Geri Dön

Safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının Hall sistemi ile elektriksel karakterizasyonu.

Electrical characterization of GaN heterostructures grown on sapphire substrate by Hall effect measurement system.

  1. Tez No: 330721
  2. Yazar: İSMAİL ALTUNTAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 92

Özet

Bu çalışmada Cumhuriyet Üniversitesi Nanoteknoloji Laboratuarında kurulu bulunan MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) cihazı ile (0001) yönelimine sahip safir alttaş üzerine büyütülen epitaksiyel GaN ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu yapılmıştır. Ayrıca akış oranlarının külçe ve tabaka taşıyıcı yoğunluklarına, Hall mobilitesine ve Hall katsayısına etkisi incelenerek araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this work, we have investigated electrical characterization of epitaxal GaN heterostructures grown on sapphire substrate which have (0001) orientation by MOCVD that is founded in Nanotechnology Laboratory in Cumhuriyet University, Sivas. In addition we have studied flow rate effects on bulk and sheet carrier density, Hall mobility and Hall coefficient.

Benzer Tezler

  1. MOCVD yöntemi ile safir alttaş üzerine büyütülen GaN heteroyapılarının elektriksel ve yapısal karakterizasyonu

    Electrical and structural characterisation of GaN heterostructure grown on sapphire substrate by MOCVD method

    MUSTAFA CÜNEYT MEMİŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Metalurji MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ NAZLI AKÇAMLI

  2. Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu

    Afm surface characterization in group III-V compound semiconductors

    SÜLEYMAN ÇÖREKÇİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK

  3. MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structual, optical and electrical chacteristic of AlxGa1-xN/GaN HEMT structures grown on sapphire substrate by MOCVD method

    ÖMER AKPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK

  4. Safir alttaş üzerine mavi LED yapısının büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of blue LED structure on sapphire substrate and structural characterization

    İSMAİL ALTUNTAŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures

    SAİME ŞEBNEM ÇETİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK