Safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin xrd yöntemi ile incelenmesi
An investigation of GaN epitaxial single crystal thin films grown on sapphire substrate by xrd method
- Tez No: 354388
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
Bu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanoteknoloji Laboratuvarındaki Rigaku SmartLab x-ışını kırınımı cihazı ile safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin kristal yapıları analiz edilmiştir. Ayrıca mozaik kristal yapıdaki numunenin dislokasyon yoğunlukları, dikey ve tutarlı uzunlukları, eğilme ve bükülme açıları gibi özellikleri ortaya çıkarılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this work, we have investigated epitaxial single crystal GaN thin films grown on sapphire substrate by Rigaku SmartLab x-ray diffraction facility that is founded in Nanotechnology Laboratory in our university . In addition we have determined the density of dislocations, vertical and lateral coherence lengths, tilt and twist angles of the sample which has a mosaic crystal structure.
Benzer Tezler
- GaN PIN radyasyon sensörü epitaksiyel üretimi ve karakterizasyonu
Epitaxially growth of GaN-PIN sensor and characterizations
ÖMER AHMET KAYAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
DOÇ. DR. CANAN AYDAŞ
- Safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının Hall sistemi ile elektriksel karakterizasyonu.
Electrical characterization of GaN heterostructures grown on sapphire substrate by Hall effect measurement system.
İSMAİL ALTUNTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
İSMAİL ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Morötesi̇ bölgede işik yayan di̇yot yapilarinin (UV-LED) büyütülmesi̇ ve karakteri̇zasyonu
Growth and characterization of ultraviolet light emitting diode (UV-LED)
BARIŞ BULUT
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ