TlInS2 tek kristallerinin fotoiletkenlik özellikleri
On the photoconductive properties of TlInS2 single crystals
- Tez No: 34544
- Danışmanlar: PROF.DR. EMİNE RIZAOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Genel Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 98
Özet
- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri" 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.
Özet (Çeviri)
- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri" 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.
Benzer Tezler
- TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BAHATTİN ABAY
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU
- Fe3+ katkılı katmanlı üçlü talyum kalkojenlerde yapısal faz geçişlerinin elektron paramanyetik rezonans tekniği (EPR) ile incelenmesi
Investigation of structural phase transitions in Fe3+ doped ternary thallium chalcogenides by electron paramagnetic resonance technique (EPR)
MUHAMMED AÇIKGÖZ
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- Tb ve Er katkılarının TlInS2 tek kristallerindeki tuzakların elektrik karakterizasyona etkisi
The effect of the Tb and Er impurities on the characterization of the traps in the TlInS2 single crystals
SERDAR GÖREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Fe ve Cr atomları ile katkılandırılmış T1InS2 kristalinde faz geçişleri çevresinde dielektrik ve manyetik özellikler
Dielectric and magnetic properties in the vicinity of phase transitions in T1InS2 crystal doped by fe and cr atoms
ASİYE GONCA ONAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- İki boyutlu sistemlerde kusurlar
Defects in two dimensional systems
ZEYNEP ŞAHAN
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SAVAŞ BERBER