The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
- Tez No: 35471
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 86
Özet
ÖZ MODULASYON KATKILI HETERO-YAPILARIN ELEKTRONİK VE TRANSPORT ÖZELLİKLERİ ELDEGNI, Mohamed Ayman Magdy Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Haziran 1994, 74 sayfa. Modulasyon- katkılı InGaAs/InAlAs hetero- yapıların alt bantları kendisiyle uyumlu varyasyonel yöntemle hesaplanmıştır. Çok- cisimcik değiş- tokuş etkileri yerel-yoğunluk yaklaşımı içinde dikkate alınmıştır. GaAs/AlGaAs heteroyapılarında yük taşıyıcılarının nötral yabancı atomlardan saçılmaları için sürüklenme mobilitesi hesaplanmıştır. Nötral ya bancı atomlardan saçılma ile ümitlenmiş mobilitenin yabancı atom pozisyonuna, yoğunluğuna ve sıcaklığa bağımlılığı bulunmuştur. Gözlenen bağımlılıklar fiziksel terimlerle açıklanmıştır. Anahtar kelimeler : düşük- boyutlu yarı iletkenler, kendisiyle uyumlu alan, trans port, nötral yabancı atomlar, mobilite. Bilim dalı sayısal kodu : 404.05.01 iv
Özet (Çeviri)
ABSTRACT THE ELECTRONIC AND TRANSPORT PROPERTIES OF MODULATION DOPED HETEROSTRUCTURES ELDEGNI, Mohamed Ayman Magdy Ph. D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Mehmet TOMAK June 1994, 74 pages. The subband structure of modulation- doped InGaAs/InAlAs het- erostructures is calculated in a variational self- consistent manner. The depen dence on various device parameters are examined. The many- body exchange and correlation effects are taken into account in the local- density- functional approximation. The drift mobility is calculated for the scattering of carriers by neu tral impurities in GaAs/AlGaAs heterostructures. The dependence of the neu tral impurity scattering limited mobility on impurity position, concentration and temperature is determined. The observed dependences are explained in physical terms. Keywords : low- dimensional semiconductors, self- consistent field, transport, neutral impurity, mobility. Science Code : 404.05.01 m
Benzer Tezler
- Kutuplanmanın çoklu yapıların elektronik özeliklerine etkisinin monte carlo yöntemi ile incelenmesi
Investigation of the effect polarization on the electronic properties of heterostructures by the monte carlo method
MEHTAP DEMİR
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. METİN ÖZDEMİR
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Bizmut içeren III-V grubu yarıiletkenlerde elektronik transport mekanizmalarının incelenmesi
Investigation of electronic transport mechanisms in bismuth-containing III-V group semiconductors
MUSTAFA AYDIN
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER DÖNMEZ
- Modülasyon katkılı GaInNAs/gaas kuantum kuyusu yapıların optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmes
Investigation of optical and electrical properties of modulation doped gainnas/GaAs quantum well structures
FAHRETTİN SARCAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE EROL
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN