Üç boyutlu entegre devrelerin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 35255
- Danışmanlar: PROF. DR. MUHSİN ZOR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 62
Özet
IV ÖZET Günümüzde teknolojik gelişme ile optimum maliyeti sağlamak, birçok arastxrmayx beraberinde getirmiştir. Sonuçta yarıiletken teknolojisi de yer, hız ve yüksek işlem yapma kapasitesine sahip üç-boyutlu entegre devrelere yönelmiştir. Bu çalışmada, ilk önce entegre devre yapım teknikleri, aktif ve pasif devre elemanları anlatılmıştır. Daha sonra üç boyut teknolojisi incelenmiştir. Tek parça çok katlı devrelerde bulunan ince tek kristal silikon tabakaların oluşumunu sağlayan laser ve elektron ışını ile yeniden kristalleşmesi gibi SOI metodları anlatılmıştır. Bunu takiben, SOI ve yığılmış aygıtlar incelenmiştir. Son olarak, üç boyutlu devrelerin avantajları ve problemleri ele alınmıştır.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Todays technology have been improved to achieve the maximum producing rate with minimum costs. Therefore, it is understood that researching is necessary for this system. However, the semiconductor technology is tend to achieve that progress by three dimensional integrated circuits. By the way, lots of works are done by three dimensional integrated circuits, with a high process capability. In this study, at first integrated circuit producing techniques, active and passive circuit components are explained. Then three dimensional integrated circuits technology are investigated. For this purpose, monolithic multilevel circuits, only such SOI methods can be used, which allow the formation of thin single crystalline silicon layers on top of already existing devices are shown. Beside this, SOI and bulk devices are investigated. At the end, the advantages and problems of three dimensional integrated circuits are included.
Benzer Tezler
- Numerical and experimental investigation of the impact performance of 3d lattices with negative poisson's ratio
Negatif poisson oranlı 3 boyutlu latislerin çarpma dayanıklılığın deneysel ve sayısal incelenmesi
ALTUĞ ATAALP
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiUçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HALİT SÜLEYMAN TÜRKMEN
- Machine learning assisted force field development for nucleic acids
Nükleik asitler için makine öğrenimi destekli kuvvet alanı geliştirilmesi
GÖZDE İNİŞ DEMİR
Doktora
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiHesaplamalı Bilimler ve Mühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TEKİN
- Sismik izolasyonlu binaların deprem yükleri altındaki olasılıksal davranışı.
Probabilistic behavior of seismically isolated buildings under earthquake loadings.
HATİCE GAZİ
Doktora
Türkçe
2015
İnşaat Mühendisliğiİstanbul Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENK ALHAN
- Spatial and temporal variation of O3, NO and NO2 concentrations at rural and urban sites in Marmara region of Turkey
Türkiye Marmara bölgesinin kırsal ve kentsel bölgelerindeki O3, NO ve NO2 konsantrasyonlarının mekansal ve zamansal değişimi
SABİN KASPAROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Meteorolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMeteoroloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALAHATTİN İNCECİK
- A neorealist analysis of Iran-Russia relations: Tajik and Syrian civil wars
İran-Rusya ilişkilerinin neorealist bir analizi: Tacik ve Suriye iç savaşları
ESRA YANIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Uluslararası İlişkilerOrta Doğu Teknik ÜniversitesiOrtadoğu Araştırmaları Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DERYA GÖÇER AKDER
DR. ZELAL ÖZDEMİR