çeviri)
SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY PROPERTIES IN EPITAXIAL STRUCTURES OF SILICON 8-DOPED GALLIUM ARSENIDE (GaAs) Si 8-doped structure grown using the method of“Molecular Beam Epitaxy (MBE)”have been investigated. The sample comprise a 20 Â layer of silicon sandwiched between two Gallium Arsenide layers deposited onto a semi-insulator GaAs substrate. The ac spectral dependence of the photoconductivity has been studied as a function of temperature, photon flux, applied electric field and chopping frequency. It is shown that careful selection of experimental conditions is necessary to observe the photoconductivity arising from the 8-doped region, and when this is done the result are in general agreement with those found in the literature. Using the secondary continous light source to change the steady state condition, impurities and defect states have been investigated. The results are compared with the results of other techniques discussed in the literature. -50-
Benzer Tezler
- Antibacterial and bioactive HAP – chitosan coatings on the functionally graded bone-like substrate
Fonksiyonel derecelendirilmiş kemik benzeri yapının HAP–chitosan ile biyoaktif ve antibakteriyel kaplanması
ERTANCAN BABAÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Mühendislik BilimleriGebze Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN USTA
DR. YASEMİN TABAK
- Düşük basınçta kimyasal buhardan depolama yöntemi ile katkılı ve katkısız silisyum dioksit tabakalarının depolanması
Deposition of undoped and doped silicondioxide films by low pressure chemical vapor deposition
MEHMET ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Characterization and fabrication of silicon thin films for solar cell applications
Güneş gözeleri uygulamaları için silisyum ince filmlerin üretim ve karakterizasyonları
MEHMET KARAMAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
PROF. DR. RAŞİT TURAN
YRD. DOÇ. DR. H. EMRAH ÜNALAN
- Silisyum altlık üzerine Mo/S/Y katkılı rGO-ZnO esaslı kaplamaların üretimi ve fotokatalitik özelliklerinin incelenmesi
The fabrication and investigation of the photocatalytic properties of rGO-ZnO based coatings with Mo/S/Y doped on silicon wafer
MİNE İBRAHİMOĞLU
Doktora
Türkçe
2023
Metalurji MühendisliğiSakarya Uygulamalı Bilimler ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATİH ÇALIŞKAN
DOÇ. DR. AHMET DEMİR
- Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction
Bir silisid/silisyum eklemde dahili fotoemisyon ve elektrik transport
ÖNDER S. ANILTÜRK
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. RAŞİT TURAN