Geri Dön

The Electronic structure and optical absorbtion in modülation doped semiconductor heterostructures

Modülasyon katkılı yarıiletken heteroyapılarda elektronik yapı ve optik soğurma

  1. Tez No: 35608
  2. Yazar: RAFİG ABDALLA AL-KHADER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 82

Özet

oz MODÜLASYON KATKILI YARIİLETKEN HETEROYAPILARDA ELEKTRONİK YAPI VE OPTİK SO?URMA AL-KHADER, Rafiq Abdalla Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Haziran 1994, 70 sayfa. Modülasyon katkılı Zno.53Gao.4r As/n - Iuo^AIoasAs heteroyapılarda alt bantlar kendisiyle- uyumlu varyasyonel yöntemle hesaplanmaktadır. Aynı hesap 6- katkılı GaAs/n ~ Ga,ı-xAlxAs heteroyapılarda tekrar lanmıştır. Bu durumda, daha yüksek yük taşıyıcı yoğunluğu bulunmuştur. Uç alt bantın dolu olduğu modülasyon katkılı Ino.53Gao.47As/» - Ino.s2Alo.4sAs heteroyapılarda bantlararası optik soğurma katsayısı hesaplanmak tadır. Hesaplanan çizgi formları modülasyon katkılı kuantum kuyularındaHne benzemektedir. Daha ileri kıyaslama için deneyesel veriler gerekmektedir. Anahtar kelimeleri : Heteroyapı, Optik soğurma, kendisiyle uyumlu Büim Dalı Sayısal Kodu : 404.05.01 iv

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE ELECTRONIC STRUCTURE AND OPTICAL ABSORPTION IN MODULATION DOPED SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES AL-KHADER, Rafiq Abdalla Ph. D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Mehmet TOMAK June 1994, 70 pages. The energy subband structure of modulation- doped 7no.53Gao.47As/n- Iuo.mAIa&As heterostructures is calculated in a variational self- consistent man ner. The dependence on various device parameters are examined. The many- body exchange- correlation effects are taken into account. Same calculation is also done for a 8- doped GaAs/n - Gax~xAlxAs heterostructure. In this case, a higher carrier concentration is obtained. The intersubband optical absorption coefficient has been calculated for the modulation doped Jno.53Gao.47 As /n- Iuq^AIa^As heterostructure, where the three calculated lowest subbands are occupied. The calculated lineshapes are similar to those in modulation doped quantum wells. The experimental results are needed for further comparison. Keywords : Heterostructure, Optical absorption, Self consistent. Science Code : 404.05.01 111

Benzer Tezler

  1. La3Lu2Ga3O12: Cı3+: Nd3+ lazer kristallerinde sıcaklığın Cr3+-Nd3+ enerji transferine etkisi

    Başlık çevirisi yok

    GÜLEFŞAN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÖNÜL ÖZEN

  2. Cr:Colquiriite'lerde spektroskopik özelliklerin sıcaklığa bağlı ölçümü ve diyot pompalı Cr:LiCAF, Yb:YLF ve Yb:LLF lazer sistemlerinin geliştirilmesi

    Temperature dependent measurement of spectroscopic properties in cr:Colquiriites and development of diode pumped Cr:LiCAF, Yb:YLF and Yb:LLF laser systems

    SERDAR OKUYUCU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAkdeniz Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SIDDIK CUMHUR BAŞARAN

  3. Investigation of photodetectors usinggraphene field effect transistors incombination with functional dyematerials

    Fonksiyonel boya malzemeleri ve grafin alan etkitransistörleri kullanan fotodedektörlerin araştırılması

    OZAN YAKAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SİNAN BALCI

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

  4. Harici optik geribeslemenin laser diyod karakteristikleri üzerine etkisi

    The Effects of optical feed back on laser diode characteristics

    ORHAN KAMİL GÜREL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    DOÇ.DR. KENAN DANIŞMAN

  5. Graphene-based electrically tunable terahertz optoelectronics

    Grafen-tabanlı elektrik ayarlı terahertz optoelektroniği

    NURBEK KAKENOV

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. COŞKUN KOCABAŞ