Safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının Hall sistemi ile elektriksel karakterizasyonu.
Electrical characterization of GaN heterostructures grown on sapphire substrate by Hall effect measurement system.
- Tez No: 330721
- Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
Bu çalışmada Cumhuriyet Üniversitesi Nanoteknoloji Laboratuarında kurulu bulunan MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) cihazı ile (0001) yönelimine sahip safir alttaş üzerine büyütülen epitaksiyel GaN ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Ayrıca akış oranlarının külçe ve tabaka taşıyıcı yoğunluklarına, Hall mobilitesine ve Hall katsayısına etkisi incelenerek araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this work, we have investigated electrical characterization of epitaxal GaN heterostructures grown on sapphire substrate which have (0001) orientation by MOCVD that is founded in Nanotechnology Laboratory in Cumhuriyet University, Sivas. In addition we have studied flow rate effects on bulk and sheet carrier density, Hall mobility and Hall coefficient.
Benzer Tezler
- MOCVD yöntemi ile safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının elektriksel ve yapısal karakterizasyonu
Electrical and structural characterisation of GaN heterostructure grown on sapphire substrate by MOCVD method
MUSTAFA CÜNEYT MEMİŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Metalurji MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NAZLI AKÇAMLI
- Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu
Afm surface characterization in group III-V compound semiconductors
SÜLEYMAN ÇÖREKÇİ
- MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structual, optical and electrical chacteristic of AlxGa1-xN/GaN HEMT structures grown on sapphire substrate by MOCVD method
ÖMER AKPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization
İSMAİL ALTUNTAŞ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK