Geri Dön

Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 34495
  2. Yazar: YENER ÖZKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

V. ÖZET SİLİSYUM 5-DOPE EDİLMİŞ GALYUM ARSENID (GaAs) EPITAKSİYEL YAPILARIN FOTOİLETKENLİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yanyalıtkan GaAs kristali üzerine“Molecular Beam Epitaxy”(MBE) yöntemi ile, iki GaAs tabakası arasında 20Â kalınlığında Si tabakası oluşturulması sonucunda elde edilen, Si 5-dope edilmiş GaAs yapılarda fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı; sıcaklığın, foton akısının, uygulanan elektrik alanın ve ışıkla uyarılma süresinin fonksiyonları olarak incelendi. Elde edilen sonuçlarda katkılı fotoiletkenlik bölgesi içerisinde gözlenen 8-dope edilmiş yapının literatürde verilen modelle uyumlu olduğu ve yapının gözlenmesinde deneysel parametrelerin uygun seçiminin önemli bir rol oynadığı gösterildi. İkincil bir ışık kaynağı ile sürekli uyarma sonucu oluşturulan yeni denge durumu altında elde edilen spektrumlardan yapıdaki bozukluk ve/veya yabancı katkıların neden olabileceği bazı yapılar incelendi. Sonuçlar literatürde değişik yöntemlerle elde edilen verilerle karşılaştırıldı. -49-

Özet (Çeviri)

SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY PROPERTIES IN EPITAXIAL STRUCTURES OF SILICON 8-DOPED GALLIUM ARSENIDE (GaAs) Si 8-doped structure grown using the method of“Molecular Beam Epitaxy (MBE)”have been investigated. The sample comprise a 20 Â layer of silicon sandwiched between two Gallium Arsenide layers deposited onto a semi-insulator GaAs substrate. The ac spectral dependence of the photoconductivity has been studied as a function of temperature, photon flux, applied electric field and chopping frequency. It is shown that careful selection of experimental conditions is necessary to observe the photoconductivity arising from the 8-doped region, and when this is done the result are in general agreement with those found in the literature. Using the secondary continous light source to change the steady state condition, impurities and defect states have been investigated. The results are compared with the results of other techniques discussed in the literature. -50-

Benzer Tezler

  1. Tez No

    731867

    Antibacterial and bioactive HAP – chitosan coatings on the functionally graded bone-like substrate

    Fonksiyonel derecelendirilmiş kemik benzeri yapının HAP–chitosan ile biyoaktif ve antibakteriyel kaplanması

    ERTANCAN BABAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Metalurji MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN USTA

    DR. YASEMİN TABAK

  2. Tez No

    98453

    Düşük basınçta kimyasal buhardan depolama yöntemi ile katkılı ve katkısız silisyum dioksit tabakalarının depolanması

    Deposition of undoped and doped silicondioxide films by low pressure chemical vapor deposition

    MEHMET ÖNDER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  3. Tez No

    305743

    Characterization and fabrication of silicon thin films for solar cell applications

    Güneş gözeleri uygulamaları için silisyum ince filmlerin üretim ve karakterizasyonları

    MEHMET KARAMAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    YRD. DOÇ. DR. H. EMRAH ÜNALAN

  4. Tez No

    198979

    Monolithic and hybrid silicon-on-insulator integrated optical devices

    Yekpare ve melez yalıtkan üstü silisyum tümleşik optik aygıtlar

    İSA KİYAT

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ATİLLA AYDINLI

  5. Tez No

    199477

    InGaN/GaN quantum electroabsorption modulators with record breaking electroabsorption in blue

    Mavi dalgaboyu aralığında elektrosoğrulma rekoru kıran InGaN/GaN kuvantum elektrosoğrulma kipleyicileri

    EMRE SARI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2007

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

Geri Dön