Geri Dön

Design of front-end lna, T/R switch and power amfilier of dect wireless communication systems

Dect kablosuz iletişim sistemi için düşük gürültülü yükselteç alma/gönderme anahtarı ve güç yükseltici tasarımı

  1. Tez No: 35523
  2. Yazar: FATİH ÜSTÜNER
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. NİLGÜN GÜNALP
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: MMIC, Low Noise Amplifier, Transmit/Receive Switch, RF Power Amplifier, Active Matching, Harmonic Balance
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 179

Özet

oz DECT KABLOSUZ İLETİŞİM SİSTEMİ İÇİN DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTEÇ, ALMA /GÖNDERME ANAHTARI VE GÜÇ YÜKSELTECİ TASARIMI ÜSTÜNER, Fatih Yüksek Lisans Tezi, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Nilgün GÜNALP Eylül 1994, 164 sayfa Bir kablosuz iletişim sisteminin üç RF fonksiyonel yapısı monolitik teknoloji kullanılarak tasarımlandı. Küçük işaret yükselteci, anahtar ve güç yükselteci olarak GaAs MESFETin çalışma prensipleri incelendi. Küçük işaret devrelerinde etkin uyumlama ve seri bobin özellikli geri besleme araştırıldı. Asimetrik bir alma/gönderme anahtar devre yapısı önerildi. Anahtar FET'in eşdeğer devre modelleri tanıtıldı ve eşdeğer devre elemanlarının belirlenmesi incelendi. Bir RF güç yükselteci yük doğrusu metodu kullanılarak tasarımlandı. Bir doğrusal olmayan devre analizi yöntemi olarak Harmonik Balans metodu kullanıldı ve ayrıntılı olarak açıklandı. GaAs MESFETin doğrusal olmayan modelleri ayrıca incelendi. Simülasyon ve tasarım amaçlı bilgisayar destekli tasarım kullanıldı. Tatmin edici simülasyon sonuçlan elde edildi. Anahtar Kelimeler : MMIC, Düşük Gürültülü Yükselteç, Alma/Gönderme Anahtarı, RF Güç Yükselteci, Etkin Uyumlama, Harmonik Balans Bilim Dalı Sayısal Kodu: 609.04.01 iv

Özet (Çeviri)

ABSTRACT DESIGN OF FRONT-END LNA, T/R SWITCH AND POWER AMPLIFIER OF DECT WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM ÜSTÜNER, Fatih M.S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor : Assoc. Prof. Dr. Nilgün Günalp September 1994, 164 pages. Three RF functional blocks of a wireless communication system have been designed using monolithic technology. The operation principles of the GaAs MESFET under three different forms, as a small signal amplifier, a switch and a power amplifier, are investigated. Active matching as well as series inductive feedback are investigated in small signal amplifiers. An asymmetric T/R switch circuit topology is proposed. The equivalent circuit models of a switch FET are presented and the determination of equivalent circuit elements are considered. A power amplifier is designed using load-line approach. The harmonic balance method as a nonlinear circuit analysis tool is used and explained in detail. The nonlinear models of the GaAs MESFET are also investigated. For simulation and layout purposes CAD tools are used. Satisfactory simulation results are obtained.

Benzer Tezler

  1. SiGe BiCMOS front-end integrated circuits for X-band phased arrays

    X-band faz dizinleri için sige BiCMOS ön uç devreleri

    TOLGA DİNÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ

  2. GPS VE GLONASS uygulamaları için RF alıcı ön kat tasarımı

    RF receiver front end design for GPS and GLONASS applications

    GÖKHAN GÜNEŞ ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    ÖĞR. GÖR. HASAN BÜLENT YAĞCI

  3. Design of a mixer first receiver front-end

    Önce karıştırıcı türü alıcı ön yüzü tasarımı

    MEHMET ALPEREN BALTACI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN

  4. W/D-Bands Single-Chip Systems in a 0.13μm SiGe BiCMOS Technology – Dicke Radiometer, and Frequency Extension Module for VNAs

    0.13μm SiGe BiCMOS W/D-Band Tek-Çip Sistemler – Dicke Radyometresi, ve VNA'lar için Frekans Genişletici Modül

    EŞREF TÜRKMEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ