Geri Dön

Safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin xrd yöntemi ile incelenmesi

An investigation of GaN epitaxial single crystal thin films grown on sapphire substrate by xrd method

  1. Tez No: 354388
  2. Yazar: İLKAY DEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 92

Özet

Bu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde bulunan Nanoteknoloji Laboratuvarındaki Rigaku SmartLab x-ışını kırınımı cihazı ile safir alttaşı üzerine büyütülen GaN epitaksiyel tek kristal ince filmlerin kristal yapıları analiz edilmiştir. Ayrıca mozaik kristal yapıdaki numunenin dislokasyon yoğunlukları, dikey ve tutarlı uzunlukları, eğilme ve bükülme açıları gibi özellikleri ortaya çıkarılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this work, we have investigated epitaxial single crystal GaN thin films grown on sapphire substrate by Rigaku SmartLab x-ray diffraction facility that is founded in Nanotechnology Laboratory in our university . In addition we have determined the density of dislocations, vertical and lateral coherence lengths, tilt and twist angles of the sample which has a mosaic crystal structure.

Benzer Tezler

  1. GaN PIN radyasyon sensörü epitaksiyel üretimi ve karakterizasyonu

    Epitaxially growth of GaN-PIN sensor and characterizations

    ÖMER AHMET KAYAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK

    DOÇ. DR. CANAN AYDAŞ

  2. Safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının Hall sistemi ile elektriksel karakterizasyonu.

    Electrical characterization of GaN heterostructures grown on sapphire substrate by Hall effect measurement system.

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  3. Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  4. GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures

    SAİME ŞEBNEM ÇETİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  5. Morötesi̇ bölgede işik yayan di̇yot yapilarinin (UV-LED) büyütülmesi̇ ve karakteri̇zasyonu

    Growth and characterization of ultraviolet light emitting diode (UV-LED)

    BARIŞ BULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ