Radyasyonun yarı iletken devre elemanları üzerindeki etkilerinin incelemesi
Study the effects of radiation on the semiconductor circuit elements
- Tez No: 355555
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SABRİ KOÇER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrol, Computer Engineering and Computer Science and Control
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Bilişim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Yönetim Bilişim Sistemleri Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 51
Özet
Uzay nesneleri radyasyona maruz kalmaktadır. Bu radyasyonların farklı çeşitleri vardır: galaktik ışınları, güneş patlamaları radyasyonu ve güneş radyasyonudur. Bu radyasyonlar yarı iletkenlerin kristal yapılarında bozulmalarına neden olmaktadır. Bu durumda iki kutuplu transistörlerin tüm parametrelerinin bozulmasına yol açar. Son yıllarda, bu alanda araştırma yeni yöntemler kullanılarak, yük parçacığının ömür süresi, özdirenç, yarı iletken radyasyon direnci artırmanın yolları gibi farklı çalışmalar yapılmıştır. Ancak bu ilerlemelere rağmen yarı iletkenlerin radyasyon fiziği bölgesinde, daha tam olarak tüm radyasyonun etkilerini açıklayabilen bir transistör modeli yoktur. Transistör modelinin hesaplamaları göz önünde alındığında giriş verileri elektriksel ve geometriksel olmalıdır. Aynı zamanda modelinin yapısı, p-n geçişlerinin akım hesaplaması otomatik olmalıdır. Ayrıca transistör modeli radyasyonun ve sıcaklığının değişiklikleri dikkate alınmalıdır, çünkü yük parçacığının ömür süresi radyasyonu azaltırken, sıcaklık arttığında yük parçacığının ömür süresini artırmaktadır.
Özet (Çeviri)
At present, the problem of increasing performance and radiation resistance of transistors has been given much attention as electronic equipment of spacecraft, including satellites, is exposed to various radiation emissions, such as the Earth's radiation belts, cosmic and galactic rays. For research in this field it is necessary firstly to develop a transistor model that takes into account all the effects, including the effects of radiation. As it is known, the performance increase of silicon bipolar transistors is limited to the geometrical dimensions of p-n junctions, as well as to the part of the base, which is determined primarily by the parameters of electric strength. Thus, a large decrease in the base thickness leads to a sharp decrease of the clamping voltage of the transistor. But to prevent it, increasing the doping level of the base may lead to a significant reduction of the emitter junction breakdown voltage. The proposed technological methods of production and their influence on the parameters of the bipolar transistor can be simulated on a PC. The paper presents a single-level model to identify the constant of the radiation changes in the lifetime of minority carriers in the base of n-p-n transistors, DLTS spectra base of n-p-n transistors and describes the results.
Benzer Tezler
- Development of multi-layer conductive polymer nanocomposites for electromagnetic shielding application
Elektromanyetik kalkanlama uygulamaları için katmanlı iletken polimer nano kompozitlerinin geliştirilmesi
FATMA ZEHRA ENGİN SAĞIRLI
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EYÜP SABRİ KAYALI
PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ
- Al/Congo Red/p- tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi
The effect of gamma irradiation on electronic and interfacial properties of the Al/Congo Red/p- type Si semiconductor diodes
CELAL ALTUNIŞIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Design of a si-pin based gamma detector used for the assessment of environmental radioactivity
Çevresel radyasyon seviyesinin ölçümü için kullanılabilecek sı-pın bazlı bir gama dedektörünün tasarımı
GÖKÇEN TATAROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP ŞAHABETTİN ÖZBEN
- Design of 180 nm CMOD LC oscillator for space applications
Uzay uygulamaları için 180 nm CMOS LC salınıcı tasarımı
YASEMİN UZUN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Yüzey akustik dalga filtrelerinin haberleşme sistemlerindeki uygulamaları
Surface acoustic wave filter applications in communication systems
HASAN KARTLAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MÜRVET KIRCI ÜÇER